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一种增强散热的TVS二极管: 本实用新型涉及TVS二极管技术领域，公开了一种增强散热的TVS二极管，包括芯片，所述芯片的两侧均设有焊料，位于上方的所述焊料的上端设有跳线，位于下方的所述焊料的下端设有全包围基片，所述全包围基片上设有胶体，所述胶体内设有...; 程刚

一种单向低电容TVS二极管: 本实用新型公开了一种单向低电容TVS二极管，包括二极管，所述二极管外端套设置有保护壳一和保护壳二，所述保护壳一和保护壳二外壁分别固定安装有第二卡座和第一卡座，所述第二卡座和第一卡座之间卡舌相卡接。本实用新型所述的一种单向...; 马奕俊

平面集成TVS二极管对半导体桥火工品换能元性能的影响因素: 2025年; 为探究平面集成瞬态抑制二极管(TVS)对半导体桥(SCB)火工品换能元性能的影响因素以及规律,通过电容放电发火实验,研究了平面集成TVS二极管的并联数量与击穿电压对半导体桥火工品换能元的电爆性能的影响,并通过500 pF/500Ω/25 kV静电放电实验,研究了其对半导体桥火工品换能元的静电可靠性能的影响。结果表明,当激励能量使单个平面集成TVS二极管单位时间吸收的能量接近上限时,增加平面集成TVS二极管并联数量会延长SCB火工品换能元的爆发时间,影响SCB火工品换能元正常爆发,反之,若激励能量不足以使单个平面集成TVS二极管单位时间吸收的能量接近其上限,则SCB火工品换能元爆发性能不会随并联平面集成TVS二极管的数量变化而变化;当激励电压大于平面集成TVS二极管的击穿电压时,TVS二极管击穿电压越低,SCB火工品换能元的爆发时间越长,爆发能量越大,甚至影响SCB火工品换能元正常爆发;降低平面集成TVS二极管的击穿电压、增加并联数量都能够提高SCB火工品换能元的静电可靠性能;设计桥区尺寸为350μm(W)×100μm(L)×2μm(H)的抗静电集成半导体桥芯片时可以集成两个击穿电压略低于14 V或一个击穿电压略高于7 V的TVS二极管。; 陶禹任王磊周彬王军; 关键词：火工品 TVS二极管

一种大通流TVS二极管PN结的形成方法: 本发明属于半导体/集成电路的设计及制造领域，具体为一种大通流TVS二极管PN结的形成方法。包括：选择掺杂硅衬底，在衬底表面形成氧化层，在氧化层上显影出不同形状的trench俯视图形，再通过刻蚀工艺在衬底上刻蚀出trenc...; 周伟伟王行之韩石磊

一种PCB型TVS二极管封装及其制备工艺: 本发明公开了一种PCB型TVS二极管封装及其制备工艺，包括BT树脂PCB板和环氧树脂，所述BT树脂PCB板的外表面设置有TVS管，所述环氧树脂安置在TVS管的上表面。该PCB型TVS二极管封装及其制备工艺主要采用BT树脂...; 窦鑫

一种TVS二极管: 本实用新型公开了一种TVS二极管，包括电路板，电路板的上表面固定连接有两组支撑板，两组支撑板的上表面均固定连接有两组具有弹性的夹板，同侧两组夹板的中部均开设有定位凹槽，定位凹槽的凹面均固定连接有连接导片，两组支撑板之间设...; 马奕俊

一种双向TVS二极管结构: 本发明涉及二极管技术领域，且公开了一种双向TVS二极管结构，该双向TVS二极管结构，包括二极管本体，所述二极管本体的端部固定安装有连接套，所述二极管本体的端部固定安装有连接芯，所述连接套的内部设置有锁紧连接机构。为了保证...; 秦志方杜家旺薛嘉文

一种TVS二极管封装结构: 本发明涉及二极管技术领域，提出了一种TVS二极管封装结构，包括封装壳，所述封装壳的内部开设有通风孔，所述通风孔上设置有若干个阵列等距分布的散热格栅，所述封装壳上分别开设有导入孔和排出孔，安装时，滑杆滑动插入滑槽，固定卡块...; 吴昊陆亚斌王成

一种双向TVS二极管结构: 本发明涉及二极管技术领域，且公开了一种双向TVS二极管结构，该双向TVS二极管结构，包括二极管本体，所述二极管本体的端部固定安装有连接套，所述二极管本体的端部固定安装有连接芯，所述连接套的内部设置有锁紧连接机构。为了保证...; 秦志方杜家旺薛嘉文

一种低电容TVS二极管: 本实用新型涉及二极管技术领域，且公开了一种低电容TVS二极管，包括壳体，所述壳体的内部固定设置有TVS二极管元件，所述TVS二极管元件底部的左右两侧均固定连接有金属引线，所述壳体左右两侧的底部均开设有活动槽，两个所述金属...; 朱文豪

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