国家自然科学基金(60276009)
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
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- 非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷被引量：5
- 2006年
- 用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运动和反应形成胞状结构,该胞状结构的本质就是晶体结晶时形成的小角度晶界,且位错与微缺陷有强烈的相互作用;杂质碳在胞壁、近胞壁和完整区的含量依次降低,存在条纹分布。
- 孙卫忠牛新环王海云刘彩池徐岳生
- 关键词：SI-GAAS微缺陷位错
- PL Mapping技术检测大直径SI-GaAs晶片中缺陷分布被引量：1
- 2006年
- 采用PL Mapping技术,检测6英寸SI-GaAs晶片的均匀性,从而得到样品中的缺陷分布状况。本文主要通过光荧光谱获得样品表面和内部丰富信息,利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷的不均匀分布等特点;对比样品局部发光强度信号和发光峰位的变化曲线图及化学腐蚀图片,进一步讨论由于缺陷而造成的样品均匀性的变化。
- 赵彦桥韩彦辉杨燕萍郝秋艳刘彩池
- 关键词：SI-GAAS光谱分析
- 半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响被引量：1
- 2005年
- 研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响 .随着AB EPD的增大 ,跨导、饱和漏电流变小 ,夹断电压的绝对值也变小 .利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底质量进行了测量 ,结果表明衬底参数好的样品 ,PL参数好 ,相应器件的参数也好 。
- 徐岳生付生辉刘彩池王海云魏欣郝景臣
- 关键词：LECSI-GAAS夹断电压
- LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
- 2004年
- 用AB腐蚀液对SI GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB EPD :10 3～ 10 4 cm- 2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (位错密度EPD :10 4cm- 2 量级 ) ,发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响 ,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响 :低AB EPD的片子跨导大 ;高AB EPD的片子跨导小。AB EPD有一临界值 ,当AB EPD高于此值时 ,跨导陡然下降。另外 ,还利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底进行了测量 ,得出了与上述结果相符的结果。
- 徐岳生付生辉刘彩池王海云魏欣郝景臣
- 关键词：LECSI-GAAS跨导位错PL
- 半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布
- 2004年
- 通过化学腐蚀 (AB腐蚀液 )、金相显微镜观察、透射电镜 (TEM)及能谱分析 (EDX) ,对LEC法生产的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析。其结果表明 :碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系。高密度位错区位错形成胞状结构 ,该结构的胞壁区碳含量高 ,近胞壁区次之 ,剥光区碳含量低于检测限。
- 徐岳生杨新荣郭华锋唐蕾刘彩池王海云魏欣
- 关键词：SI-GAAS位错碳含量能谱分析
- 半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究被引量：8
- 2004年
- 砷化镓 (GaAs)为第二代半导体材料 ,GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM 2 0 0 2透射电子显微镜 (TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪 (EDXA) ,对半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中微缺陷进行了研究。发现SI GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、GaAs多晶颗粒和小位错回线等。还分析了微缺陷的形成机制。
- 王海云张春玲唐蕾刘彩池申玉田徐岳生覃道志
- 关键词：砷化镓SI-GAAS单晶微缺陷
- 大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷
- 2007年
- 利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.
- 赵彦桥刘彩池郝秋艳孙卫忠
- 关键词：SI-GAAS位错微缺陷
