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一种在Si(111)衬底上生长AlGaN外延薄膜的方法: 本申请公开了一种在Si(111)衬底上生长AlGaN外延薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：S100、获取Si衬底，以(111)面为外延面进行Al化预处理，S200、在Al化预处理后得到的Al原子层上沉积AlN成核层，S3...; 许福军沈波杨学林秦志新康香宁张立胜

Si（111）衬底MOCVD制备ZrN（100）单一取向氮化锆薄膜方法: 本发明提供了一种Si(111)衬底MOCVD制备ZrN(100)单一取向氮化锆薄膜方法，包括：将Si(111)衬底置入MOCVD设备的反应腔室中，在第一预设条件下烘烤Si(111)衬底，去除Si(111)衬底的表面氧化层...; 陈庆庆杨少延李成明杨瑞刘祥林姚威振

Si(111)衬底上Mg_(2)Si薄膜的XRD和拉曼光谱研究: 2021年; 采用磁控溅射方法在Si(111)衬底上分别沉积不同厚度的Mg膜,然后低真空退火处理得到结晶良好的Mg_(2)Si薄膜。一定条件下,Mg膜的最优沉积厚度为2300 nm,对应的Mg_(2)Si(220)衍射峰最强。所有样品均出现256 cm^(-1)附近的拉曼散射峰,该峰归因于Mg_(2)Si的F_(2g)振动模,且该振动模的积分强度随膜厚增加先增加后减小,硅衬底上2300 nm Mg膜退火后的Mg_(2)Si样品的拉曼积分强度最强。; 廖杨芳谢泉; 关键词：X射线衍射扫描电子显微镜拉曼

生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱及其制备方法和应用: 本发明公开了生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取：采用Si衬底；(2)衬底清洗；(3)衬底退火处理；(4)高温生长GaN纳米柱：在900‑1100℃的条件下生长Ga...; 李国强余粤锋高芳亮徐珍珠; 文献传递

生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱及其制备方法和应用: 本发明公开了生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取：采用Si衬底；(2)衬底清洗；(3)衬底退火处理；(4)高温生长GaN纳米柱：在900‑1100℃的条件下生长Ga...; 李国强余粤锋高芳亮徐珍珠

Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响被引量：2: 2015年; 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在具有偏角(0°~0.9°)的Si(111)衬底上生长了Ga N薄膜。采用高分辨X射线衍射(HRXRD)对Si衬底的偏角进行了精确的测量,利用HRXRD、原子力显微镜(AFM)以及光致发光(PL)对外延薄膜的晶体质量、量子阱中In组分、表面形貌及光学特性进行了研究。结果表明,Si(111)衬底偏角对量子阱中的In组分、Ga N外延膜的表面形貌、晶体质量以及光学性能具有重大影响。为了获得高质量的Ga N外延薄膜,衬底偏角必须控制在小于0.5°的范围内。超出该范围,Ga N薄膜的晶体质量、表面形貌及光学性能都明显下降。; 武芹全知觉王立王立张建立江风益; 关键词：SI衬底偏角 MOCVD

Si(110)和Si(111)衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管被引量：1: 2014年; 分别在Si(110)和Si(111)衬底上制备了In Ga N/Ga N多量子阱结构蓝光发光二极管(LED)器件.利用高分辨X射线衍射、原子力显微镜、室温拉曼光谱和变温光致发光谱对生长的LED结构进行了结构表征.结果表明,相对于Si(111)上生长LED样品,Si(110)上生长的LED结构晶体质量较好,样品中存在较小的张应力,具有较高的内量子效率.对制备的LED芯片进行光电特性分析测试表明,两种衬底上制备的LED芯片等效串联电阻相差不大,在大电流注入下内量子效率下降较小;但是,相比于Si(111)上制备LED芯片,Si(110)上LED芯片具有较小的开启电压和更优异的发光特性.对LED器件电致发光(EL)发光峰随驱动电流的变化研究发现,由于Si(110)衬底上LED结构中阱层和垒层存在较小的应力/应变而在器件中产生较弱的量子限制斯塔克效应,致使Si(110)上LED芯片EL发光峰随驱动电流的蓝移量更小.; 刘战辉张李骊李庆芳张荣修向前谢自力单云; 关键词：硅衬底 INGAN/GAN多量子阱发光二极管

Si（111）衬底上AIN材料的生长与研究: A1N的禁带宽度为6.2eV,大于大部分的半导体材料,其载流子饱和漂移率、临界击穿场强、热导率、压电性能及耐高温抗辐射能力相比其他很多半导体材料有着较大的优势。这些优势为A1N材料在大功率器件、抗辐射器件、紫外探测器件等...; 程伟; 关键词：SI(111)ALN MOCVD; 文献传递

Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长被引量：5: 2011年; 利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光谱(RAMAN)和X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400、600、700、800℃)生长的薄膜进行结构表征.RAMAN和NEXAFS结果表明:在800℃下制备的薄膜具有石墨烯的特征,而400、600和700℃生长的样品为非晶或多晶碳薄膜.RHEED和FTIR结果表明,沉积温度在600℃以下时C原子和衬底Si原子没有成键,而衬底温度提升到700℃以上,沉积的C原子会先和衬底Si原子反应形成SiC缓冲层,且在800℃沉积时缓冲层质量较好.因此在Si衬底上制备石墨烯薄膜需要较高的衬底温度和高质量的SiC缓冲层.; 李利民唐军康朝阳潘国强闫文盛韦世强徐彭寿; 关键词：SI(111)衬底

Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长被引量：1: 2011年; 在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AlN为缓冲层,使用氢化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15μm的c面GaN厚膜。并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质。分析结果表明,GaN厚膜具有六方纤锌矿结构,外延层中存在的张应力较小,为0.17GPa,在363.7nm处具有很强的GaN带边发光峰,没有黄带出现。AlN缓冲层有效地阻止了Si衬底和反应气体发生非生长的附加反应,并减小了GaN厚膜自身残余应力,有利于Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜的生长。; 颜怀跃修向前华雪梅刘战辉周安张荣谢自力韩平施毅郑有炓; 关键词：氢化物气相外延 HVPE SI GAN

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