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Si基SiC薄膜物理制备工艺研究进展: 2024年; 随着微纳电子器件集成化程度不断提高,用Si基SiC薄膜取代SiC体单晶引起了人们极大的兴趣,这种方法不仅有利于降低生产成本,还能与Si基大规模集成电路兼容。文章综述了磁控溅射、分子束外延、离子束溅射、离子注入4种物理制备Si基SiC薄膜主要工艺的研究进展,简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响,对各种工艺的优缺点和存在的问题进行了评述,同时指明了Si基SiC薄膜领域未来的发展方向。; 苏江滨朱秀梅季雪梅祁昊潘鹏何祖明; 关键词：SIC薄膜分子束外延离子束溅射离子注入

基于SiC薄膜忆阻器的性能及应用研究: 生物大脑神经系统具有高效性和节能性,可以克服传统冯·诺依曼体系架构面临的存储墙和功耗墙瓶颈,受此启发而衍生的类脑神经形态计算因此颇受研究者关注。生物大脑中神经元数量约为1011个,突触数量约为1015个,因而构建高效的神...; 邵一铎; 关键词：SIC 脉冲神经网络

硅基SiC薄膜制备与应用研究进展: 2024年; 碳化硅(SiC)材料具有极为优良的物理、化学及电学性能,可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用,碳化硅还是极端工作条件下微机电系统(MEMS)的主要候选材料,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。同时,碳化硅有与硅同属立方晶系的同质异形体,可与硅工艺技术相结合制备出适应大规模集成电路需要的硅基器件,因此用硅晶片作为衬底制备碳化硅薄膜的工作受到研究人员的特别重视。本文综述了近年来国内外硅基碳化硅薄膜的研究现状,就其制备方法进行了系统的介绍,主要包括各种化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)法和物理气相沉积(Physical vapor deposition,PVD)法,并归纳了对硅基碳化硅薄膜性能的研究,包括杨氏模量、硬度、薄膜反射率、透射率、发光性能、电阻、压阻、电阻率和电导率等,以及其在微机电系统传感器、生物传感器和太阳能电池等领域的应用,最后对硅基碳化硅薄膜未来的发展进行了展望。; 杨晨光王秀峰; 关键词：化学气相沉积物理气相沉积生物传感器太阳能电池

聚焦离子束在二维多孔Si/Al_(2)O_(3)/SiC薄膜透射电镜截面微观结构表征中的应用被引量：1: 2023年; 二维多孔Si/Al_(2)O_(3)/SiC薄膜材料的透射电镜截面微观结构表征中,存在薄膜易脱落、脆性大、耐磨性差,以及选区制备难度大、制样效率低、成功率低等问题。采用聚焦离子束技术,成功地进行了二维多孔Si/Al_(2)O_(3)/SiC薄膜的透射电镜截面微观形貌的表征。结果表明,聚焦离子束技术是一种可以有效减少二维多孔薄膜样品制备过程中的损伤,进行高质量进行透射电镜截面微观结构表征的方法。; 陶伟杰刘灿辉陶莹雪贺振华; 关键词：聚焦离子束透射电镜微观结构

一种高温耐磨富碳SiC薄膜的制备方法: 本发明公开了一种高温耐磨富碳SiC薄膜的制备方法，采用离子束辅助磁控溅射技术，包括以下步骤：步骤一、对衬底进行常规清洗；步骤二、进一步对衬底进行溅射清洗，并刻蚀靶材；步骤三、利用直流磁控溅射在衬底表面沉积Cr，形成Cr薄...; 王军军王林青黄伟九王莉

一种3C-SiC薄膜的制备方法: 本发明涉及一种3C‑SiC薄膜的制备方法，属于半导体材料技术领域。上述制备方法包括如下步骤：S1.选取石墨作为衬底；S2.选取金属催化剂和靶材，其中，金属催化剂为铜、银和金中的任意一种；所述靶材为Si靶；S3.使用金属催...; 范梦慧谢泉艾学正王凯杨云飞李鑫

基于单一气源的PECVD方法制备SiC薄膜及其微观结构研究被引量：2: 2022年; 为制备出满足惯性约束聚变(ICF)实验要求的SiC薄膜,本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,以四甲基硅(TMS)作为唯一反应气源,在不同工作压强下制备SiC薄膜。利用扫描电子显微镜、表面轮廓仪、原子力显微镜、精密电子天平、X射线光电子能谱、傅里叶变换红外光谱对薄膜进行表征与分析。结果表明:SiC薄膜的成分与工作压强密切相关,随着工作压强的增加,薄膜中Si含量整体呈下降趋势;随着工作压强的增加,薄膜沉积速率先增大后减少,密度先减小后增大;与其他制备工艺相比,采用单一气源制备SiC薄膜,其表面粗糙度极低(1.25~1.85 nm),薄膜粗糙度随工作压强的增加呈先增大后减小的趋势。; 李子曦黄景林谢春平邓承付易泰民易勇杜凯; 关键词：SIC薄膜

探究直流磁控溅射下工艺参数对SiC薄膜性能的影响规律被引量：1: 2022年; 针对脉冲激光法和升华法制备SiC薄膜时,沉积速率比较低、薄膜厚度不均匀等问题,本文采用真空直流磁控溅射技术,利用一种高含碳量的SiC靶材,在平面玻璃衬底表面沉积SiC薄膜,通过改变直流电源功率、溅射气压,研究了不同参数对薄膜沉积速率、薄膜厚度均匀性的影响。采用台阶仪、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)分别对薄膜厚度、横截面形貌和Si、C含量进行检测表征,从而得到最佳工艺参数。实验结果表明:在相同的溅射气压条件下,当溅射功率为2000W、电压为420V时,薄膜沉积速率达到15.39nm·min^(-1);相同的直流电源功率条件下,当溅射气压为0.8Pa时,沉积薄膜的厚度均匀性较好,变异系数在3%以内,同时薄膜沉积速率达到10.67nm·min^(-1);采用直流磁控溅射技术所制备的薄膜内部致密无孔洞,Si、C总含量在99%以上。; 张健李建浩齐振华; 关键词：直流磁控溅射溅射气压

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