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河南省科技攻关计划(102102210405)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：苏建修康仁科宁欣杜家熙陈锡渠更多>>
相关机构：河南科技学院大连理工大学更多>>
发文基金：河南省科技攻关计划河南省教育厅自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇抛光
  • 1篇抛光表面
  • 1篇化学抛光
  • 1篇硅片
  • 1篇非均匀
  • 1篇非均匀性

机构

  • 1篇大连理工大学
  • 1篇河南科技学院

作者

  • 1篇陈锡渠
  • 1篇杜家熙
  • 1篇宁欣
  • 1篇康仁科
  • 1篇苏建修

传媒

  • 1篇超硬材料工程

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅片化学机械抛光表面材料去除非均匀性实验被引量：4
2010年
化学机械抛光技术已成为超大规模集成电路制造中实现硅片全局平面化的实用技术和核心技术。CMP的最大问题之一是硅片材料去除的非均匀性,它是集成电路对硅片表面平坦化需求的一个重要指标。文章提出了硅片表面材料去除非均匀性计算公式,在CP-4实验用抛光机上进行了硅片化学机械抛光实验,并用美国ADE公司生产的WaferCheck-7200型非接触式电容厚度测量设备对单晶硅片的厚度进行高精度检测,经过计算,得出了不同抛光速度下硅片表面材料去除非均匀性的数据,为理解硅片CMP材料去除非均匀性形成机理,进一步揭示硅片CMP材料去除机理提供了理论依据。
苏建修陈锡渠杜家熙宁欣康仁科
关键词：化学抛光非均匀性
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共1页<1>
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