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作品数： 81被引量：163H指数：6

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钛酸钡陶瓷电容器介质及其制备方法: 本发明公开了一种钛酸钡陶瓷电容器介质及其制备方法，该陶瓷介质以BaTiO3为主成分，按其重量为1，添加下述重量百分数的组分合成：1.00～1.50%的Nb2O5</S...; 吴顺华李媛; 文献传递

BaO-TiO_2-ZnO-Nb_2O_5系统微波陶瓷的相转变机制与介电性能被引量：4: 2006年; 对采用传统电子陶瓷工艺制备的BaO-TiO2-ZnO-Nb2O5(BTZN)微波介质陶瓷系统的相转变机制与介电性能进行了研究．XRD分析表明,系统的主晶相为Ba2Ti9O20、BaTi4O9．由Zn2+和Nb5+共同取代Ti4+,作为施主受主杂质达到电价平衡,形成了BaTi4-xZnx/3Nb2x/3O9和Ba2Ti9-xZnx/3Nb2x/3O20固溶体,显著降低系统的烧结温度,获得优良的介电性能．同时,Nb5+能够抑制在空气气氛中烧结产生的Ti4+还原,防止Ti3+造成的介电性能恶化．BaO-TiO2- ZnO-Nb2O5系统在980℃已经开始大量生成Ba3Ti12Zn7O34相;自1050℃开始形成、并在1110℃大量生成Ba- Ti5O11相;BaTi5O11相的生成对于最终烧结过程中主晶相Ba2Ti9O20的形成起到很关键的作用．1110℃预烧、 1160℃烧结的该系统陶瓷材料的微波介电性能为:εr=37;Q=24 000(10 GHz);τf=+4．; 苏皓吴顺华赵康健; 关键词：相转变 XRD 陶瓷

一种介质陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种介质损耗及容量温度系数均较小的Ba(Zn1/3Nb2/3)O3－Sr(Zn1/3Nb2/3)O...; 吴顺华石锋; 文献传递

中温烧结BaTiO_3铁电-玻璃陶瓷介电性能被引量：13: 2001年; 研究了掺杂 Nb5+、Co2 +及玻璃的 Ba Ti O3陶瓷的介电性能。Nb5+、Co2 +和玻璃中的 Bi3+进入 Ba Ti O3晶格形成晶芯 -晶壳结构 ,其中晶芯由铁电相 Ba Ti O3组成 ,晶壳由含 Nb5+ 、Co2 + 、Bi3+ 的非铁电相 Ba Ti O3组成。这些添加物的作用是使ε- T曲线变得平坦 ,tanδ减小 ,居里点移向高温。; 吴顺华张杰张志萍王国庆; 关键词：中温烧结铁电陶瓷介电性能玻璃陶瓷钛酸钡

中温烧结CaO－TiO_2－ZnO系陶瓷: 1996年; 用自制ＣａＴｉＯ３与ＴｉＯ２、ＺｎＯ按电子陶瓷通用工艺制备出晶粒均匀致密的热补偿陶瓷。Ｘ射线分析表明其主晶相为Ｃａ２Ｚｎ４Ｔｉ（１６）Ｏ（３６）（简称为ＣＺＴ），此外还有ＣａＴｉＯ３以及少量的金红石（ＴｉＯ２）。; 吴顺华伍松李亚东向勇王振平; 关键词：氧化钙陶瓷中温烧结

添加剂对(Zr,Sn)TiO_4系统高频陶瓷介电性能的影响被引量：7: 2003年; 用一般的电子陶瓷工艺在中温 (115 0℃ )烧结条件下制备了 (Zr ,Sn)TiO4 系统多层陶瓷电容器 (MLCC)用高频陶瓷材料。通过向系统中加入CuO ,ZnO ,BaCO3 ,SrCO3 和G(玻璃 )等添加剂 ,达到了降低烧成温度并提高介电性能的效果。研究了各添加剂对系统介电性能的影响。制得的陶瓷材料具有优异的介电性能 :在 1MHz下 ,ε≈ 38,Q =1/tanδ≥ 10 4 ,ρV≥ 10 11Ω·m ,αC=(0± 30 )× 10 -6·℃ -1。; 王国庆吴顺华赵玉双; 关键词：添加剂介电性能中温烧结

温度稳定型钛酸钡系统陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种温度稳定型BaTiO3系统陶瓷，其组分及其原料重量百分比为：BaTiO355-85%，P熔块10-45%，Nb2O5...; 吴顺华王小勇王爽陈力颖刘俊峰; 文献传递

液相包覆法合成Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3超细粉体: 2005年; 以水合五氧化二钽(Ta2O5·nH2O)纳米胶粒为活性固相基体,柠檬酸镁、柠檬酸钡混合溶液为包覆相,采用液相包覆-界面反应的方法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3超细粉体.利用热失重-差热分析、X射线衍射及透射电镜等手段对产物的合成过程与结构形态进行了分析表征.研究表明以该方法能够在800℃下合成出成分均一、纯度较高、具有良好烧结活性的BMT超细粉体,产物粒子的形态接近球形,粒径分布窄,大约为20～30nm.; 王伟吴顺华孙萍; 关键词：湿化学法超细粉体柠檬酸盐

(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4陶瓷预烧和烧结工艺研究被引量：8: 2003年; 研究了预烧和烧结工艺对(Zr0.8Sn0.2)TiO4系统陶瓷材料介电性能的影响,发现预烧温度对介电常数ε影响不大,但预烧温度过高或过低会使介电损耗tanδ增大;在一定范围内提高烧结温度能使ε增加,但烧结温度过高或过低会使tanδ增大。XRD分析表明,在1100°C预烧,1150°C烧结的该系统主晶相是(Zr0.8Sn0.2)TiO4。该系统具有优良的介电性能(1MHz):ε≈38,tanδ≤10-4,体电阻率ρv≥1013·cm,温度系数αc=0±30×10-6/°C。; 王国庆吴顺华颜海洋; 关键词：预烧介电性能

低功耗无源超高频射频识别应答器芯片的射频电路设计与实现: 2007年; 提出了一种符合ISO/IEC18000-6B标准的高性能低功耗无源超高频（UHF）射频识别（RFID）应答器芯片的射频电路。该射频电路除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量。其构成包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等几个主要模块。该射频电路芯片采用支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,测试结果表明其读取距离大于3m,在915MHzISM频带下工作时其电流小于8μA,该芯片核心面积为300μm×720μm。; 陈力颖毛陆虹吴顺华郑轩李彦明; 关键词：低功耗射频电路