国家自然科学基金(50072029)
- 作品数：8 被引量：39H指数：5
- 相关作者：王维彪雷达梁静秋夏玉学张传平更多>>
- 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林大学沈阳师范大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 外延法生长金刚石薄膜场发射特性研究被引量：7
- 2009年
- 研究了外延法生长金刚石薄膜的场发射特性.金刚石薄膜用热丝CVD法生长,甲烷与氢气比例为2.5%,生长于事先电泳沉积在硅衬底的金刚石微晶上.实验数据的计算结果表明:金刚石薄膜的阈值电压为1.8V/μm,有效功函数降低为纯金刚石颗粒的0.11倍.通过SEM、XRD和Raman等手段表征了金刚石薄膜的结构,并对其场发射机制作出理论分析.
- 刘丽丽邓玉福
- 关键词：场发射金刚石外延法非晶碳
- 带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究被引量：8
- 2007年
- 场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k11/2(N^2.(L-d_1)~2+[1/k_1+(L-d_1)]~2),且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d1表示阴极与栅极间距.
- 雷达曾乐勇夏玉学陈松梁静秋王维彪
- 关键词：纳米线冷阴极场发射
- 栅极调制纳米线的场增强因子计算被引量：2
- 2009年
- 利用悬浮球模型和镜像电荷法计算了栅极调制纳米线的顶端表面电场,给出了场发射增强因子表达式β=1/2(3.5+L/r0+W),式中L与r0分别是纳米线长度与顶端表面曲率半径,W是由栅孔半径R、阴极与栅极间距d以及纳米线自身几何参数所决定的函数.结果表明,纳米线长径比对场增强因子的影响很显著;当阴极与栅极间距较近时,场增强因子随d的增加而减小,而当栅极处于无穷远时,纳米线场增强因子的表示式变成β0=3.5+L/r0;栅孔半径越小,场增强因子就越大,当栅孔半径趋于零时,场增强因子为β=β0+1.202(L/d)3.
- 雷达王维彪曾乐勇梁静秋
- 外延纳米金刚石膜及其场发射特性被引量：10
- 2003年
- 研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性。采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝CVD方法在纳米金刚石微晶薄膜上再外延生长一层含非晶碳金刚石薄膜。用Raman光谱研究了外延纳米金刚石薄膜的结构并在高真空条件下研究了其场发射特性。
- 王维彪顾长志纪红彭红艳赵海峰张传平
- 关键词：场发射特性
- 无氢化学气相沉积法制备碳纳米管被引量：5
- 2005年
- 采用无氢的化学气相沉积法(CVD)进行碳纳米管的制备技术研究,并成功地制备了φ20～φ80nm左右,长度为50～100μm左右的碳纳米管.通过改变气体的流量等影响因素实现了定向碳纳米管薄膜和多层碳纳米管薄膜以及其它各种形态的碳纳米管的制备.采用微区Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等方法对产物的形貌和结构进行了表征,结果表明采用无氢CVD法可以制备出多种形态的碳纳米管.
- 夏玉学王维彪陈明梁静秋雷达陈松刘丽丽姜锦秀
- 关键词：碳纳米管催化剂
- 纳米石墨晶薄膜的场发射特性被引量：5
- 2002年
- 研究了纳米石墨晶的场发射特性。介绍了纳米石墨晶薄膜的制备方法,通过扫描电镜和Raman光谱对纳米石墨晶的结构进行了分析。场发射特性测试表明纳米石墨晶薄膜的场发射阈值电场为1.8V/μm。根据实验结果计算出纳米石墨晶的有效功函数在0.75～1.62eV之间。研究表明纳米石墨晶薄膜具有一些独到的特点,也非常适合场发射显示用冷阴极的制备。
- 王维彪彭红艳张传平
- 关键词：场发射特性阈值
- Optial properties of align carbon nanotubes film
- ＜正＞ The optical properties of carbon nanotubes are studied. Align carbon nanotubes films were synthesized by c...
- 王维彪夏玉学陈明梁静秋刘丽丽陈松雷达
- 文献传递
- 一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算
- 2014年
- 建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场叠加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子。在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响。分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大。除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小。
- 雷达孟根其其格梁静秋王维彪
- 关键词：碳纳米管阵列
- 碳纳米带的合成及场致电子发射被引量：4
- 2004年
- 介绍了液相合成的碳纳米带的场致电子发射特性,探索其在场发射中的应用。碳纳米带的合成采用电化学液相合成的方法在硅衬底上制备而成。通过扫描电镜和Raman光谱对碳纳米带的结构进行了分析。场发射特性测试结果表明,碳纳米带膜的场发射阈值电场为2.5V/μm。研究表明碳纳米带具有一些独到的特点,也非常适合场发射显示用冷阴极的制备。研究纳米石墨带薄膜的场发射特性对其在场发射显示器件和其他真空微电子器件中的应用有重要的意义。
- 王维彪夏玉学陈明徐迈
- 关键词：场发射
