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用“阈值电流”评估FLASH存储器件可靠性: 2006年; 本文针对小功率、低功耗的FLASH存储器件“小阈值电压窗口”的特点,提出了用“阈值电流”作为读取位线的参考电流。研究了“大阈值电压窗口”的ETOXTMFLASH和“小阈值电压窗口”的SONOSFLASH存储器件读取电流和阈值电流的退化,论证了用阈值电流对各种阈值电压窗口的FLASH器件读取性能可靠性进行评估的可行性。; 石凯许铭真谭长华; 关键词：FLASH 阈值电流存储器件 SONOS 参考电流

超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制被引量：15: 2005年; 研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowler-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0·936eV,远小于Si/SiO2界面的势垒高度3·15eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界面量子化能级上的电子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能级和电子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐渐降低.; 王彦刚许铭真谭长华段小蓉; 关键词：超薄栅氧化层 N-MOSFET 导电机制软击穿 SI/SIO2 栅电流

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国家重点基础研究发展计划(TG2000-036503)