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一种富集镓的方法
本发明公开了一种富集镓离子的方法，属于湿法冶金技术领域。所述富集镓离子的方法，包括以下步骤：1)将含镓铁原料转化为含氢氧化镓和氢氧化铁的沉淀物；2)将所述沉淀物、盐酸水溶液、氯化废盐和还原剂混合反应，得到酸浸液；3)采用...
秦治峰姜洋皇甫林王奎
一种氧化镓薄膜外延方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种氧化镓薄膜外延方法。该方法包括步骤：在衬底上外延生长GaN薄膜；对GaN薄膜进行表面氧化处理，使表面的GaN薄膜氧化为Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>缓冲层；对...
陈端阳齐红基杨珍妮
一种高纯氧化镓碳化装置
本实用新型公开了一种高纯氧化镓碳化装置，包括碳化反应炉，碳化反应炉设置有用于输入气体的气体输送装置、用于向反应炉注入液体的液体注入装置、用于对反应炉进行搅拌的机械搅拌装置、与计算机连接并用于实时监测反应炉内液体环境pH值...
陶进长张魁芳曹洪杨高远蒋玉思张伟胡凯高艳芬郑莉莉
一种锑化镓多晶合成方法
本发明公开了一种锑化镓多晶合成方法，包括以下步骤：称取锑与镓；放入石英管；放入合成炉；加热合成；逐渐冷却；取出锑化镓多晶。通过本合成方法，能合成高质量锑化镓多晶，利用合成的锑化镓多晶进行单晶生长，可以有效的解决用高纯锑单...
黄四江王美春尹归杨海平殷云川林作亮王顺金刘得伟
一种棒状氧化镓及其制备方法
本发明属于半导体粉体制备技术领域，公开了一种棒状氧化镓及其制备方法，用以提出一种棒状纳米氧化镓的制备方法。本发明以尿素作为沉淀剂，通过将其加入到镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、研磨和筛...
陈杰岳康伟王之君孙本双何季麟
一种氧化镓n型掺杂方法
本发明公开了一种氧化镓n型掺杂方法，涉及ε相氧化镓的掺杂方法，针对现有技术中掺杂质量差等问题提出本方案。基于有机化学气相沉积法在衬底上依次生长非故意掺杂层和n型掺杂层；所述非故意掺杂层和n型掺杂层均为ε相氧化镓；在生长n...
陈梓敏蔡彬荻王钢
一种氧化镓薄膜及其制备方法
本发明公开了一种氧化镓薄膜及其制备方法，方法包括：将镓源在热乙醇中进行热处理，得到流体镓源；对衬底进行预处理，衬底包括前驱衬底和主衬底；将流体镓源置于预处理后的前驱衬底上，并将前驱衬底和主衬底一同置于化学气相淀积反应腔室...
汪金王瑞薛俊俊智婷
一种粉煤灰中提取镓的方法
本发明提供一种粉煤灰中提镓的方法，属于冶金和化工的交叉领域，包括以下步骤：将粉煤灰与硝酸A混合进行加压二段浸出；向第二滤液中加入偏锡酸絮凝剂，偏锡酸絮凝剂对镓的吸附率90‑93％；负载吸附剂与硝酸B混合再生；将含镓高酸液...
邓婉琴王淋川何永但勇赵林
一种丝状纳米氧化镓及其制备方法
本发明属于无机材料制备技术领域，公开了一种丝状纳米氧化镓及其制备方法，用以提出一种新的丝状纳米氧化镓的制备方法。本发明以碳酸氢钠为沉淀剂，通过将其滴加至镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、...
陈杰岳康伟刘苗孙本双何季麟
一种图形化氧化镓衬底及其制备方法
本发明公开了一种图形化氧化镓衬底及其制备方法，所述图形化氧化镓衬底表面由相同的呈规则排列的图形组成，每个图形为n+2个棱台(0≤n≤10)和一个棱台或者棱锥构成的多层塔状结构，每层结构按底面面积从大到小逐层向上排列。本发...
祁颂李山唐为华
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杨镓宁
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作品数：21被引量：0H指数：0
供职机构：中国电信股份有限公司
研究主题：呼叫 用户 路由 拨打 宽带无线接入
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研究主题：手机传播 跨文化传播 跨文化 媒介化 逻辑
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作品数：12被引量：5H指数：1
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研究主题：阿里斯托芬 爱欲 欧里庇得斯 大西 立法者