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国家高技术研究发展计划(2002AA404200)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：王喜莲霍明学宋明浩刘晓为张丹更多>>
相关机构：哈尔滨工业大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻效应
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇高温

机构

  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 1篇张丹
  • 1篇刘晓为
  • 1篇宋明浩
  • 1篇霍明学
  • 1篇王喜莲

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
多晶硅薄膜的高温压阻效应被引量：5
2005年
利用LPCVD制备重掺杂多晶硅薄膜，在0-560℃温度范围内对薄膜的压阻效应进行研究，同时对多晶硅薄膜应变系数随温度的变化，以及薄膜的淀积温度与薄膜厚度对应变系数的影响进行了相关的实验研究．结果表明，利用多晶硅材料制作的压敏电阻，其最高工作温度可以达到560℃以上．
霍明学刘晓为张丹王喜莲宋明浩
关键词：压阻效应多晶硅
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