国家自然科学基金(59571016)
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
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- Fe/In_2O_3/Fe多层膜的磁性及巨磁电阻效应
- 2002年
- 采用射频溅射方法成功制备了由过渡族元素Fe和半导体材料In2O3交替生长构成的Fe/In2O3/Fe多层膜。室温下,磁性测量结果表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程;磁电阻比的最大值为2.93%,遵从颗粒膜磁电阻的平方律。上述实验结果表明该多层膜样品具有类似于颗粒膜的结构。
- 黄宝歆王军华张汝贞张林
- 关键词：巨磁电阻效应巨磁电阻效应磁电阻超顺磁性颗粒膜
- 金属/半导体颗粒膜中的特殊磁电阻效应
- 2007年
- 用射频溅射法制备了Fe0.35/(In2O3)0.65颗粒膜。通过磁化率的测量得到铁磁-顺磁态的截止温度为50 K。在10 K冻结温度附近,材料由铁磁态转变为颗粒自旋结团态。在金属-半导体相变温度2.2 K附近得到最大为506%的磁电阻效应,与室温自旋相关隧穿磁电阻效应完全不同,这主要源自于载流子与局域磁无序间的相互作用。外加磁场使颗粒自旋结团取向一致,增加了电子在团簇间跳跃时的迁移率,可产生显著的磁电阻效应。
- 黄宝歆王军华张林刘宜华梅良模
- 关键词：颗粒膜磁电阻效应
- 制备条件和退火处理对Fe_x/(In_2O_3)_(1-x)颗粒膜结构、磁性及巨磁电阻的影响
- 2003年
- 用射频溅射法成功制备了金属/半导体型颗粒膜Fex(In2O3)1-x。实验结果表明样品的微结构、磁性和巨磁电阻效应受制备条件(如本底真空度、衬底温度、溅射电压等)以及热退火处理的强烈影响。较高的衬底温度有利于基体In2O3的晶化和Fe颗粒的成长。适当的热退火能促使Fe颗粒生长,使晶格畸变减小,从而改善膜的微结构。室温下,磁性测量表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程。高温退火后,颗粒的大小已超过单畴粒子的临界尺寸,引起矫顽力下降。
- 黄宝歆刘宜华王军华张林张汝贞梅良模
- 关键词：微结构超顺磁性巨磁电阻退火
- Fe_x(In_2O_3)_(1-x)颗粒膜磁性的研究被引量：1
- 1999年
- 报道了“铁磁金属-半导体基体”Fe_x(In_2O_3)_(1-x)颗粒膜的磁性研究。根据低场磁化率X(T)温度关系和不同温度下的磁滞回线研究表明:膜中的Fe颗粒有大小不同的两种尺度,随温度降低,颗粒膜的磁特性由超顺磁态转变为超顺磁和铁磁的混磁态,最后在10K变为类反铁磁态;在截止温度以上,其Ms(T)关系符合Bloch的T^(3/2)定律。研究了样品磁性(矫顽力和饱和磁化强度)随铁颗粒尺寸的变化规律;高温磁性测量表明:纳米Fe颗粒所构成的颗粒膜样品的Curie温度T_c明显低于块状铁的数值。探讨了饱和磁化强度和Curie温度随颗粒尺寸变化的原因。
- 张林张连生张汝贞刘宜华张维咸黄宝歆梅良模
- 关键词：颗粒膜磁特性铁磁金属
- 用射频磁控溅射法制备金属/半导体颗粒膜被引量：2
- 2007年
- 用射频磁控溅射法制备了金属/半导体Fex(In2O3)1-x颗粒膜,研究了该系列颗粒膜的微结构和磁性.实验结果表明:纳米尺度的Fe颗粒均匀地分散在非晶态In2O3中.室温下样品具有超顺磁性,符合朗之万方程.
- 黄宝歆
- 关键词：微结构颗粒尺寸超顺磁性
- 纳米Zn_(1-x)Fe_xSe薄膜的制备和结构研究被引量：1
- 2005年
- 采用双源热蒸发方法制备了纳米 Zn1-xFexSe稀释磁性半导体薄膜,根据 X 射线衍射谱和Raman散射谱研究了薄膜的晶体结构和声子谱特征。结果表明:Zn1-xFexSe薄膜中纳米晶粒的晶格常数随Fe含量增加而增大;通过 Raman 散射光谱观察到明显的声子限域效应,与 ZnSe体材料相比,Zn1-xFexSe薄膜同光学声子模对应的 Raman 散射峰表现出宽化和红移;纳米晶粒的晶格膨胀导致 Raman散射峰红移随Fe含量增多而相应加大。
- 张林张连生
- 关键词：纳米晶薄膜晶体结构
