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国家自然科学基金(Y112071000)
作品数:
1
被引量:3
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相关作者:
汤宝
王国伟
邓爱红
陈燕
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相关机构:
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2012
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掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性
被引量:3
2012年
分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小,所得缺陷主要是单空位与间隙原子,而几乎无复合体的缺陷类型.
陈燕
邓爱红
汤宝
王国伟
徐应强
牛智川
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原子力显微镜
正电子湮没
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