西安工业大学校长基金(XAGDXJJ1002)
- 作品数：7 被引量：16H指数：3
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- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目西安工业大学校长基金国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 非制冷红外焦平面阵列读出电路的BCB牺牲层接触平坦化(英文)被引量：1
- 2012年
- 研究了一种基于BCB材料的牺牲层接触平坦化技术,用于红外焦平面阵列Post CMOS工艺之前对读出电路表面的平坦化,以利于微测辐射热计微桥阵列与读出电路的集成。利用该方法成功将2μm的电路表面突起,平坦化为表面起伏56 nm的平面,可替代会给器件带来颗粒和损伤的化学机械抛光(CMP)技术。并在该平坦层上方成功进行了非晶硅敏感薄膜的沉积、微桥结构的图形化以及同时作为牺牲层的BCB的释放。通过实验研究了BCB膜层的厚度与转速、固化温度的关系,实验发现BCB的收缩率随温度小范围变化,约为30%。研究了BCB的等离子刻蚀特性,表明该材料适合用等离子刻蚀的方法进行接触孔的刻蚀和牺牲层释放。最后,利用BCB牺牲层接触平坦化技术成功地在读出电路(ROIC)芯片上制作了160×120面阵的非制冷红外焦平面阵列。
- 刘欢刘卫国周顺蔡长龙
- 关键词：BCBROIC平坦化等离子刻蚀
- 用于SAW器件制造的键合减薄技术被引量：3
- 2013年
- 铌酸锂(LiNbO3)作为一种压电材料,常被用于声表面波(SAW)器件的压电层,通常LiNbO3晶片厚度为500μm,而实际上压电层的有效利用厚度为λ～2λ(λ为声表面波波长)。为能实现SAW器件的高度集成化,需用键合减薄及抛光技术对LiNbO3进行加工处理。用粒径100nm的SiO2抛光液对减薄后的铌酸锂晶体样品进行化学机械抛光,研究了抛光垫、抛光盘转速、压力及抛光时间对抛光过程的影响。抛光结果表明最佳抛光工艺参数是:采用阻尼布抛光盘,100nm的SiO2抛光液,转速为120r/min,压力为3.9N,抛光时间为40min。经测试样品厚度为80μm,样品的最小粗糙度Ra=0.468nm,Rq=0.593nm(Ra为算术平均粗糙度,Rq为均方根粗糙度)。
- 程进刘卫国刘欢郭伟进
- 关键词：抛光
- 不同离子束参数诱导单晶硅纳米微结构与光学性能被引量：6
- 2013年
- 使用微波回旋共振离子源，研究了低能Ar＋离子束正入射时不同离子柬能量和束流密度对单晶硅（100）表面的刻蚀效果及光学性能。结果表明，当离子柬能量为1000eV，束流密度为88-310μA／cm2时，样品表面出现自组装纳米点状结构，且随着离子柬流密度增加排列紧密而有序；粗糙度呈现先减小后迅速增大的趋势，在160~A／cm2附近达到极小值；刻蚀后，近红外波段内平均透过率由53％提高到57％以上，且随着纳米自组装结构有序性的提高而增大。当束流密度为270μA／cm2，能量为500～l500eV时。样品表面出现纳米点状结构，且随着离子束能量的增加趋于密集有序；粗糙度呈现先缓慢增加，在l100ev附近达到极大值，之后粗糙度迅速下降；刻蚀后样品透过率明显提高，且平均透过率随着点状结构有序性的提高而增大；刻蚀速率与离子束能量的平方成正比。自组织纳米结构的转变是溅射粗糙化和表面驰豫机制相互作用的结果。
- 陈智利刘卫国
- 关键词：表面形貌
- 低能离子束诱导Ag表面纳米金字塔微结构被引量：3
- 2014年
- 利用离子柬溅射诱导实验方法，在单晶Si（100）基底上辅助沉积银膜，研究了低能Ar＋离子束30。入射时，不同离子束能量和束流密度以及基底温度对Ag纳米结构的影响．结果表明：在较低基底温度下（32～100℃）辅助沉积银膜，膜层表面会呈现排列紧密、晶粒尺寸一致的金字塔状纳米结构．当温度升高时（32～200℃），纳米微结构横向尺寸λ2迅速增加，而粗糙度先减小（32～100℃）后迅速增大（100～200℃）；当离子束能量1400eV、束流密度15～45uA／cm2时，在相同温度下，随着离子束束流密度的增大，纳米晶粒横向尺寸基本不变，粗糙度略有增加；当离子柬流密度为15μA／cm2、能量1000～1800eV时，在相同温度下，随着离子束能量的增加，银纳米结构尺寸增加，而表面粗糙度先增加，然后缓慢减小．自组织纳米结构的转变是溅射粗糙化和表面驰豫机制相互作用的结果．
- 陈智利刘卫国张锦王蒙皎
- 关键词：离子束辅助
- 低能离子束诱导单晶硅点状纳米结构与光学性能研究被引量：5
- 2013年
- 使用微波回旋共振离子源,研究了低能Ar+束在不同入射角度下对旋转单晶硅(100)表面的刻蚀效果及其光学性能。结果表明:样品旋转、离子束能量为1000eV、束流密度为265μA/cm2、刻蚀时间为60min时,在不同入射角度下,刻蚀后的样品表面可形成均匀的自组装点状结构。入射角度为0°～25°时,随着角度增加,样品表面粗糙度增大,点状结构有序性更强,光学透射率提高;继续增加入射角度,样品表面粗糙度及点状结构尺寸开始减小,光学透射率降低;增加入射角度到45$时,自组装点状结构消失,粗糙度和平均光学透射率达到最小值分别为0.83nm和55.05%;进一步增加入射角度,样品表面再次出现自组织装点状结构,表面粗糙度急剧增大,入射角度在65$时,平均光学透射率达到极大值64.59%;此后,随着离子束入射角度的增加,表面粗糙度缓慢减小,光学透射率降低。自组织结构变化是溅射粗糙化和表面弛豫机制相互作用的结果。
- 陈智利刘卫国
- 关键词：表面光学表面形貌
- 低能斜入射离子束诱导单晶硅纳米结构与光学性能研究被引量：2
- 2013年
- 为了研究低能Ar＋离子束在不同入射角度下对单晶硅表面的刻蚀效果及光学性能,使用微波回旋共振离子源,对单晶Si（100）表面进行刻蚀,采用原子力显微镜、非接触式表面测量仪和傅里叶变换红外光谱仪对刻蚀后硅片的表面形貌、粗糙度和光学透过率进行了测量。实验结果表明：当离子束能量为1000 eV、束流密度为265μA.cm-2、刻蚀时间为30 min时,离子束入射角度从0°增加到30°,样品表面出现条纹状结构。入射角度在0°~15°,随着角度增加,样品表面粗糙度增加,条纹周期减小,光学透过率提高;而在15°~30°范围内,随着角度增加,粗糙度开始减小,条纹周期增大,同时光学透过率降低。继续增加入射角度,条纹状结构逐渐消失,入射角度到45°时,粗糙度和光学透过率达到最小值;增加入射角度到55°,样品表面出现自组织点状结构,表面粗糙度急剧增大,光学透过率随着角度增加开始增加;继续增加离子束入射角度到80°,表面粗糙度和光学透过率继续增加,样品表面呈现出均匀有序的自组织柱状结构;此后,随着入射角度的增加,表面粗糙度又开始减小,光学透过率降低。自组织条纹结构到柱状结构的转变是溅射粗糙化和表面驰豫机制相互作用的结果。
- 陈智利刘卫国
- 关键词：表面形貌表面粗糙度
- 低能离子束刻蚀单晶硅表面形貌与粗糙度的研究被引量：3
- 2012年
- 研究了低能Ar+离子束对单晶硅表面的刻蚀效果.使用自制的冷阴极离子源,通过控制离子束的入射能量和刻蚀时间等因素,对单晶硅(100)表面进行刻蚀,采用原子力显微镜(AFM)和非接触式表面测量仪对刻蚀后硅片的表面形貌以及表面粗糙度(RMS)进行测量.实验结果表明:当离子束正入射、束流密度为20μA/cm2、刻蚀时间为30min、刻蚀距离为7cm时,入射能量从800eV增加到1 200eV的过程中,此时表面光滑起主要作用,表面粗糙度逐渐减小;继续增大入射能量到1 600eV时,表面粗糙度开始增大,当入射能量达到1 400eV时,通过AFM观察,硅片表面出现了自组织纳米点状结构,此时表面粗糙起主要作用;延长刻蚀时间同样可以看到粗糙度先减小后增加,延长刻蚀时间到90min,表面的粗糙度达到1.245nm,AFM观察表明,随着时间的增加,由于样片表面原子扩散影响,点状结构排列趋于均匀.
- 陈智利李瑞刘卫国
- 关键词：表面形貌
