搜索到39篇“ 隧道再生“的相关文章
- 超深淤泥质下穿隧道再生材料围堰关键技术研究应用被引量：1
- 2021年
- 该项目为灞河下穿明挖隧道,是十四运会重难点项目。隧道全长2896m,下穿600m全宽主河道,隧道距橡胶坝坝体不足100m,隧道底界距淤泥层顶约14m淤泥,淤泥沉淀时间短,呈软塑~流塑状,超深泥流态淤泥开挖围护难度大,可参考经验少,通过总结研究及实践,攻克了关键技术难关,提高了施工效率,节约了投资,保证了安全质量及工期。
- 陈彦军
- 关键词：碰撞动力学
- 905nm隧道再生脉冲激光器研究
- 大功率半导体激光器具有体积小、效率高、易调制、使用寿命长等优点，广泛应用于通信、加工、美容医疗等领域。 本文主要针对905nm三有源区半导体激光器，为了实现在更小的发光面积下获得更高的峰值输出功率和更好的光束质量，通过...
- 张秋月
- 关键词：半导体激光器光束质量峰值功率电光转换效率
- 多有源区隧道再生半导体激光器稳态热特性
- 2011年
- 利用有限元软件ANSYS结合傅里叶定律,对制约适用于光纤耦合输出的新型高功率多有源区隧道再生半导体激光器长寿命工作的稳态热特性进行了系统计算、分析。获得了这种新型器件工作时各有源区温度分布特征及与传统单有源区器件稳态热特性的区别,并给出了多有源区隧道再生半导体激光器工作时各有源区温度的估算方法,同时对有效降低这种新型器件热阻的方法进行了讨论。结果表明:连续工作时,多有源区隧道再生半导体激光器比同材料体系传统结构器件更易获得较高的输出功率。
- 王智群尧舜崔碧峰王智勇沈光地
- 关键词：半导体激光器光纤耦合多有源区隧道再生
- 载流子输运和寄生参数对隧道再生双有源区垂直腔面发射激光器调制特性的影响被引量：1
- 2009年
- 建立了一种适用于多量子阱和多有源区的多层速率方程模型.通过小信号分析,得到了光子密度、载流子俘获、逃逸和隧穿时间等关键参数对单有源区和隧道再生双有源区垂直腔面发射激光器频率响应特性的影响,并分析了在相同驱动电流下隧道再生双有源区器件调制带宽大于单有源区器件的原因.进一步研究了隧道再生双有源区内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器的寄生电参数及其寄生电路,对其频率响应进行了模拟分析.
- 王同喜关宝璐郭霞沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器速率方程调制特性隧道再生
- 隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究被引量：4
- 2008年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时间和达到热平衡时的温度均随注入电流占空比的增加而增加,热弛豫积累时间小于200ms。芯片内部温度分布表明,靠近衬底的有源区温度略高于靠近热沉的有源区温度,但温度差较小,热效应造成的波长漂移不会造成双峰现象。实验测量了在相同的边界条件下,不同占空比下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。
- 张蕾崔碧峰沈光地郭伟玲刘斌王智群
- 关键词：半导体激光器隧道再生占空比
- 隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布被引量：1
- 2008年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布。瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很快,几百个ms以后温度达到稳态,与测量结果吻合。稳态模拟结果表明,稳态时温升集中在脊形电极内,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度。沿腔长方向存在温差,在光反射腔面附近温度下降较快。芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的光出射腔面的脊形电极中心。
- 张蕾崔碧峰段天利马楠郭伟玲王智群沈光地
- 关键词：半导体激光器瞬态稳态隧道再生
- 隧道再生半导体激光器的三维稳态热特性研究被引量：1
- 2008年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器稳态三维温度分布。模拟结果表明,靠近衬底的有源区的光出射腔面中心的温度最高。在平行于结的方向上,温升集中在脊形电极内;在垂直于结的方向上,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度;沿腔长方向,在光反射腔面附近温度下降较快。随着注入电流的增大,两有源区的温度升高,温差变大。实验测量了不同注入电流下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。
- 张蕾崔碧峰郭伟玲王智群沈光地
- 关键词：半导体激光器稳态隧道再生
- 焊料空隙对隧道再生半导体激光器温度分布的影响被引量：1
- 2008年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型.模拟计算得到了2个有源区隧道再生半导体激光器三维稳态温度分布,分析了焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响.结果表明,当芯片与焊料为理想全接触时,靠近衬底的有源区的热量积累略高于靠近热沉的有源区的热量;随着空隙的增大,焊料空隙上方靠近热沉的有源区的局部温升较快,容易引起正反馈的电热烧毁,与实验结果吻合.
- 张蕾崔碧峰高昕李明郭伟玲王智群沈光地
- 关键词：半导体激光器温度分布隧道再生
- 双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究被引量：8
- 2007年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,分析了三种封装方式对芯片内部温度分布的影响;模拟结果表明加电后几微秒的时间内,芯片内温度场分布主要由隧道再生结构的热特性决定,与封装形式关系不大;在几微秒到几十或一百毫秒的时间范围内,有源区的温度上升很快;几百毫秒以后,器件温度达到稳态,有源区的平衡温度主要决定于载体的散热特性。稳态时靠近衬底的有源区温度高于靠近热沉的有源区的温度,但两有源区的温差很小,芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的脊形中心。
- 张蕾崔碧峰黄宏娟郭伟玲王智群沈光地
- 关键词：半导体激光器瞬态稳态隧道再生封装
- 高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
- 高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED)，属于半导体光电子技术领域，涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极(1)，红色发光单元(14)，隧道结(9)，由绿色发光单元(15)、蓝色发光单元(...
- 沈光地郭霞郭伟玲高国
- 文献传递
相关作者
- 沈光地
- 作品数：447被引量：987H指数：12
- 供职机构：北京工业大学
- 研究主题：半导体激光器 垂直腔面发射激光器 发光二极管 红外探测器 MOCVD
- 廉鹏
- 作品数：53被引量：112H指数：7
- 供职机构：北京工业大学
- 研究主题：半导体激光器 隧道再生 垂直腔面发射激光器 MOCVD 多有源区
- 崔碧峰
- 作品数：127被引量：276H指数：9
- 供职机构：北京工业大学
- 研究主题：半导体激光器 大功率半导体激光器 腔面 隧道再生 热特性
- 邹德恕
- 作品数：201被引量：270H指数：8
- 供职机构：北京工业大学
- 研究主题：半导体激光器 发光二极管 紫外探测器 垂直腔面发射激光器 微机械
- 郭伟玲
- 作品数：197被引量：533H指数：11
- 供职机构：北京工业大学
- 研究主题：半导体激光器 可靠性 LED 发光二极管 GAN
