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稀磁半导体材料
1991年
顾霞敏
关键词:半导体材料
过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料的研究进展
2023年
对近年来稀磁半导体材料的应用前景及过渡金属掺杂CdO材料的室温铁性研究进展进行了简单阐述。重点对不同过渡金属掺杂剂及其浓度对CdO性能的影响进行了介绍,并从近几年国内外研究中未掺杂、过渡金属掺杂、过渡金属共掺杂以及不同制备方法对CdO性能的影响及其性来源等方面进行了评述。概述了未掺杂和不同浓度Mn、Co单元素掺杂CdO材料对室温铁性的影响,并总结了近年来过渡金属掺杂CdO材料稀磁半导体领域的研究进展。对比了不同过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料性能及性来源,并得出共掺杂工艺对提升CdO基稀磁半导体材料室温铁性有明显效果,最后对该领域的未来发展方向进行了展望。
张晨马勇高湉
关键词:自旋电子学CDO稀磁半导体室温铁磁性过渡金属
具有高居里温度的Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族稀磁半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种具有高居里温度的Ⅰ‑Ⅱ‑Ⅴ族稀磁半导体材料,所述稀磁半导体材料是以LiCdAs为本征体,在Cd离子位等价掺杂Mn的多晶材料;是一种可通过电荷与自旋分离调控的新型稀磁半导体。该材料除了居里温度可达318K外...
毋志民李越丁守兵罗一瑛李可心
文献传递
具有巨阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法
本发明涉及具有巨阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法,以及利用该稀磁半导体材料制成的半导体电子器件和包括该半导体电子器件的电子设备。根据一实施例,提供一种具有巨阻效应的稀磁半导体材料,其化学式为Na<Sub>1+x</...
靳常青于爽邓正
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一种提高离子注入GaN基稀磁半导体材料室温铁性的热退火方法
本发明为一种提高离子注入GaN基稀磁半导体材料室温铁性的热退火方法。该方法首先将非性离子注入到GaN基底中,对该样品进行快速热退火处理,然后将性金属注入到经过退火处理的离子注入GaN基底中,对双离子注入的GaN样品...
梁李敏刘彩池李英
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一种调控稀磁半导体材料室温性的方法
本发明公开了一种调控TiO<Sub>2</Sub>基稀磁半导体材料室温性的方法,该发明属于半导体材料领域。本方法采用具有不同晶格常数的衬底或缓冲层,诱导TiO<Sub>2</Sub>基薄膜材料产生晶格畸变。通过控制...
吴琛丁文洋严密
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土掺杂GaN基稀磁半导体材料的研究进展
2019年
GaN基稀磁半导体材料具有高于室温的铁性和优异的光电性能,在半导体电子自旋器件领域有广阔的应用前景。系统地介绍了制备方法对土Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料性的影响,讨论了Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料中铁性的起源,介绍了除Gd以外的土离子掺杂GaN基稀磁半导体材料中的铁性,以及共掺杂对GaN基稀磁半导体材料的铁性能的影响。目前,GaN基稀磁半导体材料的铁性仍无法满足半导体电子自旋器件的要求。共掺杂工艺可以有效地解决土离子掺杂引入的较大晶格应变,促进自旋电子之间的交互作用,是一种改善GaN基稀磁半导体材料的铁性能的有效途径。
梁李敏李英刘彩池
关键词:稀土掺杂铁磁性
具有巨阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法
本发明涉及具有巨阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法,以及利用该稀磁半导体材料制成的半导体电子器件和包括该半导体电子器件的电子设备。根据一实施例,提供一种具有巨阻效应的稀磁半导体材料,其化学式为Na<Sub>1+x</...
靳常青于爽邓正
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具有室温铁性的稀磁半导体材料及其制备方法和用途
具有室温铁性的稀磁半导体材料,包括一锗基片,一锗缓冲层,所述锗缓冲层生长于所述锗基片的表面,以及一锗铁薄膜,所述锗铁薄膜生长于所述锗缓冲层的表面,所述锗铁薄膜的组分为Ge<Sub>1‑x</Sub>Fe<Sub>x</...
金立川洪彩云张怀武饶毅恒唐晓莉钟智勇白飞明
文献传递
一种提高离子注入GaN基稀磁半导体材料室温铁性的热退火方法
本发明为一种提高离子注入GaN基稀磁半导体材料室温铁性的热退火方法。该方法首先将非性离子注入到GaN基底中,对该样品进行快速热退火处理,然后将性金属注入到经过退火处理的离子注入GaN基底中,对双离子注入的GaN样品...
梁李敏刘彩池李英

相关作者

邓正
作品数:44被引量:28H指数:2
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:稀磁半导体 自旋 固相反应法 前躯体 稀磁半导体材料
靳常青
作品数:241被引量:225H指数:8
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:超导体 超导材料 SUB 晶体结构 纳米陶瓷
赵侃
作品数:12被引量:15H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:稀磁半导体 稀磁半导体材料 ZN 自旋 电荷分离
严密
作品数:387被引量:32H指数:2
供职机构:浙江大学
研究主题:合金 软磁复合材料 晶界相 稀土永磁体 磁粉芯
陈余
作品数:11被引量:7H指数:2
供职机构:内蒙古工业大学理学院
研究主题:居里温度 稀磁半导体 稀磁半导体材料 居里 GAAS