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国家自然科学基金(60176023)

作品数:3 被引量:7H指数:2
相关作者:周帆王圩朱洪亮赵谦潘教青更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇INGAAS...
  • 1篇大应变
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇反馈激光器
  • 1篇分布反馈激光...
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  • 1篇DFB_LA...
  • 1篇LOSS
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  • 1篇MOCVD
  • 1篇波长
  • 1篇长波
  • 1篇长波长
  • 1篇MICROW...
  • 1篇HIGH-R...

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇朱洪亮
  • 3篇王圩
  • 3篇周帆
  • 2篇王鲁峰
  • 2篇王宝军
  • 2篇潘教青
  • 2篇赵谦
  • 2篇赵玲娟
  • 1篇谢红云
  • 1篇杨华
  • 1篇丁颖

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备被引量:5
2006年
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1·6—1·7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1·66μm和1·74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1·74μm激光器的特征温度T0=57K,和1·55μmInGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
潘教青赵谦朱洪亮赵玲娟丁颖王宝军周帆王鲁峰王圩
关键词:MOCVDINGAAS/INGAASP应变量子阱分布反馈激光器
Low-Microwave Loss Coplanar Waveguides Fabricated on High-Resistivity Silicon Substrate被引量:1
2006年
Three kinds of coplanar waveguides (CPWs) are designed and fabricated on different silicon substrates---common low-resistivity silicon substrate (LRS), LRS with a 3μm-thick silicon oxide interlayer, and high-resistivity silicon (HRS) substrate. The results show that the microwave loss of a CPW on LRS is too high to be used, but it can be greatly reduced by adding a thick interlayer of silicon oxide between the CPW transmission lines and the LRS.A CPW directly on HRS shows a loss lower than 2dB/cm in the range of 0-26GHz and the process is simple,so HRS is a more suitable CPW substrate.
杨华朱洪亮谢红云赵玲娟周帆王圩
Compressively Strained InGaAs/InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74μm被引量:2
2005年
The compressively strained InGaAs/InGaAsP quantum well distributed feedback laser with ridge-wave- guide is fabricated at 1.74μm. It is grown by low-pressure metal organic chemical vapor deposition(MOCVD). A strain buffer layer is used to avoid indium segregation. The threshold current of the device uncoated with length of 300μm is 11.5mA. The maximum output power is 14mW at 100mA. A side mode suppression ratio of 35.5dB is obtained.
潘教青王圩朱洪亮赵谦王宝军周帆王鲁峰
共1页<1>
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