搜索到1415篇“ PIN二极管“的相关文章
- 一种基于PIN二极管的可切换吸透一体超材料设计
- 2024年
- 设计并验证了一种基于集总电阻和PIN二极管的可切换吸透一体超材料结构,以实现宽带透波和通带可开关特性。该超材料单元结构由连接集总电阻的交指谐振器、带通频率选择表面层以及加载PIN二极管的开关控制层组成。通过等效电路理论对单元结构与谐振频率之间的关系进行了分析。通过对单元结构的表面电流和电场分布的分析,揭示了其吸波机理。研究结果表明:当PIN二极管处于导通状态时,设计的结构在9.48~10.31GHz透波频段内插入损耗低于1d B,在5.34~8.08GHz和11.89~15.14GHz频段内具有90%以上的吸波率,并且在5.21~15.37GHz频带内整体反射系数低于-10d B,展现出良好的宽频隐身效果;而当PIN二极管处于截止状态时,原本的通带变为全反射带,反射系数大于-1d B。这一设计在隐身领域具有潜在应用价值。
- 李良柱张健穹林良圳李相强王庆峰
- 关键词：PIN二极管
- 基于变分模态分解和自动编码器的PIN二极管温度特性预测
- 2024年
- 提出融合变分模态分解(VMD)和自编码器的预测方法,将温升特性曲线分解成若干个子信号分量,其中包含高频的波动量、中间量和低频的趋势量,然后利用自编码器对每个分量进行预测,最后将分量的预测值相加,从而实现对PIN二极管温升特性曲线的精准预测。通过与多种机器学习方法的对比验证了结合VMD分解可有效提升预测精度,同时也验证了自编码器在特性曲线拟合上的优势。
- 张洋周扬张泽海阳福香葛行军
- 关键词：PIN二极管
- 一种PIN二极管等效电路
- 本实用新型涉及射频技术领域，公开了一种PIN二极管等效电路，包括电容C1、电容C2和多个NMOS管；所有NMOS管依次串联，首端NMOS管的漏极与电容C1一端电连接，电容C1另一端为第一射频连接端，尾端NMOS管的源极与...
- 刘刚王贵来黄小妍郭天生赵鹏
- 一种PIN二极管等效电路
- 本发明涉及射频技术领域，公开了一种PIN二极管等效电路，包括电容C1、电容C2和多个NMOS管；所有NMOS管依次串联，首端NMOS管的漏极与电容C1一端电连接，电容C1另一端为第一射频连接端，尾端NMOS管的源极与电容...
- 刘刚王贵来黄小妍郭天生赵鹏
- 一种PIN二极管的制备方法
- 本发明属于半导体生产技术领域，具体的说是一种PIN二极管的制备方法，该制备方法步骤如下，S1：将SiC衬底放置在真空的反应釜内部，进而将反应釜内部加热到1600‑1700℃，并通过化学气相沉积法，在SiC衬底表面上生成外...
- 黄传伟李健吕民娟诸建周
- 一种PIN二极管用检测设备
- 本发明涉及二极管技术领域，具体为一种PIN二极管用检测设备，包括支撑脚，所述支撑脚的上端面前后两端均固定安装有支撑架；两个所述支撑架的左右两端均设置有滚筒；两个所述滚筒的前后两端均固定连接有滚筒连杆，所述滚筒连杆通过轴承...
- 胡荣
- 一种PIN二极管及其制备方法
- 本申请公开了一种PIN二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的PIN二极管，包括衬底、P型结构以及设置于衬底上的漂移层，其中，P型结构嵌设于漂移层的顶部，P型结构包括P层级以及环绕设置于P层级外周的结扩散区，...
- 钱清友姚佳飞孙启江林华管青青陈勇孙铭顺
- 准垂直结构PIN二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种准垂直结构PIN二极管及其制备方法。准垂直结构PIN二极管包括：衬底；基于氮化镓的P型外延层，位于衬底的一侧；本征氮化镓外延层，位于P型外延层远离衬底的一侧；N型氮化镓外延层，位于本征氮化镓外延层远离衬底的...
- 霍树栋高云云
- 基于柔性PIN二极管的辐照强度检测器
- 本发明涉及的检测器适用于对空间中辐射源辐射强度的检测，为实现对质子辐射，电离辐射和中子辐射辐射强度的快速高效检测。本发明，基于柔性PIN二极管的辐照强度检测器，可拆卸的辐照探测阵列，包括探测阵列控制单元、可拆卸的辐射强度...
- 秦国轩赵政张一波王亚楠党孟娇
- 一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管
- 本发明提出的是一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管，其结构包括GaAs衬底、P型半导体层、I型半导体层、N型半导体层，其中GaAs衬底的表面自下而上依次设置N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层；所述的N型半导体层...
- 蒋东铭
相关作者
- 舒斌
- 作品数：290被引量：58H指数：5
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
- 宣荣喜
- 作品数：334被引量：88H指数：5
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
- 胡辉勇
- 作品数：470被引量：195H指数：7
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
- 苏汉
- 作品数：25被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：PIN二极管 等离子天线 离子注入工艺 隔离区 晶向
- 张鹤鸣
- 作品数：478被引量：271H指数：9
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
