搜索到31篇“ 速度过冲“的相关文章
全部数字资源类型
相关度排序
柱体绕流速度过冲的数值模拟
本文采用商业软件FLUENT 6.3.26，对不同形状柱体的空气绕流进行了数值模拟，研究了空气流速、排数、排列方式对速度过冲现象的影响规律。模拟发现：对于不同形状的柱体都有速度过冲现象产生；对于多排顺列柱体的绕流问题，速...
关键词：速度过冲数值模拟
文献传递网络资源链接
考虑速度过冲的单载流子光探测器特性被引量：1
2010年
通过在器件模拟中引入考虑了速度过冲效应的水动力学模型,对单载流子光探测器(UTC-PD)的传统漂移扩散模型进行了改进。结果表明,电子的速度过冲有效地减小了空间电荷效应,从而提高了器件的带宽。同时,通过对器件的直流和交流特性分析,研究了吸收层和收集层参数对器件性能的影响。
李国余张冶金李小健田立林
关键词：水动力学热载流子速度过冲渡越时间
一个含有速度过冲效应的SOI\MOS器件模型
该文给出了一个含有速度过冲效应ＳＯＩ／ＭＯＳ器件解析模型。速度过冲效应在模型中被考虑而不显著地增加模型的复杂性和计算时间。模型的计算结果可以和沟道长度为０．１５微米的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴＩ－Ｖ实验曲线吻合较好。
廖怀林张兴黄如王阳元
关键词：解析模型
文献传递网络资源链接
一个含有速度过冲效应的SOI\MOS器件模型
给出了一个含有速度过冲效应ＳＯＩ／ＭＯＳ器件解析模型。速度过冲效应在模型中被考虑而不显著地增加模型的复杂性和计算时间。模型的计算结果可以和沟道长度为０．１５微米的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴＩ－Ｖ实验曲线吻合较好。
廖怀林张兴黄如王阳元
关键词：解析模型
考虑速度过冲效应的HEMT物理模型被引量：1
1997年
本文提出一种考虑速度过冲效应的HEMT器件静态和小信号解析物理模型。通过对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯场近似，提出了一个半经验的速度过冲模型，在非线性电荷控制模型的基础上，导出了基于物理参数的HEMT器件电流一电压特性和小信号等效电路参数的解析表达式。实际计算结果与测得数据比较表明，本模型具有比较高的精度。
黄艺沈楚玉
关键词：速度过冲微波半导体器件
考虑速度过冲效应的亚1／4微米MOSFET器件解析模型被引量：3
1994年
提出了一个考虑速度过冲效应的亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ器件解析模型。亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ靠近源端沟道内电子速度过冲归因于该区域内的强电场。采用源附近电场的弱强阶梯场近似，根据有关弱强阶梯场中速度过冲模拟结果，提出了一个半经验速度过冲因子模型。用此模型和准二维分析方法，得到了解析的漏电流、跨导模型。计算得到的漏电流、跨导与有关实验报导符合较好。速度过冲分析得到的器件速度过冲模型与沟道掺杂浓度的关系得到了有关实验验证。
牛国富阮刚
关键词：场效应晶体管
短沟道GaAs MESFET中的速度过冲效应
1983年
已经发现短沟道CaAs MESFET(栅长短于1μm)的器件参数与栅长有关,随着栅长的缩短,出现速度峰的电场E_p和速度峰V_p的数值要单调增加,这是由于短沟道器件中出现非平衡速度过冲效应所致.文中给出了各种栅长下的E_p和V_p,还给出了考虑到非平衡速度过冲效应后GaAs的速-场近似关系.
冯育坤
关键词：沟道速度过冲电场分布MESFET
亚微米MOSFET'S速度过冲效应的二维数值分析
倪福友
低摩擦活塞式执行机构
本实用新型涉及低摩擦活塞式执行机构。上缸体与下缸体面对面上下对称布置，中间缸盖夹装在上缸体与下缸体之间，上缸体、和下缸体紧固连接成一体；活塞设置在中间缸盖的内孔中，活塞外圆表面与中间缸盖内孔表面之间设置有活塞密封导向组件...
陈彦邓传湖徐刚
文献传递
低摩擦活塞式执行机构
本发明涉及低摩擦活塞式执行机构。上缸体与下缸体面对面上下对称布置，中间缸盖夹装在上缸体与下缸体之间，上缸体、和下缸体紧固连接成一体；活塞设置在中间缸盖的内孔中，活塞外圆表面与中间缸盖内孔表面之间设置有活塞密封导向组件；推...
陈彦邓传湖徐刚
加载更多 ∨

相关作者

沈楚玉
作品数：14被引量：6H指数：2
供职机构：东南大学电子科学与工程学院毫米波国家重点实验室
研究主题：场效应管 微波 微波场效应管 MESFET 物理模型
黄艺
作品数：6被引量：3H指数：1
供职机构：东南大学电子科学与工程学院毫米波国家重点实验室
研究主题：微波 场效应管 物理模型 速度过冲 统计模型
蔡瑞仁
作品数：3被引量：4H指数：2
供职机构：中国科学技术大学
研究主题：SIGE_HBT 基区渡越时间 速度过冲 锗硅异质结双极晶体管 HBT
王晓艳
作品数：47被引量：42H指数：4
供职机构：长安大学电子与控制工程学院
研究主题：应变SI 阈值电压 欧姆接触 能量转换效率 碳化硅
屈江涛
作品数：15被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：多晶 SIGE 互连线 刻蚀速率 保护区域