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6.5kV非对称晶闸管的优化设计与工艺研究
2010年
本文简述了非对称晶闸管的结构特点及其工作原理,分析了非对称晶闸管的关键结构参数对其特性的影响,以及结构参数之间的相互制约关系。对6.5kV非对称晶闸管进行了特性模拟与优化,给出优化设计的纵向结构参数。并研究了非对称晶闸管的制作工艺,样品测试结果表明,6.5kV非对称晶闸管的设计参数和制作工艺方案是合理可行的。
尹启堂王彩琳
关键词:电力半导体器件非对称晶闸管优化设计
6.5 kV非对称晶闸管的优化设计与工艺研究
本文简述了非对称晶闸管的结构特点及其工作原理,分析了非对称晶闸管的关键结构参数对其特性的影响,以及结构参数之间的相互制约关系,对6.5kV非对称晶闸管进行了特性模拟与优化,给出优化设计的纵向结构参数。并研究了非对称晶闸管...
尹启堂王彩琳
关键词:电力半导体器件非对称晶闸管优化设计
文献传递
非对称晶闸管的阳极侧的短路结构
本发明的晶闸管在阳极(1)和阴极(2)间的半导体衬底(3)中包含一个由一个N型发射层(4)、一个P型基层(5),一个N型基层(6)和一个P型发射层(7)所组成的层系。P型发射层(7)被阳极短路区(8)分割,并因而被分成区...
P·施特赖特
文献传递
非对称晶闸管的阳极侧的短路结构
本发明的晶闸管在阳极(1)和阴极(2)间的半导体衬底(3)中包含一个由一个N型发射层(4)、一个P型基层(5),一个N型基层(6)和一个P型发射层(7)所组成的层系。P型发射层(7)被阳极短路区(8)分割,并因而被分成区...
P·施特赖特
文献传递
非对称晶闸管的阻断电压
1995年
在有效碰撞电离率近似下,推导出给定正向阻断电压和电流放大系数的AS-CR长基区参数满足的关系式。数值计算结果表明,把此关系式与有效碰撞电离率系数和雪崩倍增因子参数的经验公式相结合,是一种快速、精确设计ASCR正向阻断电压的方法。
高玉民
关键词:非对称晶闸管阻断电压
Φ50mm2000V快速非对称晶闸管
1992年
研制出直径50mm,2000V快速非对称晶闸管,其正向重复峰值电压达2000V,通态峰值压降不大于2.5V,通态平均电流为600A<关断时间小于30us,且具有良好的动态特性和控制特性。
卞抗
关键词:快速晶闸管非对称晶闸管
采用非对称晶闸管的新型McMurray逆变器
1990年
Zach,FC
关键词:逆变器晶闸管
Φ50毫米2000伏快速非对称晶闸管
卞抗
关键词:快速晶闸管断开时间关断
非对称晶闸管的设计与制造
张明童宗鉴
关键词:晶闸管耐压性
非对称晶闸管的设计考虑及N#+[+] 层的制作
肖浦英高玉民
关键词:晶闸管P-I-N二极管扩散

相关作者

尹启堂
作品数:5被引量:3H指数:1
供职机构:北京京仪椿树整流器有限责任公司
研究主题:优化设计 大功率 快恢复二极管 少子寿命 非对称晶闸管
王彩琳
作品数:112被引量:135H指数:7
供职机构:西安理工大学
研究主题:GCT 门极换流晶闸管 电力半导体器件 终端结构 透明阳极
高玉民
作品数:12被引量:12H指数:3
供职机构:陕西机械学院
研究主题:二极管 功率VDMOSFET 击穿电压 优化设计 CAD
肖浦英
作品数:6被引量:4H指数:2
供职机构:陕西机械学院
研究主题:场限环 晶闸管 N GTR 半导体器件
高玉民
作品数:1被引量:0H指数:0
供职机构:西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系
研究主题:非对称晶闸管 阻断电压