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国家自然科学基金(60276045)

作品数：5 被引量：20H指数：2
相关作者：李建平刘超曾一平高兴国李晋闽更多>>
相关机构：中国科学院北京师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇溶胶
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇溶胶-凝胶工...
  • 1篇退火
  • 1篇退火行为
  • 1篇凝胶法制备
  • 1篇迁移率
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子材料
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇空穴
  • 1篇空穴迁移率
  • 1篇SIGE/S...
  • 1篇SIGE合金

机构

  • 5篇中国科学院
  • 2篇北京师范大学

作者

  • 5篇刘超
  • 5篇李建平
  • 4篇曾一平
  • 2篇李晋闽
  • 2篇高兴国
  • 1篇王广甫
  • 1篇孙国胜

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国材料科技...

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
SiGe／Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析被引量：1
2006年
SiGe合金薄膜中的Ge含量度分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响。本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe／Si和SiGe-OI材料样品进行了分析。与TEM，SEM、Raman等分析结果进行比较表明，Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层厚度，Ge含量度其深度分布，Si过渡层和SiO2层厚度，并有较好的测量精度。
王广甫刘超李建平
关键词：SIGE合金
溶胶-凝胶工艺制备SrTiO_3纳米薄膜的研究被引量：7
2005年
采用溶胶-凝胶方法,以醋酸锶、钛酸四丁酯为前驱体,乙酰丙酮为螯合剂,乙二醇甲醚为溶剂,乙酸为助溶剂和催化剂制备溶胶,用旋涂法在Si(100)衬底上制备出了具有典型钙钛矿型结构的SrTiO3纳米薄膜.用XRD、AFM、SEM和椭圆偏光仪等手段分析了薄膜的性能,结果显示薄膜的表面均匀、无裂纹、厚度20～30nm,折射率1.75～1.85,晶粒度35～60nm,表面平均粗糙度RMS为3.4～3.8 nm,晶粒形貌呈类圆锥形态.
刘超李建平曾一平
关键词：SRTIO3薄膜溶胶-凝胶工艺
硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展被引量：2
2005年
绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术 (Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛 重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,是国际半导体技术发展路线图 (ITRS)中CMOS技术今后几年发展的方向。文章综述了SGOI薄膜的多种制备方法和最新研究进 展。
高兴国刘超李建平曾一平李晋闽
关键词：微电子材料
溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用被引量：10
2004年
ZnO是一种重要的功能材料和新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料。采用溶胶-凝胶(Sol-gel)工艺在Si(100)、Si(111)和c面蓝宝石衬底上成功制备出高质量的ZnO纳米薄膜,并用XRD、SEM、AFM等方法研究了薄膜的特性。首次以制备的ZnO纳米薄膜为缓冲层,在n型Si(100)衬底上采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延生长了SiC薄膜,得到了低载流子浓度、高电子迁移率和高空穴迁移率的两种SiC薄膜样品,分析了该薄膜的性能。
刘超李建平孙国胜曾一平
关键词：氧化锌薄膜禁带宽度载流子浓度电子迁移率空穴迁移率
GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
2005年
在SIMOXSOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGeoninsulator)样品,并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为.用Raman,DCXRD,RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征.分析结果表明:SGOI样品表面的穿透位错密度约为5×105cm-2;高温退火处理可以促进SGOI样品中异质外延生长SiGe合金薄膜的弛豫化和超薄Si夹层向SiGe合金薄膜的转化,进一步提高SiGe薄膜的晶体质量,并且有助于获得高Ge组分的SGOI材料.
刘超高兴国李建平曾一平李晋闽
关键词：MBE退火行为
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