河南省教育厅科学技术研究重点项目(14A510004)
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 相关作者：刘旭焱丁楠肖洁龚婧海静更多>>
- 相关机构：南阳师范学院华中科技大学上海大学更多>>
- 发文基金：河南省教育厅科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 高k栅介质厚度对MOS器件特性影响的数值模拟研究
- 2015年
- 展开了高k栅介质厚度对MOS器件特性影响的数值模拟研究.利用有限元数值分析手段,分析了栅介质厚度对MOS管驱动电流和阈值电压的影响,得到在不同栅介质厚度值情况下对应的输出特性曲线和转移特性曲线以及不同k值下的漏端电流.结果表明,减小栅介质层厚度,MOS管的驱动电流持续增加,阈值电压也显著下降.同时,在一定范围内随着k值的增大MOS管的漏端电流持续增加.
- 刘赐德钱明李心豪丁楠刘旭焱
- 关键词：驱动电流阈值电压
- 纳米尺寸高k/Si_(1-x)Ge_x NMOS场效应管性能的数值模拟研究
- 2015年
- 本文展开了高介电常数(k)栅介质Si_(1-x)Ge_x NMOS场效应管性能的数值模拟研究,基于有限元法,建立了纳米尺寸(栅长=15 nm)NMOS场效应管模型。为了研究栅介质和衬底材料参数变化对器件性能的影响规律,利用数值分析手段,在衬底Si_(1-x)Ge_x中Ge组分x从0到1变化区间,选取不同介电常数的栅介质,且其厚度在一定范围内变化时,综合分析了纳米尺寸NMOS场效应管的转移特性曲线和输出特性曲线。分析表明,在栅介质的k值和厚度一定时,随着衬底中Ge组分x从0逐渐增大增加,器件阈值电压持续减小,直到x为85%时突然变大,而在Ge组分继续增大时,阈值电压又维持减小趋势。为了尽量避免隧穿效应,研究了高k栅介质厚度高于5 nm时的器件特性,结果表明,随着栅介质厚度的减小,器件阈值电压减小,驱动电流则持续增大。
- 刘旭焱刘赐德屈重年海静卢志文黄志祥
- 关键词：硅锗合金高介电常数阈值电压数值模拟
- 氧化还原法制备石墨烯及其表征被引量：1
- 2015年
- 采用氧化还原法制备石墨烯,首先以石墨粉为原料,利用Hummers法先制备了氧化石墨,再使用水合肼还原氧化石墨获得石墨烯.通过SEM和TEM对制备的石墨烯进行表面形貌和结构观察,利用X射线衍射和热重分析进一步确认所制为石墨烯.分析表明,所得石墨烯层数较少,热稳定性比氧化石墨更高.
- 刘赐德丁楠刘旭焱肖洁龚婧
- 关键词：氧化石墨石墨烯氧化还原法
- 绝缘体上全局应变硅晶圆的制备和表征
- 2014年
- 首先使用改良型Ge浓缩法制备了绝缘体上锗硅圆片,然后在超薄弛豫SiGe层上,利用超高真空化学气相沉积法外延了单晶硅薄膜,获得一系列不同厚度的6寸绝缘体上应变硅晶圆。结果表明应变硅薄膜完整、均匀、表面平整且晶体质量良好,获得样品中顶层硅最大应力值达2.22 GPa。应用临界厚度理论对样品厚度和应变值之间的关系进行了分析,发现本实验所得样品在超过临界厚度3倍之后会发生应变弛豫。
- 刘旭焱王爱华崔明月秦怡鲁道邦李根全
- 关键词：应变硅硅薄膜
