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王学军
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- 所属机构:中国电子科技集团公司第四十五研究所
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:北京市教育委员会科技发展计划
相关作者
- 贺敬良
- 作品数：83被引量：392H指数：10
- 供职机构：北京信息科技大学
- 研究主题：修形 四轮定位仪 变速箱 动态特性 检定装置
- 周国安
- 作品数：24被引量：57H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所
- 研究主题：CMP 化学机械平坦化 化学机械抛光 抛光液 抛光垫
- 柳滨
- 作品数：29被引量：67H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所
- 研究主题：CMP 化学机械抛光 化学机械平坦化 抛光液 半导体材料
- 种宝春
- 作品数：29被引量：58H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所
- 研究主题：多线切割机 CMP 化学机械抛光 砂浆 动态特性
- 詹阳
- 作品数：13被引量：36H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所
- 研究主题：CMP 化学机械平坦化 抛光垫 承载器 ZETA电位
- 多线切割张力控制系统研究被引量：1
- 2011年
- 对多线切割张力控制技术进行论述,分析了多线切割机中张力控制技术的特点,在此基础上,提出了一种多线张力的控制方法。该方法基于对张力信号变化的实时检测,将检测张力的变化转变为电机扭矩的变化,通过控制扭矩电机的扭矩来调整切割线张力,由控制软件来实现对切割线张力的检测、分析与控制。控制精度高,成功实现了在双主辊系统驱动下的多线切割机张力控制。实验证明,该方法可靠、稳定,能很好地检测并控制多线切割系统张力精度。
- 贺敬良王成武王学军田燕林
- 关键词：扭矩多线切割机
- 高速线切割系统张力控制研究被引量：7
- 2011年
- 本文对高速线切割系统的张力控制技术进行论述,分析了高速线切割系统中张力控制技术的特点,在此基础上,提出了一种线张力的控制方法。该方法基于对张力摆臂位置信号变化的实时检测,将检测位置的变化转变为电机扭矩的变化,通过控制电机扭矩来调整切割线张力,由控制软件来实现对切割线张力的检测、分析与控制。控制方式简洁,控制精度高,成功实现了在双轴辊系统驱动下的多线切割机张力控制。实验证明,该方法可靠、稳定,能很好的检测并控制多线切割系统张力精度。
- 贺敬良杜开勋王学军
- 基于DOE优化光学玻璃晶片边缘磨削工艺被引量：8
- 2010年
- 在光电器件的制造过程中,用光学玻璃晶片作为电路制作的基板材料。玻璃晶片通过在大面积的玻璃面板上划圆获得。划圆后会形成非常锐利的边缘,需要将锐利边缘磨削成圆弧形,以减少在后续加工中产生破损、崩边。在光学玻璃晶片的边缘磨削中,合适的玻璃晶片边缘磨削参数对于晶片边缘磨削后的崩边情况、磨削斜面宽度、中心误差等均有很大影响。利用DOE试验方法,光学玻璃晶片边缘磨削过程中有效减小崩边,并给出了影响因素,获得并验证了最优化的磨削工艺参数,减少了晶片磨削后的崩边破损。
- 党兰焕贺敬良王学军
- 关键词：光电器件
- CMP加工过程去除率的影响因素研究被引量：6
- 2008年
- CMP的加工过程,是对晶圆表面进行全局平坦化的过程,去除率是整个过程较为关键的指标。影响去除率的有下压力、抛光盘及抛光头的转速、温度、抛光液的种类等,综合考虑这些因素不仅能得到合理的材料去除率,优化平坦化效果,而且还能提高生产效率。
- 周国安柳滨王学军种宝春
- 关键词：化学机械抛光抛光液
- 多线切割机砂浆控制系统研究被引量：2
- 2010年
- 多线切割机是近年来发展非常迅速的一种高效率切割设备,在半导体领域应用广泛,它通过驱动多圈绕制的金属钢线高速旋转,带动喷射在金属钢线上的砂浆对硅材料进行磨削切割,在多线切割机对硅片的切割过程中,砂浆必须保持一定的流量和温度,才能对硅料进行持续高效的切割,砂浆流量的变化会影响切割效率和切割质量,切割过程会产生热量,砂浆在循环过程中必须带走产生的热量,否则热量在砂浆中聚积,对硅片切割会产生不利甚至断线。研究了多线切割机砂浆控制系统,对硅片切割中砂浆流量控制方法进行研究,通过实验验证通过该砂浆控制系统能得到的稳定的流量,砂浆流量波动很小,很好地提高了硅片切割质量及切割成片率,工艺线使用效果良好。
- 党兰焕贺敬良王学军吴序堂
- 关键词：多线切割机PID控制
- CMP终点监测装置的设计被引量：2
- 2008年
- 对CMP工艺过程中的一种终点监测技术进行论述,分析了国外某公司抛光机的电机电流变化监测技术,在此基础上,设计了一种高精度的电流监测和电流电压转换电路,电流监测基于LTC6102高精度电流监测放大器,电流电压转换电路基于MAX472高精度电流传感放大电路和MAX951微功耗/比较放大电路。改进的电路构成简单,监测精度高,成功实现了从安培级的负载电流中辨别出微安级电流变化的精度。实验证明,该电路精度好于1%,显著提高了终点监测精度。
- 王学军王姝媛贺敬良柳滨周国安
- 关键词：化学机械抛光
- LTCC低温共烧陶瓷热切刀体控制探讨被引量：2
- 2008年
- 对LTCC(低温共烧陶瓷)的热切割工艺过程进行论述,探讨了热切刀体和工作台的结构设计,分析了刀体和工作台的运动方式以及热切刀体的速度控制特点,提出了刀体加减速控制方法,成功实现了对LTCC热切刀体的高精度和高速度控制,实验证明,通过对刀体的运动进行曲线加减速控制,显著提高了切割效率、稳定性和一致性。
- 王学军李雪松贺敬良
- 关键词：LTCCS曲线
- CMP中抛光垫的性质研究被引量：4
- 2008年
- 以IC1000／SubaIV抛光垫为例，综述了影响抛光垫性能的各种因素，以文献相关数据为依据，着重分析了抛光温度和修整力对抛光垫性能的影响。从分析结果可以得出：IC1000／SubaIV比单层结构IC1000具有更好的抛光效果；新旧抛光垫性能在0～40℃基本相当；新、旧和没有黏合剂抛光垫的正常工作温度为-2．02～103．64℃，且玻璃过渡温度随着抛光垫厚度的减小而增加；抛光垫在0～50℃具有最小的外形变化。定性得出修整力与抛光精度成反比关系，明确了较小修整深度具备较好的平坦化效果。
- 周国安种宝春柳滨王学军
- 关键词：化学机械抛光抛光垫修整器
- 单点光学终点检测系统的研究被引量：1
- 2008年
- 为了使CMP抛光精度更为精确,根据光学干涉原理设计了单点光学终点检测装置,给出了整套检测系统的简图和处理流程。在理想条件下,仿真单点光学检测的相干相位及反射率迹线,得出反射率迹线与抛光掉的透明层存在着函数关系,在实际条件核实了二者之间映射情况。采用九点测量后确认此函数条件下的单点光学终点检测具备高度的精确性,在此基础上推测了抛光头吸附晶圆以设定频率摆动情况下,光学传感器采集与处理数据的方法和过程。实际工艺操作证明,在综合运动条件下,其精度也达到要求。
- 周国安柳滨王学军种宝春
- 关键词：化学机械抛光
- CMP承载器的初步研究被引量：3
- 2008年
- 在CMP中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从而导致了晶圆边缘效应的产生。阐述了承载器在CMP中的作用,详细分析了边缘效应产生的原因和克服的方法。在承载器上采用与晶圆保持适当间隙的保持环结构,对保持环施加适当的压力,使保持环和晶圆位于同一抛光平面上;针对旋转式CMP设备固有的线速度之差导致片内非均匀性增大的问题,对200mm晶圆划分两区域进行微压力补偿,同时详细说明了压力补偿气路的设计和实现的功能,指出今后多区域微压力补偿将采用矩阵控制技术。
- 周国安柳滨王学军种宝春詹阳
- 关键词：化学机械平坦化承载器
