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AlInGaN/GaN PIN紫外光电探测器的研制被引量：2: 2008年; 用AlInGaN四元合金代替AlGaN作为PIN探测器的有源层,研制出AlInGaNPIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为1.5 V,反向击穿电压大于40 V;室温-5 V偏压下,暗电流为33 pA,350 nm处峰值响应度为0.163 A/W,量子效率为58%。; 黄瑾洪灵愿刘宝林张保平; 关键词：PIN光电探测器紫外光电探测器

In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能被引量：4: 2010年; 利用金属有机物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上通过有源层的变温生长,得到In组分渐变的量子阱结构,从而获得具有三角形能带结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)(简称三角形量子阱结构LED).变温光致发光谱结果表明,相对于传统具有方形能带结构的量子阱LED(简称方形量子阱结构LED),三角形量子阱结构有效提高了量子阱中电子和空穴波函数的空间交叠,从而增加了LED的内量子效率;电致发光谱结果表明,三角形量子阱结构LED器件与传统结构LED器件相比,明显改善了发光峰值波长随着电流的蓝移现象.通过以上的结果比较,三角形量子阱结构LED比传统结构LED具有更高的发光效率.; 朱丽虹蔡加法李晓莹邓彪刘宝林; 关键词：金属有机物化学气相沉积 INGAN/GAN多量子阱发光二极管内量子效率

MOCVD侧向外延生长GaN的研究被引量：1: 2008年; 在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究。SEM观察结果表明,翼区和窗口区宽度比值不同的图形衬底,侧向和纵向的生长速率不同;其AFM表面形貌图像表明,长平的ELO-GaN表面平整,位错密度较低。ELO-GaN的光致发光(PL)谱的带边峰比传统方法生长的GaN的带边峰红移了14.0 meV,表明ELO-GaN的应力得到部分释放,晶体质量提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高,A1(TO)模的出现说明其晶轴取向相对于(0001)方向发生微小的偏移。; 朱丽虹李晓莹刘宝林; 关键词：氮化镓原子力显微镜扫描电子显微镜

GaN基发光二极管的电极优化: ＜正＞由 AlN,GaN,InN 组成的Ⅲ-Ⅴ族氮化物及其合金的直接带隙可以从 InN 的0.7eV 到 AIN 的6.2eV 变化,因此由Ⅲ-Ⅴ族氮化物制备的各种器件的工作波长可以从红光一直延续到紫外波段,且Ⅲ-Ⅴ族氮...; 毛明华尹以安刘宝林张保平; 文献传递

掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究被引量：5: 2004年; 采用光致发光方法研究了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长的掺硅InGaN和掺硅GaN材料的光学性质。在室温下,InGaN材料带边峰位置为437.0nm,半高宽为14.3nm;GaN材料带边峰位置为363.4nm,半高宽为9.5nm。进行变温测量发现,随温度的升高,两种材料的发光强度降低,半高宽增大;GaN材料的带边峰值能量位置出现红移现象,与Varshini公式符合较好;InGaN材料的带边峰值能量位置则出现红移蓝移红移现象,这与InGaN材料的局域态、热效应以及由于电子空穴对的形成而造成的无序程度增加有关,对大于140K的峰值能量位置的红移用Varshini公式拟合,符合较好。; 康凌刘宝林蔡加法潘群峰; 关键词：INGAN GAN 红移蓝移

非平面化型ITO氮化镓基蓝光发光二极管被引量：1: 2007年; 将氧化铟锡(ITO)生长于氮化镓基蓝色发光二极管的出光台面上(p型GaN台面),用非平面化处理的方法制作出ITO井状结构,研制出非平面化型氧化铟锡-氮化镓基蓝色发光二极管(LED),获得了高的出光效率。结果表明,在20 mA工作电流下,该蓝色发光二极管的出光光强是平整的普通ITO-GaN基LED的1.35倍。; 翁斌斌秦丽菲黄瑾尹以安刘宝林张保平; 关键词：发光二极管氮化镓氧化铟锡出光效率

Laser lift-off technique and the re-utilization of GaN-based LED films grown on sapphire substrate被引量：2: 2008年; A thin GaN LED film,grown on 2-inch-diameter sapphire substrates,is separated by laser lift-off. Atom force microscopy (AFM) and the double-crystal X-ray diffraction (XRD) have been employed to characterize the performance of GaN before and after the lift-off process. It is demonstrated that the separation and transfer processes do not alter the crystal quality of the GaN films obviously. InGaN/ GaN multi-quantum-wells (MQW's) structure is grown on the separated sapphire sub-strate later and is compared with that grown on the conventional substrate under the same condition by using PL and XRD spectrum.; HUANG Jin ZHENG Qing-hong LIU Bao-lin; 关键词：激光器 GAN 晶体质量

低p-GaN欧姆接触电阻的研究被引量：4: 2007年; 利用低压MOCVD系统,获得了p-GaN和p-InGaN/GaN超晶格结构2种材料,用圆形传输线模型(CTLM)测量了它们的比接触电阻率,并对表面处理、金属沉积和合金化处理的工艺条件进行了优化,得到了550℃、O2氛围下合金30min的最佳条件,获得最低的比接触电阻率为1.99×10-4Ω.cm2。; 尹以安刘宝林; 关键词：P-GAN INGAN/GAN

表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模拟被引量：7: 2008年; 影响GaN基LED的外量子效率低下的主要因素是光子在半导体和空气界面处的全反射。根据实际芯片建立LED模型,利用蒙特卡罗方法进行光线追迹模拟,分析了光子的主要损耗对出光效率的影响。计算不同的表面粗化微元,微元尺寸及微元底角对LED光提取效率的影响;比较不同微元形成的光场分布。模拟显示:所设计最佳的表面粗化结构在理想状况下可以提高光提取效率3倍以上。; 郑清洪刘宝林张保平; 关键词：GAN基发光二极管光提取效率表面粗化光场蒙特卡罗

侧面粗化提高GaN基LED出光效率研究被引量：1: 2011年; 通过对传统结构LED出光分析,提出采用侧面粗化来提高GaN基LED出光效率的方法,使用蒙特卡罗光子追踪方法对器件出光效率进行了模拟。结果表明:粗化侧面为三角状、底角为55°时出光效率最高,随机粗化可以获得比固定角度粗化更高的出光效率,同时降低材料的吸收系数可以提高LED的出光效率,在吸收系数为10/cm时,经过粗化后的LED出光效率可以达到46.1%。模拟结果证明侧面粗化可以较大地提高LED的出光效率。; 邓彪刘宝林; 关键词：GAN基发光二极管出光效率

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