中国科学院知识创新工程重要方向项目(KTCX2-SW-W04)
- 作品数：1 被引量：5H指数：1
- 相关作者：张文华刘金峰王科范徐彭寿徐法强更多>>
- 相关机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 一种硅表面化学清洗方法被引量：5
- 2007年
- 本文介绍了一种温和简洁的硅表面化学清洗方法,它主要包括H2SO4∶H2O2溶液清洗和HF:C2H5OH刻蚀两个过程。清洗前后的硅表面用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和反射高能电子衍射(RHEED)等技术进行表征。结果表明,运用此方法能得到平整清洁的Si表面。为了延缓H-Si表面在空气中被氧化的速率和防止杂质污染,我们提出用无水乙醇(C2H5OH)来保护H-Si表面。300℃除气前后XPS的对比结果表明,清洗后的Si表面不存在B,但吸附少量F,以及化学吸附和物理吸附都存在的C和O。根据Si 2p芯能级的同步辐射光电子能谱(SRPES),可以确定Si氧化物薄膜的厚度只有一个单层,经1000℃退火25 min后,XPS和SRPES的结果表明Si表面已经非常清洁,并且出现了两个Si的表面态。
- 王科范刘金峰邹崇文张文华徐彭寿徐法强
- 关键词：硅表面化学清洗光电子能谱
