上海-AM基金(0304)
- 作品数：5 被引量：26H指数：4
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- 脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能的影响被引量：7
- 2007年
- 针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲时间和关断时间对铜互连薄膜电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,占空比较小时,镀层电阻率较大,晶粒直径较小。脉冲时间选择在毫秒数量级,占空比选择在40%～60%之间容易获得较小电阻率和较大晶粒尺寸的铜薄膜。
- 徐赛生曾磊张立锋张炜张卫汪礼康
- 关键词：铜互连脉冲电镀电阻率晶粒尺寸表面粗糙度
- 集成电路Cu互连线的XRD研究被引量：6
- 2008年
- 对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能。
- 徐赛生曾磊张立锋顾晓清张卫汪礼康
- 关键词：铜互连X射线衍射添加剂
- 直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较被引量：4
- 2008年
- 针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和晶粒密度较大,而直流电镀所得镀层(111)晶面的择优程度优于脉冲。在超大规模集成电路Cu互连技术中,脉冲电镀将有良好的研究应用前景。
- 徐赛生曾磊张立锋张卫汪礼康
- 关键词：CU互连脉冲电镀直流电镀
- 集成电路铜互连线脉冲电镀研究被引量：10
- 2006年
- 针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲电流密度对铜互连线电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,2～4A/dm2电流密度下的铜镀层拥有较小电阻率、较小的表面粗糙度和较大的晶粒尺寸。
- 曾磊徐赛生张立锋张玮张卫汪礼康
- 关键词：铜互连脉冲电镀电阻率X射线衍射
- 一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路被引量：1
- 2005年
- 提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真.该电路采用了0.13μm1.2V/2.5VCMOS工艺,HSPICE的仿真结果表明该栅增压电路适用于高速低电压开关电容电路.
- 张剑云李建郭亚炜沈泊张卫
- 关键词：开关电容电路导通电阻MOS开关
