范春晖
作品数: 9被引量:0H指数:0
  • 所属机构:北京大学
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信

相关作者

郝志华
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供职机构:北京大学
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一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法,降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中,IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的,不存在对准偏差的影响,通过在后续工艺中选...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
文献传递
一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法,降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中,TFET的源漏区不是由光刻直接定义的,而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
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一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
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一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法
本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括:制备化学机械抛光停止层;淀积氮化硅薄膜;在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜;将多晶硅薄膜加工成条状;在条状多晶硅的顶面...
艾玉杰许晓燕黄如安霞郝志华范春晖浦双双王阳元
一种制备超窄槽的方法
本发明提供了一种制备超窄槽的方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括:首先在衬底上制备化学机械抛光停止层;然后淀积一氮化硅层,在氮化硅层上淀积一多晶硅层;随后将多晶硅加工成窄槽;再将多晶硅上定义出的窄槽转移...
黄如浦双双许晓燕安霞郝志华范春晖王润声艾玉杰
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纳米尺度CMOS新器件关键工艺研究
随着大规模集成电路的发展,场效应晶体管的特征尺寸不断按比例缩小,以期获得更低的成本和更好的性能。但是,当器件尺寸进入了亚100nm尺度后,各种问题和挑战也随之而来,诸如短沟效应、迁移率退化、源漏串联电阻增大、沟道杂质随机...
范春晖
关键词:镍硅化物肖特基势垒CMOS工艺
一种制备超窄槽的方法
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