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国家高技术研究发展计划(2012AA052401): 作品数：17 被引量：48H指数：4; 相关作者：夏洋刘邦武刘石勇牛新伟李超波更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所浙江正泰太阳能科技有限公司浙江大学更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>; 相关领域：理学电气工程电子电信动力工程及工程热物理更多>>

原子层沉积方法制备核-壳型纳米材料研究被引量：1: 2013年; 采用原子层沉积方法在碳黑纳米颗粒表面分别沉积Al2O3,ZnO,TiO2和Pt,成功制备出核-壳型纳米材料.通过高分辨率透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪、能谱仪对材料的表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,原子层沉积方法是制备核壳型纳米材料的理想方法.此外,还分析了采用原子层沉积方法沉积不同材料,所生长的薄膜材料有单晶、多晶、非晶等多种存在形式的形成原因.; 李勇李惠琪夏洋刘邦武; 关键词：原子层沉积

PI衬底柔性透明硅薄膜太阳能电池的制备及性能被引量：7: 2015年; 利用硬质玻璃为载板，采用传统硅薄膜太阳能电池生产设备，在聚酰亚胺（PI）塑料薄膜衬底上沉积了B掺杂的ZnO（BZO）薄膜，并以此作为前电极制备了单节电池结构及多节串联一体结构的非晶硅（a-Si）太阳能电池；研究了PI衬底上BZO薄膜的光学及电学性能。结果表明，PI衬底上沉积BZO薄膜后在300~1200 nm波长范围的透光率为76.63%，方块电阻19.7Ω/□。所制备的单节和多节串联一体结构的a-Si薄膜太阳能电池的转化效率分别达到6.45%和5.1%，封装后电池组件具有一定的透光性，透光率约达到30.2%。; 李旺朱登华刘石勇刘路王仕鹏黄海燕牛新伟陆川杜国平; 关键词：ZNO薄膜非晶硅薄膜柔性太阳能电池

光诱导液相沉积Ni/Cu应用于晶硅电池栅线的制备被引量：2: 2014年; 采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni、Cu薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征。结果显示,制备的Cu膜电阻率为1.87×10-8Ω·m,非均匀性为2.64%。此外,将制备的Ni/Cu工艺应用于制备晶硅电池的栅线电极,用I-V测试仪测试电池参数,填充因子高达77.8%。; 宁婕妤刘邦武夏洋李超波

液相沉积法制备的二氧化硅薄膜及其钝化性能被引量：2: 2012年; 采用液相沉积法在硅基底上成功制备了二氧化硅薄膜,利用扫描电子显微镜、光电子能谱和少子寿命测试仪等对二氧化硅薄膜的组织结构和钝化性能进行了研究,结果表明,液相生长的二氧化硅薄膜致密平整,含有少量的F元素;对硅具有较好的减反和钝化作用,平均反射率由28.87%降低至10.88%,表面复合速度由6 923 cm/s降低至2 830 cm/s。; 刘邦武钟思华何静夏洋李超波; 关键词：液相沉积二氧化硅薄膜钝化

原子层沉积制备ZnO薄膜研究进展: 2013年; 随着半导体技术的发展,ZnO作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、载流子漂移饱和速度高和介电常数小等优点,更适合制作蓝光和紫外光的发光器件。与传统的薄膜制备技术相比,原子层沉积技术(ALD)在膜生长方面具有生长温度低、厚度高度可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备ZnO薄膜的主流方法。综述了ALD制备ZnO薄膜的反应机制、生长机制和掺杂方面的研究进展,针对当前ZnO薄膜p型掺杂的难点,指出了V族元素中的大半径原子(磷和砷等)掺杂有可能成为制备高质量、可重复和稳定的p型ZnO的潜力研究点,最后总结和展望了ALD制备ZnO薄膜的应用前景和研究趋势。; 张阳张祥卢维尔李超波夏洋; 关键词：ZNO薄膜

PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备被引量：2: 2015年; 利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构。封装后电池组件的有效发电面积的转化效率达到5.13%,电池的转化效率还存在较大的提升空间。; 李旺刘石勇刘路王仕鹏黄海燕牛新伟陆川; 关键词：非晶硅薄膜太阳能电池

Realization of conformal doping on multicrystalline silicon solar cells and black silicon solar cells by plasma immersion ion implantation被引量：1: 2014年; Emitted multi-crystalline silicon and black silicon solar cells are conformal doped by ion implantation using the plasma immersion ion implantation （PⅢ） technique. The non-uniformity of emitter doping is lower than 5 %. The secondary ion mass spectrometer profile indicates that the PⅢ technique obtained 100-rim shallow emitter and the emitter depth could be impelled by furnace annealing to 220 nm and 330 nm at 850 ℃ with one and two hours, respectively. Furnace annealing at 850 ℃ could effectively electrically activate the dopants in the silicon. The efficiency of the black silicon solar cell is 14.84% higher than that of the mc-silicon solar cell due to more incident light being absorbed.; 沈泽南夏洋刘邦武刘金虎李超波李勇滔

氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响被引量：1: 2016年; 采用低压化学气相沉积(LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化,但BZO薄膜的导电能力却明显提高。Hall测试结果表明:在氢气下退火时载流子浓度基本保持不变,但迁移率却明显提高。实验结果可为进一步提高BZO薄膜的光学电学综合性能提供借鉴。; 李旺唐鹿杜江萍薛飞辛增念罗哲刘石勇; 关键词：ZNO薄膜光学性能载流子浓度

正泰硅基叠层薄膜太阳电池研发与大规模生产新进展: 2012年; 介绍了正泰太阳能在硅基叠层薄膜电池上的主要技术进步,包括TCO优化、新型氧化物掺杂层的引入、弱光效应、温度系数改善等。这些技术进步使得正泰太阳能量产硅基叠层薄膜电池的稳定全面积效率达到10%。此外还讨论了组件的现场能源输出表现,从而展示硅基薄膜技术仍然是光伏产业中一个非常有竞争力的技术路线。; 牛新伟郁操王明华朱鑫程冰戎俊梅刘石勇陈振刘胜芳李琳琳陈晨吴玲王国平冯启异杨立友; 关键词：非晶硅微晶硅叠层电池

黑硅材料的制备及其光学特性被引量：2: 2012年; 采用金催化化学腐蚀和钝化两个过程成功制备了黑硅。利用原子力显微镜、分光光度计、红外光谱仪和光致发光光谱仪分别对黑硅的微观结构、反射率、表面状态和发光性能进行了研究。结果表明:黑硅表面呈现山峰状的微观结构,其平均反射率可低至3.31%。光致发光光谱上出现了3个发光峰,分别由量子限制效应、硅氧烯、杂质和缺陷引起。; 邵长金何静刘邦武夏洋李超波; 关键词：微观结构反射率红外光谱光致发光光谱

国家高技术研究发展计划(2012AA052401)