-
王晓磊
-
-
- 所属机构:中国科学院微电子研究所
- 所在地区:北京市
- 研究方向:电子电信
相关作者
- 王文武
- 作品数：412被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
- 马雪丽
- 作品数：68被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：半导体器件 阈值电压 沟道 介质层 半导体结构
- 韩锴
- 作品数：46被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：半导体器件 界面层 金属栅 阈值电压 介质层
- 杨红
- 作品数：75被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：半导体器件 金属栅 功函数 衬底 阈值电压
- 李永亮
- 作品数：222被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：半导体器件 沟道 半导体 晶体管 源区
- 一种基于铁电场效应晶体管的存储装置及其制作方法
- 本申请公开了一种基于铁电场效应晶体管的存储装置及其制作方法，该存储装置包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底一侧的底部选通晶体管；位于所述底部选通晶体管远离所述半导体衬底一侧的控制栅堆叠结构，所述控制栅堆叠结构包括：多层交...
- 王晓磊胡涛白明凯柴俊帅徐昊王文武叶甜春
- 一种半导体器件及其制造方法
- 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，包括衬底，所述衬底具有源极、漏极、以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道区；位于所述沟道区远离所述衬底一侧的铁电层，所述铁电层的材料为HfLaO；位于所述铁电层远离所述衬底一侧的栅金属...
- 王晓磊胡涛王文武徐昊柴俊帅
- 一种半导体器件及其制造方法
- 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以使得接触结构和埋入式电力层之间具有良好的电性连接，利于提升半导体器件的工作性能。半导体器件包括基底、逻辑元件、信号连接层和电源连接层。基底内设置有沿基底的厚度...
- 李永亮王晓磊 刘昊炎 张曦罗军
- 一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件及制备方法
- 本发明提供一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件的制备方法，包括，在衬底上形成由牺牲层和第一外延层组成的叠层；去除第二区域的叠层后填充第二外延层；经过刻蚀在第一区域和第二区域分别形成第一鳍部和第二鳍部；在第一鳍部和第二鳍...
- 李永亮杨红程晓红王晓磊马雪丽王文武
- 文献传递
- 一种半导体器件的制造方法
- 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，在确保半导体器件中，形成在不同类阈值调控区域的晶体管具有不同阈值电压的情况下，减少各晶体管所包括的沟道区中的缺陷。所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底。衬底具...
- 李永亮程晓红马雪丽杨红王晓磊王文武
- 文献传递
- 一种堆叠纳米线或片CMOS器件制备方法
- 本发明公开了一种堆叠纳米线或片CMOS器件制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，其包括N阱区和P阱区；在半导体衬底上制备纳米线或片沟道；在纳米线或片沟道上形成栅极介质层，并在N阱区和P阱区的栅极介质层上依次形成第一金属...
- 李永亮程晓红马雪丽王晓磊杨红王文武
- 文献传递
- 一种半导体器件的制造方法
- 本发明涉及半导体制造领域，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、栅介质层和栅电极；在所述栅电极上形成金属氧吸除层；对所述器件进行热退火处理，以使所述金属氧吸除层吸除界...
- 韩锴王文武王晓磊陈世杰陈大鹏
- 文献传递
- 一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法
- 本发明公开了一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法，是在栅极替代工艺(Replacement gate或Gate last)制备CMOS晶体管过程中，采用金属材料形成替代栅(假栅)，例如TiN和W等，这些材料的形成中...
- 王文武韩锴王晓磊马雪丽陈大鹏
- 文献传递
- 半导体结构与其制作方法
- 本申请提供了一种半导体结构与其制作方法，该制作方法包括：在衬底上依次设置多个应变缓冲层，各应变缓冲层的材料为SiGe，任意相邻的两个应变缓冲层中，与衬底之间距离大的应变缓冲层中Ge的重量含量大于另一个应变缓冲层中Ge的重...
- 李永亮王晓磊杨红马雪丽李超雷王文武
- 文献传递
- 一种半导体结构及其形成方法
- 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的沟道层；位于沟道层之上的界面层；位于界面层之上的第一高介电常数材料层；位于第一高介电常数材料层之上的第二高介电常数材料层。其中，界...
- 马雪丽李永亮王晓磊项金娟杨红王文武
- 文献传递
