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国家自然科学基金(60475018)

作品数：42 被引量：165H指数：6
相关作者：王志华李冬梅池保勇张春李永明更多>>
相关机构：清华大学北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 41篇中文期刊文章

领域

  • 40篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 13篇低功耗
  • 13篇功耗
  • 12篇CMOS
  • 10篇英文
  • 6篇电路
  • 6篇转换器
  • 5篇振荡器
  • 4篇带隙基准
  • 4篇带隙基准源
  • 4篇基准源
  • 4篇A/D
  • 4篇A/D转换
  • 4篇A/D转换器
  • 3篇电流模
  • 3篇电源
  • 3篇压控
  • 3篇压控振荡器
  • 3篇射频
  • 3篇锁相
  • 3篇锁相环

机构

  • 38篇清华大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 28篇王志华
  • 10篇李冬梅
  • 8篇池保勇
  • 7篇张春
  • 6篇李永明
  • 6篇陈弘毅
  • 5篇贾晨
  • 5篇陈虹
  • 4篇刘鸣
  • 3篇幸新鹏
  • 3篇姚金科
  • 3篇孙彤
  • 3篇韩书光
  • 3篇李福乐
  • 3篇张利
  • 2篇姜汉钧
  • 2篇麦宋平
  • 2篇陈新凯
  • 2篇刘力源
  • 2篇张晓昱

传媒

  • 18篇Journa...
  • 10篇微电子学
  • 5篇清华大学学报...
  • 3篇半导体技术
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇High T...
  • 1篇Tsingh...

年份

  • 1篇2010
  • 7篇2009
  • 12篇2008
  • 10篇2007
  • 7篇2006
  • 4篇2005
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种低功耗高动态范围的915MHz无源射频标签被引量：2
2007年
设计了一种适用于NCITS-256-1999协议的915MHz无源射频只读标签.芯片具有低功耗、高动态范围的特点.1.6V电源电压下模拟前端的静态工作电流为1.6μA,芯片正常工作所需要的最小射频信号输入功率为45μW.芯片在0.18μm CMOS工艺下流片验证,测试结果表明,芯片能够很好地满足设计要求.
白蓉蓉李永明张春王志华
关键词：RFID无源标签低功耗高动态范围
具有自动振幅控制的CMOS压控振荡器被引量：4
2006年
调频范围是压控振荡器的一个重要的性能指标,当调频范围增大时,振荡器的振幅会随着频率的不同而改变。为了保证压控振荡器在调频范围内振幅恒定,提出了一种新型的自动振幅控制的电路结构。自动振幅控制电路由峰值检测、比较器和低通滤波器几部分构成,自动振幅控制电路与压控振荡器组成的反馈环路控制压控振荡器的输出恒定。电路采用标准的0.35μm CM O S工艺流片并进行测试。测试结果表明:压控振荡器的调频范围为18.2MH z^24.3MH z,达到了28.7%,自动振幅控制电路保证压控振荡器的振幅变化仅为8.7%。
张利吴恩德王志华陈弘毅
关键词：压控振荡器
2.4GHz零中频接收机中正交相位的自校准设计(英文)被引量：1
2006年
提出了实现在一个2.4GHz零中频接收机中的一种正交相位自校准方法.这种方法基于一个采用提出的正交相位检测器的延迟锁定环路来大大减小正交相位误差.该接收机采用0.18μmCMOS工艺实现.测试结果显示正交相位误差可以被校准到1°以内,满足了系统的要求.
刘瑞峰李永明陈弘毅王志华
关键词：零中频接收机CMOS工艺
采用CMOS E类放大器实现功率控制的方法被引量：2
2007年
针对手持式无线通信产品对低成本、高效率收发机的需求，提出了一种将并联放大结构和放大器电源漏端调制相结合的功率控制方法。结合射频E类功率放大器的结构特点，采用CMOS工艺，达到了在大的输出功率范围内保持持续稳定高效率的目的。在设计中采用1／4波长传输线实现了大范围的功率联合与控制，而小范围的输出功率调节则通过改变E类功放的漏端电源电压完成。仿真结果表明：理想情况下当输出功率在140～700mW范围内变化时，联合放大器的功率增加效率均可保持在41％以上，最高可以达到47．9％。
高同强池保勇王志华
关键词：E类功率放大器功率控制传输线
基于开关运放的低功耗逐次逼近ADC设计被引量：1
2008年
基于UMC 0.18混合信号工艺,设计了一种低功耗逐次逼近ADC,重点考虑了功耗的优化和电路的改进,采用了开关运放技术,降低了传统缓冲器30%左右的能量消耗,同时比较器低功耗的设计也使该ADC节能的优点更加突出,同时比较器采用了失调校准技术,这样就能够满足10 bit精度的要求。在电源电压1.8 V、采样频率100 kHz的条件下,仿真得到该逐次逼近ADC信噪比为61.66 dB,而静态功耗仅为26μW。该设计的芯片版图面积为1 mm×1 mm。
乔峻石李冬梅
关键词：开关运放
基于0.18μm CMOS工艺8bit/150MHz折叠插值ADC被引量：1
2007年
折叠插值模数转换器的转换速度快,可实现并行一步转换,但由于受到面积、功耗以及CMOS工艺线性度和增益的限制,其精度较低。提出了一种电流模均衡电路,能够有效地消除折叠电路中的共模影响,提高折叠电路增益及线性度,从而提高电路的转换精度。应用此技术,设计了一款折叠插值A/D转换器,工作电压为3.3 V,采样时钟为150 MHz,并通过0.18μmCMOS工艺实现,版图总面积为0.22 mm2。
周蕾李冬梅
关键词：插值模数转换器电流模
用于RFID标签的自适应低压电流模ASK解调器(英文)被引量：1
2009年
针对RFID标签低压工作的要求,设计了一种自适应电流模ASK解调器。通过把电压信号转换为电流信号、采用两级电流峰值保持技术以及泄漏电路等技术提高了解调器的动态检测性能。解调器的工作电源电压为0.6~1.8 V,能对输入载波幅度为250 mV^1.1 V,调制深度为20%~100%的信号进行正确解调。电源电压为1.8 V时,解调器的动态检测范围从80 nA到3.96μA。电路采用0.18μm CMOS工艺设计并实现。
刘伟李永明张春王志华
关键词：RFID低压
一种适用于UHF频段无源RFID应用的低功耗电源恢复和OOK解调技术被引量：4
2009年
本文提出一种与普通CMOS工艺兼容的、适用于UHF频段无源RFID应用的低功耗电源恢复电路和一种新型OOK解调技术。该解调技术具有结构简单、功耗低、易于集成、适应大动态范围等特点。芯片采用0.18μm CMOS工艺进行设计,测试结果表明在电源电路负载为510kΩ时,恢复出的芯片电源电压为1.6V^2.0V;在发射功率为4W EIRP的条件下,可以在3.7m的距离下正常工作。
马长明张春李永明王志华
关键词：低功耗CMOSAC/DC
一个新型CMOS电流模带隙基准源(英文)被引量：8
2008年
介绍了一个新型电流模带隙基准源,该带隙基准源的输出基准可以设计为任意大于硅材料的带隙电压(1.25V)的电压,避免在应用中使用运算放大器进行基准电压放大.同时该结构消除了传统电流模带隙基准源的系统失调.该带隙基准源已通过UMC0.18μm混合信号工艺验证.在1.6V电源电压下,该带隙基准源输出1.45V的基准电压,同时消耗27μA的电流.在不采用曲率补偿的情况下,输出基准的温度系数在30℃到150℃的温度范围内可以达到23ppm/℃.在电源电压从1.6变化到3V的情况下,带隙基准源的输入电压调整率为2.1mV/ V.该带隙基准源在低频(10Hz)的电源电压抑制比为40dB.芯片面积(不包括Pads)为0.088mm2.
幸新鹏李冬梅王志华
关键词：CMOS带隙基准源电流模
一个电压接近1V10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源(英文)被引量：8
2008年
介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在电源电压为1.1V时,电源电流为43μA,低频的PSRR为55dB.该带隙基准源已通过UMC0.18μm混合信号工艺验证,芯片面积为0.186mm2.
幸新鹏李冬梅王志华
关键词：CMOS带隙基准源低电源电压曲率补偿
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