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国家自然科学基金(90307016)

作品数:32 被引量:89H指数:5
相关作者:洪伟杨华中殷晓星程峰严蘋蘋更多>>
相关机构:清华大学东南大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学交通运输工程化学工程更多>>

文献类型

  • 29篇中文期刊文章

领域

  • 28篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电路
  • 5篇放大器
  • 4篇信号
  • 4篇增益
  • 4篇集成电路
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇低噪声放大器
  • 3篇调制器
  • 3篇信号完整性
  • 3篇英文
  • 3篇转换器
  • 3篇螺旋电感
  • 3篇CMOS
  • 2篇带通
  • 2篇带通滤波
  • 2篇带通滤波器
  • 2篇电路模型
  • 2篇运算放大器
  • 2篇射频

机构

  • 13篇清华大学
  • 10篇东南大学
  • 3篇中国电子科技...
  • 3篇中国国防科技...
  • 1篇加州大学
  • 1篇锐迪科创微电...

作者

  • 10篇杨华中
  • 10篇洪伟
  • 7篇殷晓星
  • 3篇吴思汉
  • 3篇罗嵘
  • 3篇陈继新
  • 3篇汪蕙
  • 3篇严蘋蘋
  • 3篇程峰
  • 3篇张华
  • 2篇余志平
  • 2篇吴洪江
  • 2篇韩丹丹
  • 2篇默立冬
  • 2篇崔铁军
  • 2篇任怀龙
  • 2篇黄志忠
  • 1篇李卓
  • 1篇张宇
  • 1篇时鹏鹏

传媒

  • 6篇Journa...
  • 4篇微波学报
  • 4篇微电子学
  • 3篇半导体技术
  • 2篇电子与信息学...
  • 2篇电波科学学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇微计算机信息
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇Journa...
  • 1篇Tsingh...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 8篇2007
  • 6篇2006
  • 6篇2005
  • 1篇2004
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低相位噪声毫米波单片压控振荡器的研制被引量:4
2006年
采用0.18um GaAs PHEMT工艺,设计和研制了毫米波压控振荡器.该压控振荡器采用反射式结构,并针对了我国本地多点分配业务(LMDS)频段进行了优化设计,芯片采用OMMIC ED02AH工艺实现,芯片的尺寸为1.2mm×0.8mm.实测性能指标为:在28.46GHz,该压控振荡器的输出功率为7.3dBm,偏移1MHz处的相位噪声为-101dBc/Hz,调谐范围为27.5~30.4GHz.
陈继新洪伟殷晓星程峰严蘋蘋
关键词:压控振荡器砷化镓毫米波相位噪声
集成电容设计的逆向神经网络建模被引量:4
2005年
结合人工神经网络和电磁仿真,给出了一种用于综合交指电容及Metal-Insulator-Metal(MIM)电容结构参数的方法。基于逆向神经网络,可有效地根据给定频点上的电容值快速准确地综合出其对应的结构参数,从而避免了反复优化的过程。同时,可以由训练好的神经网络参数得到结构参数相对于等效电容的闭式计算公式。数值结果验证了方法的正确性和有效性。
张宇殷晓星钱治国洪伟
关键词:神经网络
采用预充开关运放的低功耗12位40MS/s流水线模数转换器
2010年
设计了一个采用新型预充快速开启开关运放的低功耗12位40MS/s流水线模数转换器(ADC)。该转换器通过采用新型预充开关运放技术、采样保持电路消去结构、动态比较器和优化采样电容,大大降低了电路的功耗。电路设计采用1.8V 1P6M 0.18μmCMOS工艺,仿真结果表明,在40MS/s采样速率下,输入信号为19MHz时,无杂散动态范围(SFDR)为90.15dB,信噪失真比(SNDR)为72.98dB,功耗为27.9mW。
魏琦韩丹丹杨华中
A robust and simple two-mode digital calibration technique for pipelined ADC
2011年
This paper presents a two-mode digital calibration technique for pipelined analog-to-digital converters (ADC).The proposed calibration eliminates the errors of residual difference voltage induced by capacitor mismatch of pseudorandom(PN) sequence injection capacitors at the ADC initialization,while applies digital background calibration to continuously compensate the interstage gain errors in ADC normal operation.The presented technique not only reduces the complexity of analog circuit by eliminating the implementation of PN sequence with accurate amplitude in analog domain,but also improves the performance of digital background calibration by minimizing the sensitivity of calibration accuracy to sub-ADC errors.The use of opamps with low DC gains in normal operation makes the proposed design more compatible with future nanometer CMOS technology.The prototype of a 12-bit 40-MS/s pipelined ADC with the two-mode digital calibration is implemented in 0.18-μm CMOS process.Adopting a simple telescopic opamp with a DC gain of 58-dB in the first stage,the measured SFDR and SNDR within the first Nyquist zone reach 80-dB and 66-dB,respectively.With the calibration,the maximum integral nonlinearity (INL) of the ADC reduces from 4.75-LSB to 0.65-LSB,while the ADC core consumes 82-mW at 3.3-V power supply.
殷秀梅赵南玻梅杨华中
关键词:校准技术CMOS工艺增益误差电容失配
16位语音Δ-Σ调制器被引量:1
2009年
介绍了一个应用于G.712语音编码的16位2 MHz采样率Δ-Σ调制器(SDM),利用Matlab优化调制器系数,并采用全差分开关电容共模反馈两级跨导放大器和动态比较器降低功耗。模拟结果显示:在2 MHz采样时钟下,输入4 kHz语音信号可获得101 dB信噪比输出,相当于16位精度。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,核心面积为340μm×160μm。电路在1.8 V工作电压和2 MHz采样率下,总功耗约165.6μW。
韩丹丹杨华中
关键词:开关电容积分器动态比较器语音信号处理
Analytical Frequency-Dependent Model for Transmission Lines on RF-CMOS Lossy Substrates
2007年
Transmission lines (T-Lines) are widely used in millimeter wave applications on silicon-based complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology. Accurate modeling of T-lines to capture the related electrical effects has, therefore, become increasingly important. This paper describes a method to model the capacitance and conductance of T-Lines on CMOS multilayer, lossy substrates based on confor- mal mapping, and region subdivision. Tests show that the line parameters (per unit length) obtained by the method are frequency dependent and very accurate. The method is also suitable for parallel multiconductor interconnect modeling for high frequency circuits.
叶佐昌喻文健余志平
关键词:金属氧化物
微波宽带单片集成电路二分频器的设计与实现被引量:3
2008年
采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz^7 GHz的静态二分频器。测试结果表明,该分频器在输入频率为3.7 GHz,输入-20 dBm功率时,输出功率4 dBm;电源电压5 V,工作电流85 mA,芯片尺寸为0.85 mm×0.85 mm。
陈凤霞默立冬吴思汉
关键词:二分频器异质结双极晶体管锁存器D触发器
高线性低电压低噪声放大器的设计(英文)被引量:2
2004年
研究了一种具有高线性的 CMOS低噪声放大器 ,其工作电压可以低于 1V.在这个电路中 ,加一个工作在线性区的辅助 MOS管以提高线性特性 .仿真表明这种方法可以提高输入三阶交截点 ,其代价远小于传统方法为获得1d B线性度改善而必须增加 1d B功耗的代价 .为了降低该电路中的共栅 PMOS管的有载输入阻抗 ,不使其源极处的电压增益过大而降低电路的线性特性 ,必须优化其尺寸 .仿真使用的模型是 TSMC0 .18μm射频 CMOS工艺库 ,仿真工具是 Cadence的 Spectre
曹克杨华中汪蕙
关键词:低电压射频COMS低噪声放大器
一种应用于SoC的高速数模转换器的设计被引量:1
2008年
数模转换器(DAC)是片上集成系统(SoC)中的重要模块。本文提出了一种应用于SoC的高速高精度DAC设计。该设计使用电流驱动型结构,在SMIC 0.18μm CMOS工艺下实现,其分辨率为10位,最高采样率可达到300MS/s。在采样率为200MS/s,输入信号为20.8MHz时,DAC的无杂散动态范围(SFDR)可达到66.27dB,此时DAC总功耗仅为22.7mW。
王桥罗嵘杨华中
关键词:数模转换器无杂散动态范围
毫米波单片混频器的研制被引量:4
2006年
采用0.18μm GaAs PHEMT工艺,设计和研制了34-40GHz毫米波单片混频器。该混频器选择了单平衡结构.采用180°电桥结构改善LO—RF的隔离度,并修改了该结构以方便布版。在39GHz频点上,该混频器的插入损耗小于7.2dB、LO—RF隔离度大于32dB。
陈继新洪伟严蘋蘋殷晓星程峰汤红军
关键词:单平衡混频器毫米波插入损耗隔离度
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