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武器装备预研基金(41312040307)

作品数：3 被引量：38H指数：3
相关作者：王娟冯坚张长瑞杨大祥陈玲更多>>
相关机构：国防科学技术大学武汉军械士官学校更多>>
发文基金：武器装备预研基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇低介电常数
  • 1篇电性能
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔薄膜
  • 1篇折射率
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇三甲基
  • 1篇三甲基氯硅烷
  • 1篇氯硅烷
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米多孔
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇甲基
  • 1篇甲基氯
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱研究

机构

  • 3篇国防科学技术...
  • 1篇武汉军械士官...

作者

  • 3篇冯坚
  • 3篇王娟
  • 2篇张长瑞
  • 1篇徐建国
  • 1篇陈玲
  • 1篇杨大祥

传媒

  • 1篇新技术新工艺
  • 1篇化学进展
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
纳米多孔SiO_2薄膜的制备与红外光谱研究被引量：26
2005年
以正硅酸乙酯为原料, 采用溶胶-凝胶法, 结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜. XRD表明薄膜为无定形态; SEM显示薄膜具有多孔网络结构, 其SiO2粒子直径为10～20 nm. 利用FTIR研究了薄膜的结构, 纳米多孔SiO2薄膜含有Si-O-Si与Si-OR结构, 呈疏水性; 该SiO2薄膜热处理后因含有Si-OH基团而呈吸水性; 用三甲基氯硅烷对热处理SiO2薄膜进行修饰可使其呈疏水性, 修饰后的薄膜在N2中温度不高于450 ℃可保持其疏水性与多孔结构.
王娟张长瑞冯坚杨大祥
关键词：纳米多孔SIO2薄膜三甲基氯硅烷溶胶-凝胶红外光谱
低介电常数介质薄膜的研究进展被引量：9
2005年
用低介电常数介质薄膜作金属线间和层间介质可以降低超大规模集成电路(ULSI)的互连延迟、串扰和能耗。从介质极化的原理出发,揭示了开发低介电常数介质薄膜的可能途径;综述了低介电常数介质薄膜的制备方法、结构与性能表征、工艺兼容性等领域的最新进展。
王娟张长瑞冯坚
关键词：多孔薄膜
SiO_2气凝胶薄膜的介电性能被引量：3
2008年
采用MIS结构测量了SiO2气凝胶薄膜的介电性能,其介电常数可低于2.5。验正了薄膜的介电常数与孔洞率或折射率的计算公式;探讨了SiO2气凝胶薄膜的介电色散行为和介电极化机制,指出了薄膜的低介电常数是其纳米多孔结构和疏水性能共同作用的结果。
王娟陈玲徐建国冯坚
关键词：低介电常数介电性能折射率
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