您的位置: 专家智库 > >

武汉市科技计划项目(2013010501010137)

作品数:3 被引量:13H指数:2
相关作者:周静陈文沈杰刘韩星魏宾更多>>
相关机构:武汉理工大学更多>>
发文基金:武汉市科技计划项目国家自然科学基金湖北省科技计划项目更多>>
相关领域:理学化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电性能
  • 1篇电子结构
  • 1篇陶瓷
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电性
  • 1篇铁电性能
  • 1篇凝胶法
  • 1篇子结构
  • 1篇微波介质
  • 1篇微波介质陶瓷
  • 1篇温度稳定性
  • 1篇谐振频率
  • 1篇介质陶瓷
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇NB

机构

  • 3篇武汉理工大学

作者

  • 3篇周静
  • 2篇刘韩星
  • 2篇沈杰
  • 2篇陈文
  • 1篇杨文才
  • 1篇石国强
  • 1篇祁琰媛
  • 1篇魏宾
  • 1篇吴智
  • 1篇秦霞

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
钽镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅铁电薄膜性能的影响被引量:2
2015年
采用溶胶–凝胶工艺在Pt/Ti/Si O2/Si基片上,通过引入钽镁酸钡[Ba(Mg1/3Ta2/3)O3,BMT]缓冲层,制备了锆钛酸铅[Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT]铁电薄膜。研究了BMT缓冲层对PZT铁电薄膜结晶和性能的影响。结果表明:引入BMT缓冲层利于PZT薄膜的生长;PZT薄膜具有钙钛矿结构,且没有裂纹、结晶良好、致密性好;缓冲层的厚度对PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性能有重要影响。随BMT缓冲层厚度增加,PZT晶粒增大,介电损耗tanδ逐渐减少,介电常数εr和剩余极化强度Pr先增大后减少,矫顽场Ec先减少后增大。当BMT缓冲层厚约为10 nm时,PZT薄膜具有最优的铁电性能:εr=1 850,Pr=20.2μC/cm2,Ec=43.9 k V/mm。这与BMT与PZT具有相似的晶格常数、较小的晶格失配度和相近的禁带宽度有关。
梁雄毅吴智秦霞周静祁琰媛
关键词:缓冲层铁电性能
Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3电子结构第一性原理计算及光学性能研究被引量:6
2015年
Ba(Mg1/3Nb2/3)O3(BMN)复合钙钛矿陶瓷具有高介电常数和高品质因子等介电性能,预示了其在光学领域的应用前景.本文采用第一性原理方法计算了BMN的电子结构,对其本征光学性能进行分析和预测.对固相合成六方相BMN的XRD测试结果进行Rietveld精修(加权方差因子Rwp=6.73%,方差因子Rp=5.05%),在此基础上建立晶体结构模型并对其进行几何优化.运用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势方法,对六方相BMN晶体模型的能带、态密度和光学性质进行理论计算.结果表明BMN的能带结构为间接带隙,禁带宽度Eg=2.728 e V.Mg-O和Ba-O以离子键结合为主,Nb-O以共价键结合为主,费米面附近的能带主要由O-2p和Nb-4d态电子占据,形成了d-p轨道杂化.修正带隙后,计算了BMN沿[100]和[001]方向上的复介电函数、吸收系数和反射率等光学性质.结果表明,BMN近乎光学各向同性,在可见光区,其本征透过率为77%
沈杰魏宾周静Shen Shirley Zhiqi薛广杰刘韩星陈文
关键词:电子结构光学性能第一性原理
CaTiO_3基微波介质陶瓷的频率温度稳定性被引量:5
2013年
通过对克劳修斯-莫索蒂方程的近似,分析了钙钛矿结构微波介质陶瓷频率温度系数(τf)的主要影响因素,发现改变材料介电响应中离子位移极化和电子位移极化的比例,可调节频率温度系数的正负与大小.通过电子结构计算和容忍因子分析,预测引入(Zn1/3Nb2/3)4+对具有正温度系数的CaTiO3进行B位取代将提高材料电子极化响应比例,调节τf由正变负.采用偏铌酸盐为前驱体,通过固相反应法合成了Ca[(Zn1/3Nb2/3)xTi(1-x)]O3钙钛矿结构陶瓷,并对其进行结构分析和性能测试,实验结果与理论分析一致,获得了具有近零频率温度系数的Ca[(Zn1/3Nb2/3)0.7Ti0.3]O3介质陶瓷材料.
沈杰周静石国强杨文才刘韩星陈文
共1页<1>
聚类工具0