张羿
作品数: 4被引量:0H指数:0
  • 所属机构:上海交通大学电子信息与电气工程学院
  • 所在地区:上海市
  • 研究方向:电子电信

相关作者

杨新
作品数:119被引量:840H指数:15
供职机构:上海交通大学
研究主题:水平集方法 图像处理 图像分割 二尖瓣 三维超声
刘红君
作品数:4被引量:1H指数:1
供职机构:上海交通大学电子信息与电气工程学院
研究主题:绝缘性能 无机复合膜 电致发光器件 打火 击穿
倪若惠
作品数:2被引量:0H指数:0
供职机构:上海交通大学
研究主题:液晶显示屏 LED背光源 LED背光模组 薄膜晶体管 溅射功率
无机电致发光平板显示器的老化工艺
本文主要阐述了一种无机电致发光显示器的老化技术方法;该老化方法将显示器件在氧气或者含氧气氛中,如果是以硫化物为发光层则还需要消除气氛中的水气,预先老化足够长的时间,等器件中绝大部分的打火都结束,再将器件封装在保护气氛中后...
张羿楼均辉肖田刘红君周团团
关键词:无机电致发光氧气介质层自愈
文献传递
溅射功率和气氛对Sialon薄膜介电性能的影响
2009年
采用射频磁控溅射法分别在Ar/N2和Ar/O2气氛中制备了厚度为80~300nm的Sialon薄膜,研究了沉积功率对Sialon薄膜的介电性能的影响。发现在Ar/N2气氛中沉积的Sialon薄膜具有较高的介电常数,漏电流密度和介电损耗也稍大。在Ar/N2气氛下沉积的Sialon薄膜的介电常数在4.8~8.5之间,反映介电损耗的参数ΔVy在0.010~0.045V之间,在50MV/m直流电场下的正、反向漏电流密度在10-10~10-8A数量级,击穿场强在201~476MV/m;在Ar/O2气氛下沉积的Sialon薄膜的介电常数在3.6-5.3之间,反映介电损耗的参数ΔVy小于0.01V,在50MV/m直流电场下的正、反向漏电流密度在10-10~10-9A数量级,击穿场强在260~305MV/m之间。该绝缘薄膜应用于以Zn2SixGe1-xO4:Mn为发光层的无机EL显示器件和以IGZO为有源层的TFT器件中获得了较好的结果。
倪若惠杨新刘红君张羿
关键词:射频磁控溅射介电性能无机电致发光薄膜晶体管
无机电致发光平板显示器的老化工艺
2008年
主要阐述了一种无机电致发光显示器的老化技术方法。该老化方法将显示器件放置在氧气或者含氧气氛中,如果是以硫化物为发光层则还需要消除气氛中的水汽,预先老化足够长的时间,等器件中绝大部分的打火都结束,再将器件封装在保护气氛中后续老化。由于在含氧气氛中,电极在打火时自身被氧化,形成绝缘层,抑制了扩展型打火的产生,使断线产生的可能性降到最低。本文所提供的老化方法大幅度提高显示器的可靠性,提高器件生产的成品率和生产效率,降低了制备薄膜所需的环境和设备要求,降低了成本,适用于大批量生产。
张羿楼均辉肖田刘红君周团团
关键词:无机电致发光氧气介质层自愈
无机薄膜电致发光平板显示器的老化工艺
本文主要阐述了一种无机薄膜电致发光(TFEL)显示器的老化技术方法.该老化方法将显示器件在氧气或者含氧气氛中预先老化足够长的时间,使TFEL器件中由薄膜的针孔等缺陷所诱发的打火自行愈合,然后再将器件封装在保护气氛中继续老...
张羿楼均辉肖田刘红君周团团
关键词:电致发光显示器
文献传递