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作品数： 133被引量：155H指数：7

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局部化学法合成K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3片状晶粒及其反应机理研究被引量：4: 2009年; 以含铋层状Bi4Ti3O12（BIT）晶粒作为反应前驱体，通过熔盐环境下的局部化学反应法制备了片状钛酸铋钾（K0.5Bi0.5TiO3，KBT）陶瓷粉体晶粒．分析结果表明，所制备的KBT陶瓷晶粒平均直径约为15～20μm厚度小于2μm．分析了由含铋层状型BIT向钙钛矿型KBT片晶转化的形成机制，并讨论了反应路径对最终产物形貌的影响规律．; 张阳红曾江涛李国荣郑嘹赢殷庆瑞; 关键词：钙钛矿各向异性钛酸铋钾

一种具有超高压电系数及超强光致发光性能的透明光电陶瓷材料及其制备方法: 本发明涉及一种具有超高压电系数及超强光致发光性能的透明光电陶瓷材料及其制备方法，所述透明光电陶瓷材料的组成通式为：Pb1‑yPry[(Mg1/3...; 曾江涛郑嘹赢李国荣

一种高性能氧化锌电阻陶瓷材料及其制备方法: 本发明涉及一种高性能氧化锌电阻陶瓷材料及其制备方法，所述氧化锌电阻陶瓷材料的制备方法包括：（1）将ZnO粉体、In2O3粉体、MgO粉体和TiO2粉体混合...; 李国荣陈曦田甜曾江涛郑嘹赢阮学政满振勇; 文献传递

一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法: 本发明涉及一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法，所述铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料的组成通式为：Pb((Yb1/2Nb1/2)1‑xSnx</Su...; 李国荣滕冰洁曾江涛郑嘹赢; 文献传递

一种棒状五氧化二铌模板晶粒及其制备方法: 本发明涉及一种棒状五氧化二铌模板晶粒及其制备方法，所述晶粒呈棒状、长度为10～120μm，直径为2～10μm，长径比为10～15，且所述晶粒具有各向异性。本发明的棒状五氧化二铌粉体颗粒，晶粒形貌呈棒状，在结构上具有明显的...; 李国荣周义博曾江涛郑嘹赢阮伟阮学政; 文献传递

一种无Bi、Pr、V的氧化锌基压敏薄膜材料及其制备方法: 本发明公开一种无Bi、Pr、V的氧化锌基压敏薄膜材料及其制备方法。所述氧化锌基压敏薄膜材料以氧化锌和改性添加剂组成的陶瓷为靶材，采用磁控溅射技术在导电基底上沉积ZnO基压敏薄膜材料；所述靶材中氧化锌的含量为89.5～99...; 田甜李国荣郑嘹赢阮学政时雪满振勇; 文献传递

铌镁酸铋钛酸铅压电陶瓷准同型相界附近的性能和相变温度研究被引量：2: 2012年; 利用传统固相烧结法制备了Bi(Mg2/3Nb1/3)O3-PbTiO3(BMN-PT)压电陶瓷,分析了不同PbTiO3含量对BMN-PT压电陶瓷的晶体结构、介电、压电及铁电性能的影响.XRD结果表明:合成的BMN-PT陶瓷具有纯钙钛矿结构,并且在PbTiO3含量为x=0.60时,其组分的XRD图谱在衍射角2θ=45°出现明显的分峰,说明该组分相结构中存在三方和四方相的共存.压电铁电性能显示,BMN-0.60PT有最大的压电常数d33(～170pC/N)和平面机电耦合系数kp(0.35),最小的矫顽场Ec(29.4 kV/cm)及最大的剩余极化Pr(31.4μC/cm2).确定了BMN-PT压电陶瓷的准同型相界(MPB)为PbTiO3含量x=0.60的组分.介电系数温谱表明介电系数峰值温度(Tm)随着PbTiO3含量的增大而升高,MPB组分的Tm约为276℃.; 洪琳赵丽艳朱兴文郑嘹赢曾江涛李国荣; 关键词：准同型相界相变温度

A/F氧传感器用Ti<,3>O<,5>薄膜新材料的制备科学和性能研究: 该文将对薄膜型A/F(空燃比)氧传感器用新材料-Ti<,3>O<,5>的性能进行研究.采用溶胶-凝胶法在Al<,2>O<,3>基片上制备薄膜:以钛酸四丁酯为原料,无水乙醇为溶剂,添加适量的其它物质以获得稳定的溶胶,然后通...; 郑嘹赢; 关键词：厚度; 文献传递

一种具有上转换发光特性的透明电光陶瓷材料及其制备方法: 本发明公开了一种具有上转换发光特性的透明电光陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料的组成通式为：(1-x)Pb1-yLay(Mg1/3Nb2/3</...; 曾江涛李国荣阮伟郑嘹赢曾华荣丁爱丽; 文献传递

一种增强压电陶瓷片中陶瓷片与表面电极层连接强度的方法: 本发明涉及一种增强压电陶瓷片中陶瓷片与表面电极层连接强度的方法，包括：使压电陶瓷片上下表面中至少一面上形成相互平行分布的凹槽的同时去除电极层，然后在压电陶瓷片的形成凹槽的表面再镀表面电极层，以增强压电陶瓷片中表面电极层与...; 时雪阮学政李国荣刘文斌曾江涛郑嘹赢满振勇; 文献传递