通过具体的实例说明目前的静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)人体模型测试标准EIA/JEDEC尚存在一些需要完善的问题。目前的标准EIA/JEDEC中缺少对起始测试电压的规定,导致有些测试直接从千伏(kV)量级的高压开始进行,造成一些设计不良的ESD防护器件在低压发生失效的状况可能被漏检的后果。本文研究对象为一个漏端带N阱镇流电阻(Nwell-ballast)的GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)型ESD防护结构。用Zapmaster对它做人体模型(Human Body Model,HBM)测试,发现从1Kv起测时,能够通过8Kv的高压测试;而从50V起测时,却无法通过350V。TLP测试分析的结果显示此现象确实存在。本文详细剖析了该现象产生的机理,并采用OBIRCH失效分析技术对其进行了佐证。因该问题具有潜在的普遍性,因此提出了对目前业界广泛采用的EIA/JEDEC测试标准进行补充完善的建议。
