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邓丽荣
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- 所属机构:西安科技大学
- 所在地区:陕西省 西安市
- 研究方向:化学工程
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 王晓刚

- 作品数:234被引量:607H指数:13
- 供职机构:西安科技大学材料科学与工程学院
- 研究主题:碳化硅 SIC Β-SIC 温度场 多热源
- 陆树河

- 作品数:38被引量:59H指数:5
- 供职机构:西安科技大学
- 研究主题:Β-SIC 多热源 实践教学平台 真空 表面改性
- 华小虎

- 作品数:50被引量:78H指数:5
- 供职机构:西安科技大学
- 研究主题:Β-SIC 粉体 广场砖 无烟煤 云母
- 王嘉博

- 作品数:15被引量:22H指数:2
- 供职机构:西安科技大学
- 研究主题:Β-SIC SIC粉体 孔隙率 助烧剂 磨料
- 樊子民

- 作品数:64被引量:141H指数:7
- 供职机构:西安科技大学
- 研究主题:SIC多孔陶瓷 碳化硅 SIC 电致发热 温度场
- α、β相SiC混合粉体水基喷雾造粒方法及陶瓷体性能研究
- 研究采用α、β两相SiC作为原料,用水溶性酚醛树脂作为粘结剂及高温碳源,研究其添加量以及浆料固相含量对于碳化硅浆料喷雾造粒以及陶瓷性能的彭响,确定其最佳添加比例及喷雾造粒的工艺参数,制备出高密度高性能的碳化硅陶瓷。
- 王雪莹王晓刚刘银渡邓丽荣陆树河华小虎
- 关键词:工艺参数固相含量
- 机械粉碎法制备β-SiC纳米粉体及其特性分析被引量:3
- 2022年
- 为获得批量制备技术,采用机械粉碎法制备高纯β-SiC纳米粉体;通过实验研究不同粒径的β-SiC纳米粉体的粒度分布、球形度变化规律、微观结构和分散稳定性等特性。结果表明:机械粉碎法适合制备粒径小于200 nm的β-SiC纳米产品,产品粒度最小可达30 nm;砂磨时间越长,产物粒度越细,粒度分布越窄,产品的球形度越好;β-SiC衍射峰强度随粒径的减小而减小,峰形宽化明显,晶格结构出现由单晶向多晶的转变,并于颗粒外层诱发厚度约5 nm的无定形二氧化硅氧化层;纳米β-SiC浆料在pH值为2~11时没有出现等电点,在中性和碱性条件下分散稳定性良好。
- 邓丽荣王晓刚华小虎华小虎陆树河王行博
- 材料类专业“五段式”实践教学平台的建设被引量:1
- 2016年
- 针对目前工科院校材料类专业应用创新型人才的培养存在实践教学不规范、校外实践基地难以维持、校内实践平台缺失等问题,通过分析材料类专业工程人才的培养现状以及社会需求,构建可让学生经历工业生产环节全程训练的五段式实践教学模式。通过整合学院原有实验室的资源,创建了模型实体影像实践教材中心、校内工业实验室实践教学基地和共建校外实践教学基地,为五段式实践教学的顺利实施提供了强有力的平台支撑,提升了实践教学质量。
- 邓丽荣王晓刚陆树河华小虎刘向春朱明
- 关键词:校外实践教学基地
- β-SiC微粉溢流过滤分级实验研究
- 2009年
- 采用湿法水力溢流过滤的方法对β-SiC微粉进行分级,达到了溢流分级与过滤分级的双重功效.通过实验研究了溢流流量及床层高度对溢流过滤分级效果的影响,并对分级后的产品进行了粒度分析及SEM电镜分析.研究表明,溢流过滤分级法可以实现5μm以下β-SiC颗粒的精密分级;能稳定获得W5、W3.5、W2.5、W1.5的分级产品,而且分级精度较好、产率较高,达到了对β-SiC微粉窄级别稳定分级的新要求.
- 谢斌邓丽荣刘向春王晓刚张倬
- 关键词:溢流
- 晶型及化学成分对SiC粉体氧化性能的影响被引量:2
- 2015年
- 研究粒度标号为W2.5和W10、晶型为3C和6H的3C-W2.5、3CW10、6H-W2.5、6H-W10这4种SiC粉体的氧化性能,通过同步热分析仪讨论4种粉体在30~1 400℃时的非等温氧化特性,采用X射线衍射和扫描电子显微镜对氧化前、后粉体的物相和表面性质进行表征。结果表明:起始氧化温度从高到低的SiC粉体依次为3C-W10、6H-W2.5、6H-W10、3CW2.5,与其化学成分中SiO2相对含量由大到小的关系相一致;在相同实验条件下,高温氧化后同一晶型的粉体粒度标号为W2.5的质量变化大于W10的,粒度相同时,3C-SiC的质量变化小于6H-SiC的;加热至1 400℃后,SiC晶体表面有玻璃状SiO2生成。
- 王楠王晓刚邓丽荣杨家庆王嘉博
- 关键词:SIC粉体化学成分
- 真空条件下多热源法合成高纯β-SiC微粉被引量:2
- 2019年
- 以高纯的硅质原料和碳质原料为合成原料,采用多热源法在真空条件下合成出了β-SiC微粉。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、化学分析及激光粒度分析仪等分析测试手段对合成产物进行了表征。结果表明,合成产物晶相为β-SiC,纯度达99%以上,一级品中晶体颗粒多为半自形体和自形体。温度越高,合成的β-SiC微粉晶型程度越好,纯度也相应的提高。当温度超过1758℃时,合成产物由β-SiC转变为α-SiC。
- 王国卫王晓刚吴泽民陆树河邓丽荣
- 关键词:多热源
- β-SiC粉体中常见金属杂质的亚临界水热去除工艺被引量:1
- 2021年
- 高纯β-SiC粉体作为原料,广泛应用于半导体晶圆、半导体窑具、半导体芯片设备用陶瓷器件等产品。高温高压可以促进水热反应,采用亚临界水热法可去除工业合成β-SiC粉体中的金属杂质。研究不同酸体系下β-SiC粉体中常见金属杂质的去除效果。利用电感耦合等离子原子发射光谱仪(ICP-OES)检测微量元素的含量,通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对β-SiC粉体的物相组成和微观结构进行表征。结果表明,对于Cr和Zr去除效果较好的是HCl体系,对于Ca、Fe、Mg和Ti去除效果较好的是HCl+HF+HNO_(3)体系,对于Al和K去除效果较好的是H_(2)SO_(4)+(NH_(4))2SO_(4)体系。采用HCl体系处理的最佳反应温度为200℃,采用HCl+HF+HNO 3体系处理的最佳反应温度是220℃,采用H_(2)SO_(4)+(NH_(4))2SO_(4)体系处理的最佳反应温度是200℃。其中,H_(2)SO_(4)+(NH_(4))2SO_(4)体系可将β-SiC粉体中常见金属杂质含量降低至最少(杂质总含量为920.31 mg/L),因此该体系为β-SiC粉体除杂的最优方案。
- 王波段晓波邓丽荣邓丽荣陆树河王嘉博
- 关键词:水热法金属杂质电感耦合等离子体
- β-SiC粉体Si杂质的亚临界水热去除工艺
- 2021年
- 选用多热源法合成的β-SiC粉体为原料,采用亚临界水热法去除β-SiC粉体中的含Si杂质。通过XRD、SEM、EDS及可见分光光度计等对β-SiC粉体的物相组成、微观结构及Si杂质含量进行表征,重点研究β-SiC粉体中含Si杂质的亚临界水热去除工艺参数优化。结果表明,β-SiC粉体中的含Si杂质主要为SiO 2和游离硅(F·Si),而F·Si主要以大颗粒的形式存在。反应浓度增大、反应时间延长和反应温度升高均有利于提高Si杂质的去除率。最佳水热法处理工艺为:液固比5∶2,NaOH浓度4 mol·L^(-1),反应温度180℃,反应时间4 h。在此工艺下,β-SiC粉体中SiO 2的去除率达到100%,F·Si的去除率为96.4%。
- 王波段晓波邓丽荣邓丽荣王晓刚陆树河
- 关键词:水热法碱处理提纯
- 培养学生实验安全意识的研究与探讨被引量:11
- 2012年
- 学生作为参与实验室学习、科研工作的主体,其安全意识的强弱直接影响着高校实验室的安全管理。本文从培养学生安全意识的角度出发,通过创建良好的安全实验环境、加大安全教育力度和培养学生安全实验习惯等措施,强化学生的实验安全意识,从而切实提高高校实验室的安全管理水平。
- 邓丽荣
- 关键词:实验室安全教育
- β-SiC微粉精细分级装置的设计与实验研究
- 2011年
- 本文设计了一种精细分级装置,并着重对料浆质量分数和进料速度两个因素进行了实验研究。结果表明:本装置可以实现2.5μm以细β-SiC微粉精细分级,能同时获得W1、W1.5的产物,并且分离效率和分级精度较高。
- 张倬王晓刚邓丽荣陆树河