国家自然科学基金(90307010)
- 作品数：6 被引量：15H指数：3
- 相关作者：席珍强杨德仁吴冬冬阙端麟俞征峰更多>>
- 相关机构：浙江大学杭州海纳半导体有限公司北京控制工程研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信动力工程及工程热物理理学更多>>
- 氮化硅双层减反射薄膜的减反射效果研究
- 本文采用普通热氧化、快速热氧化和氧等离子体氧化三种不同的氧化方法制备SiOx,然后用PECVD生长SiNx形成双层减反射膜,并测试其减反射率,与单层SiNx薄膜的减反射效果对比。结果表明:采用氧等离子体和快速热氧化得到S...
- 龚灿锋席珍强杨德仁
- 关键词：氮化硅
- 单晶硅中过渡族金属镍对洁净区形成的影响(英文)
- 2006年
- 研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响.实验结果发现:硅中魔幻洁净区(MDZ)形成后,氧沉淀及其诱生缺陷能有效地吸杂金属镍;而沾污金属镍的硅中,随后的快速热处理工艺不能形成MDZ,硅片近表面出现大量沉淀.采用传统的内吸杂工艺,镍沾污的次序对洁净区的形成没有影响.实验表明由于硅片表面形成的镍硅化合物的晶格常数比硅小,所以在硅片近表面产生高浓度的空位,导致近表面的氧依然能够在MDZ工艺中形成沉淀.
- 吴冬冬杨德仁席珍强阙端麟钟尧
- 关键词：单晶硅金属镍
- 铸造多晶硅中氧的热处理行为研究被引量：6
- 2004年
- 研究了铸造多晶硅中不同温度单步退火下氧沉淀的形成规律。实验发现 ,单步热处理工艺下铸造多晶硅中氧沉淀的形成规律和单晶硅的基本相似 ,但是在铸造多晶硅中形成氧沉淀的量明显高于直拉单晶硅中氧沉淀的量 ;在含高密度位错的单晶硅中形成氧沉淀的量远高于无位错单晶硅中氧沉淀的生成量 ,而有晶界的多晶硅中形成氧沉淀生成量仅稍微高于无晶界单晶硅中氧沉淀生成量。以上结果表明 ,铸造多晶硅中位错对氧沉淀的形成有明显的促进作用 ,而晶界则对氧沉淀的促进作用不是很显著。最后 ,基于实验结果讨论了铸造多晶硅中初始氧浓度 ,位错和晶界对氧沉淀影响的机理。
- 席珍强楼峰俞征峰杨德仁
- 关键词：氧
- 原生直拉单晶硅中的铜沉淀规律
- 2005年
- 采用红外扫描仪、扫描电镜以及电子束诱生电流仪研究了不同温度和不同冷却速度下原生直拉单晶硅的铜沉淀规律.红外扫描仪观察发现:只有在热处理温度高于800℃的样品中才能观察到铜沉淀团,表明在原生单晶硅中铜沉淀温度为800℃.同时,红外扫描仪和电子束诱生电流谱仪照片显示,快冷(30K/s)时,形成高密度的小铜沉淀团;而慢冷(0.3K/s)导致低密度、巨大的星形铜沉淀团的形成.实验还发现慢冷所形成的星形铜沉淀团对少数载流子具有更强的复合强度.最后,讨论了原生直拉单晶硅中铜沉淀规律的机理.
- 席珍强杨德仁陈君阙端麟H.J.Moeller
- 关键词：单晶硅铜
- 快速热处理工艺下直拉单晶硅中铜、镍对氧沉淀的影响(英文)
- 2006年
- 研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响.实验结果表明:在快速热处理工艺下,间隙铜对氧沉淀几乎没有影响,铜沉淀却能显著地促进氧沉淀的形成;而间隙镍或镍沉淀对氧沉淀的形成都没有影响.基于实验结果并结合氧沉淀的形核理论,对金属铜、镍对氧沉淀的影响机理进行了解释.
- 吴冬冬杨德仁席珍强阙端麟
- 关键词：单晶硅氧沉淀CUNI
- SiNx薄膜的稳定性研究
- 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅片表面生长氮化硅薄膜(SiN
- 席珍强杨德仁龚灿锋阙端麟
- 关键词：氮化硅红外
- Defect engineering in silicon used for ultra large-scale integrated circuits
- The internal gettering(IG)technology in Czochralski (CZ)silicon doped with different impurities(nitrogen, germ...
- Deren Yang~*
- 关键词：IMPURITY
- 铸造多晶硅中铁的磷吸杂和氢钝化机理被引量：5
- 2005年
- 应用微波光电导衰减仪的方法研究了在不同温度情况下引入铁沾污后再分别进行磷吸杂和等离子体增强化学气相沉积钝化处理对铸造多晶硅片电学性能的影响.实验发现:在中、低温(低于900℃以下)情况下被铁沾污后的多晶硅材料经磷吸杂处理后再结合氢钝化可以显著地改善材料的电学性能;而对于高温(1100℃)情况下被铁沾污后的多晶硅材料经磷吸杂处理后其少子寿命降低,使接着进行的氢钝化也没有明显效果.这表明磷吸杂和氢钝化可以有效地改善被铁沾污后的多晶硅的电学性能,但是改善的效果与铁在硅体内的不同存在形态有关.磷吸杂和氢钝化中只对以间隙态或以其他复合体形态存在的铁有明显的吸杂作用,而对于以沉淀形态存在的铁却没有作用;氢钝化在金属杂质被吸杂移走之后才是最有效的.
- 陈金学席珍强吴冬冬杨德仁
- 关键词：铁
- 晶体硅中缺陷和沉淀的红外扫描仪研究被引量：5
- 2005年
- 晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。通过红外扫描仪观察晶体硅中的晶界、位错和不同金属沉淀的分布和形貌,并分析其相关信息。与传统研究手段相比,红外扫描仪不仅可以直接观察到体内的缺陷或沉淀,而且不会破坏样品。
- 席珍强
- 关键词：硅
