黄芊芊
作品数: 170被引量:0H指数:0
  • 所属机构:北京大学
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信

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黄如
作品数:1,279被引量:363H指数:11
供职机构:北京大学
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王阳元
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吴春蕾
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詹瞻
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王佳鑫
作品数:33被引量:0H指数:0
供职机构:北京大学
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本发明提供了一种超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法,属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿场效应晶体管采用具有芯‑多层壳的纳米线结构,该结构中的多壳层部分的材料禁带宽度沿...
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基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路
本发明提出了一种基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路,该电路包括电容、重置管、正反馈管、两级串联的反相器、铁电晶体管;其中,电容用于模拟生物神经元的细胞膜电容,积累由输入的突触后电流带来的电荷;重置管是一个N型MO...
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带双扩散的条形栅隧穿场效应晶体管及其制备方法
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基于铁电电容的原位红外动态感知感算一体阵列
本发明公开了一种基于铁电电容的原位红外动态感知感算一体阵列,属于半导体传感器领域。该阵列由若干个像素构成,每个像素由若干个感算一体器件组成,其中不同像素中相同位置的感算一体器件通过连线实现并联,所述感算一体器件为带深槽绝...
黄芊芊符芷源黄如
一种自适应复合机制隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明的核心是:对于N型晶体管,掺杂源区在N<Sup>-</Sup>掺杂的基础上,在靠近控制栅边缘的一...
黄如黄芊芊詹瞻邱颖鑫王阳元
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一种抑制铁电晶体管FeFET写涨落的方法
本发明提出了一种抑制铁电晶体管FeFET涨落的写操作方法,属于神经网络加速器领域。该方法利用FeFET源端电压负反馈机制,与写操作通路的NMOS(N1)和读操作通路的NMOS(N2)连接;FeFET的栅端作为编程(或擦除...
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一种面向交叉点阵存储器的低扰动操作方法
本发明公开了一种面向交叉点阵存储器的低扰动操作方法,属于半导体存储器领域。该操作方法由连续的对存储器阵列中字线与位线施加的脉冲周期组成;通过扰动恢复的方式,利用字线与位线的特殊电压脉冲设计,实现在存储器访问过程中对未选中...
黄芊芊符芷源黄如
负电子压缩率‑超陡亚阈斜率场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种负电子压缩率‑超陡亚阈斜率场效应晶体管及其制备方法。本发明在器件亚阈区,第一常规栅介质层和第二常规栅介质层构成常规栅介质电容,负电子压缩率栅介质层构成NEC电容,使得常规栅介质电容的电容大于NEC电容的绝...
黄如王慧敏黄芊芊
条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管包括一个控制栅,一个栅介质层,一个半导体衬底,一个高掺杂源区和一个高掺杂...
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