江苏省自然科学基金(BK2005210)
- 作品数：15 被引量：38H指数：3
- 相关作者：谢自力韩平张荣刘斌郑有炓更多>>
- 相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室中国科学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 生长温度对AlGaInN的MOCVD生长的影响
- ＜正＞利用有机物化学气相沉积外延（MOCVD）的方法在 c 面氮化镓（GaN）支撑层上外延生长铝镓铟氮（AlGaInN）四元合金。高分辨 x 射线衍射（HRXRD）分析表明随着生长温度提高 AlGaInN 的晶体质量提高...
- 刘启佳张荣谢自力刘斌徐峰聂超郑有炓
- 关键词：MOCVDHRXRDCL
- 文献传递
- InN薄膜的退火特性被引量：3
- 2006年
- 对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.
- 谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌濮林陈敦军韩平顾书林江若琏朱顺明赵红施毅郑有炓
- 关键词：INN热退火扫描电子显微镜X射线光电子谱
- 4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
- 研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的（0001）Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的S...
- 陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平
- 关键词：4H-SIC肖特基二极管势垒高度
- 文献传递
- 高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度被引量：3
- 2008年
- 应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构。测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态。由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍射谱以及小角反射谱获得多量子阱的一个周期的厚度,GaN层和InGaN层的厚度比。最后通过X射线动力学拟合的方法从(002)面的ω/2θ三轴衍射谱获得In的精确含量是25.5%,InGaN势阱层的精确厚度是1.67nm,GaN阻挡层的精确厚度是22.80nm。
- 李弋刘斌谢自力张荣修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱X射线衍射
- AlxGa1-xN/AIN超晶格材料的结构和光学特性
- 随着三族氮化物(AlN,GaN,InN)在蓝绿光和紫外光电子器件领域的广泛应用,垂直共振腔结构被用来提高器件的量子效率。高反射率的 GaN 基分布式布拉格反射镜 (Distributed Bragg Reflctors)...
- 谢自力张荣江若琏刘斌姬小利龚海梅赵红修向前韩平施毅郑有炓
- 文献传递
- MOCVD生长的全组分InGaN材料被引量：2
- 2009年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在C面蓝宝石衬底上制备了全组分InGaN薄膜,通过改变生长温度和In/Ga比例成功调控了InGaN合金组分和带隙宽度。利用不同的物理表征手段系统研究了InGaN薄膜的晶体结构和光电学性质,XRD和Hall等测试结果表明:富Ga的InGaN薄膜具有较好的晶体质量,背景电子浓度基本均比富In的InGaN低一个数量级。同时,结合光致发光谱和光学透射谱研究了InGaN合金带隙随In组分的变化关系。
- 徐峰吴真龙邵勇徐洲刘启佳刘斌谢自力陈鹏
- 关键词：INGANX射线衍射原子力显微镜X射线光电子能谱喇曼散射
- MOCVD制备InN薄膜的光学性质被引量：1
- 2007年
- 利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段,对采用金属有机物气相沉积法(MOCVD)制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究.吸收光谱和光致发光谱的结果清晰地证明了高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.68eV,接近于现阶段主要报道值0.7eV.喇曼散射光谱实验说明窄光学带隙主要源于较低的背景电子浓度.利用椭圆偏振光谱不仅得到了纤锌矿InN临界点跃迁能量的值E0,同时首次得到了在0.65～4.0eV能量范围内复折射率实部n,虚部k的色散曲线.
- 孔洁莹张荣刘斌谢自力张勇修向前郑有炓
- 关键词：氮化铟吸收光谱光致发光谱椭圆偏振光谱
- InN薄膜MOCVD生长初期成核研究与应力分析
- ＜正＞本文系统研究了利用金属有机化学气相沉积生长非故意掺杂 InN 薄膜的初期成核与应力变化过程。InN 生长采用宝石衬底,控制 GaN 缓冲层上 InN 外延层生长时间,以得到处于不同生长阶段的样品。通过表面形貌与扫描...
- 张曾张荣谢自力刘斌修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓
- 文献传递
- MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质
- 高质量的 InN 材料的带隙宽度在0．7 eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物 (InN、GaN、AlN)及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金(InGaN,...
- 谢自力张荣江若琏修向前刘斌赵红朱顺民韩平施毅顾书林郑有炓
- 文献传递
- 4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响被引量：2
- 2008年
- 研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度=0.87eV,击穿电压在650V。
- 陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平
- 关键词：4H-SIC肖特基二极管势垒高度
