中国博士后科学基金(20070411137)
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 相关作者：林涛郑凯马骁宇陈治明李连碧更多>>
- 相关机构：西安理工大学中国科学院西北大学更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究
- 2008年
- 采用低压热壁化学气相沉积法,在6H-SiC衬底(0001)面上生长了不同温度(1100—1250℃),不同GeH4流量比(6.3%—25%)的SiCGe薄膜样品,研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化.扫描电镜测试结果表明,SiCGe薄膜在低温下倾向于岛状生长模式,随着生长温度提高,岛状生长逐渐过渡到层状生长模式,同时伴有岛形状和密度的变化.X射线光电子能谱测试得出SiCGe样品中的Ge含量约为0.15%—0.62%,在其他参数不变的情况下,样品的Ge含量随GeH4流量比的增大而升高,随生长温度的降低而升高.此外还定性分析了样品中的反相边界(APB)缺陷.
- 林涛陈治明李佳李连碧李青民蒲红斌
- 关键词：碳化硅化学气相沉积
- 带非吸收窗口的大功率657nm半导体激光器被引量：5
- 2009年
- 在激光器腔面处制作非吸收窗口（NAW）可以有效地减少光吸收，防止激光器过早出现光学灾变损伤（COD），是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术二次外延生长了大功率657nm红光半导体激光器结构，通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口。实验发现扩散温度550℃，扩散时间20min时，得到的非吸收窗口最为有效，激光器连续工作的无扭折输出功率大于100mW，超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍，激光器的斜率效率提高了23％。测量该类器件的温度特性发现，环境温度为20～70℃时，其输出功率均可大于50mW，计算得到激光器的特征温度约为89K，波长增加率约为0.24nm／℃。
- 林涛段玉鹏郑凯崇峰马骁宇
- 关键词：激光器半导体激光器量子阱混杂
- Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂被引量：4
- 2008年
- 杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率。以Zn3As2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验。实验发现,随着扩散时间从20～120min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53nm;当扩散时间超过60min后,样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32nm。分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga0.51In0.49P缓冲层的影响。还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂中的Al-Ga的互扩散系数。
- 林涛郑凯马骁宇
- 关键词：光学材料半导体激光器量子阱混杂蓝移ALGAINP
- 6H-SiC衬底上异质外延3C-SiC薄膜的结构研究被引量：1
- 2008年
- 以SiH4和C3H8为反应源,在1250℃下,采用低压热壁化学气相淀积法在6H-SiC衬底上异质外延生长了3C-SiC薄膜.扫描电镜和原子力显微镜测试结果显示,样品表面光滑、无明显岛状结构物质.剖面透射电镜照片显示SiC外延层致密均匀、界面平整,厚度约为50nm.高分辨透射电镜结果显示,衬底与外延层分别为排列整齐的6H-SiC结构和3C-SiC结构,两者过渡平坦、界面处无其他晶型.选区电子衍射花样标定结果再次说明外延薄膜为闪锌矿结构的3C-SiC,计算的晶格常数为0·4362nm.
- 林涛李青民李连碧杨莺陈治明
- 关键词：碳化硅化学气相沉积透射电子显微镜
