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国家自然科学基金(69736020)

作品数：15 被引量：22H指数：3
相关作者：冯耀兰宋安飞张海鹏魏同立杨国勇更多>>
相关机构：东南大学中华人民共和国工业和信息化部中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 15篇电子电信

主题

  • 6篇半导体
  • 5篇晶体管
  • 4篇SOI
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇电路
  • 3篇金属-氧化物...
  • 3篇绝缘层
  • 3篇绝缘层上硅
  • 3篇半导体场效应...
  • 3篇MOSFET
  • 3篇MOS器件
  • 2篇倒相
  • 2篇倒相器
  • 2篇碳化硅
  • 2篇体硅
  • 2篇迁移率
  • 2篇温度模型
  • 2篇温度特性
  • 2篇解析模型

机构

  • 12篇东南大学
  • 1篇安徽大学
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 9篇冯耀兰
  • 7篇宋安飞
  • 6篇张海鹏
  • 6篇魏同立
  • 3篇杨国勇
  • 2篇樊路加
  • 1篇李晋闽
  • 1篇林兰英
  • 1篇汪沁
  • 1篇罗木昌
  • 1篇张正璠
  • 1篇孙国胜
  • 1篇张海鹏
  • 1篇王雷
  • 1篇陈军宁
  • 1篇罗岚
  • 1篇代月花
  • 1篇朱世荣
  • 1篇柯导明
  • 1篇施雪捷

传媒

  • 7篇固体电子学研...
  • 3篇电子器件
  • 2篇Journa...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇安徽大学学报...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 8篇2001
  • 3篇2000
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
考虑非均匀掺杂衬底对一维MOST模型的修正
2000年
为了控制MOST的阈值电压和减小DIBL效应 ,必须对MOST的沟道进行离子注入。这种非均匀掺杂衬底MOST特性的最常用分析方法是数值模拟 ,但这种方法计算量大 ,不能得到解析模型 ,不适用于电路模拟设计。本文所提出的解析模型与SPICEMOS3模型形式相似 ,但其所有参数都是数值模拟的解析公式。新模型将数值分析与解析方法结合起来 ,具有精度高 ,概念清晰 ,计算量小等优点 ,适用于电路分析程序。
柯导明陈军宁代月花宣长林段运生
关键词：数值模拟MOST集成电路
宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计被引量：5
2001年
在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。
冯耀兰魏同立张海鹏宋安飞罗岚
关键词：集成电路体硅优化设计
宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法被引量：3
2001年
首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 。
冯耀兰宋安飞张海鹏樊路加
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管载流子迁移率
薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究被引量：2
2002年
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )
冯耀兰樊路加宋安飞施雪捷张正璠
关键词：绝缘体上硅金属-氧化物-半导体MOS器件
一种自动体偏置多阈值电压高温SOI CMOS电路被引量：1
2001年
提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果，并简述了该电路的应用前景。
张海鹏魏同立杨国勇冯耀兰宋安飞
关键词：高温
漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT的研究(Ⅰ)——低压截止态泄漏电流的温度特性被引量：4
2001年
提出了一种新结构薄膜 SOI L IGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT( DRT-MC TFSOI L IGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流在 4 2 3～ 573K范围的温度特性。指出 ,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流 ,很高的截止态击穿电压 ,足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出 ,它不仅适用于高温低压应用 ,而且适用于高温高压应用。
张海鹏宋安飞杨国勇冯耀兰魏同立
关键词：横向绝缘栅双极晶体管泄漏电流漂移区LIGBT
TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型被引量：1
2003年
从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFET和 CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础 ,也为设计高温 SOI PMOSFET和 CMOS数字电路提供了一定的理论依据。
张海鹏魏同立宋安飞
关键词：SOIPMOSFET导电机理漏电流二维解析模型
薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析被引量：2
2003年
研究了薄膜全耗尽增强型 SOIMOS器件阈值电压的解析模型 ,并采用计算机模拟 ,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线 ,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合。
冯耀兰杨国勇张海鹏
关键词：MOS器件绝缘层上硅金属-氧化物-半导体阈值电压解析模型
Si(001)衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长
2001年
Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注 ,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程 ,采用LPCVD方法在Si(0 0 1)衬底上生长出了方形 3C -SiC岛 ,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM )观察了SiC岛的形状、尺寸、密度和界面形貌 .结果表明 ,3C -SiC岛生长所需的Si原子来自反应气源 ,衬底上的Si原子不发生迁移或外扩散 。
孙国胜罗木昌王雷朱世荣李晋闽林兰英
关键词：LPCVD半导体材料碳化硅硅衬底异质外延生长
高温SOICMOS倒相器MOSFET组合的研究被引量：3
2000年
在讨论薄膜 SOIMOSFET高温性能和高温应用优越性的基础上 ,以高温应用为目标 ,对适用于高温 SOICMOS倒相器的三种 MOSFET组合结构进行了比较分析 ,最终确定了高温 SOICMOS倒相器的 MOSFET组合结构的选取原则。
宋安飞张海鹏
关键词：SOICMOS倒相器MOSFET
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