搜索到3478篇“ 磁控溅射法“的相关文章
- 采用射频磁控溅射法在金刚石衬底上外延生长β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的方法及β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜
- 本发明涉及半导体器件的技术领域，具体涉及一种采用射频磁控溅射法在金刚石衬底上外延生长β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的方法及β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，包...
- 周泽民王佳琳彭彦军苏毅周雄刘鹏陈健禧何启科彭湃王璐
- 基于磁控溅射法生长hBN薄膜的MSM型真空紫外探测器(特邀)
- 2024年
- 针对目前大面积高质量六方氮化硼(hBN)薄膜的制备与转移存在均匀性、晶粒控制、无损转移等问题,采用射频磁控溅射技术成功在2英寸硅和蓝宝石介电衬底上沉积了hBN薄膜,拉曼光谱、X射线光电子能谱表征证实了薄膜具有明显的hBN特征。制备了hBN基金属-半导体-金属型光电探测器,并探究了电极材料、薄膜厚度以及叉指电极宽度和间距对探测性能的影响。优选出的Ni电极探测器具有极低的暗电流(<3 pA@100 V),对185 nm波长光具有明显光响应,响应度和比探测率分别为2.769 mA/W和2.969×10^(9)Jones。
- 房万年李强张启凡陈冉升李家兴刘康康云峰
- 关键词：六方氮化硼磁控溅射技术
- 磁控溅射法制备的硫化镉缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能
- 2024年
- 利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光电转换效率为7.0%的铜锌锡硫薄膜太阳电池.
- 陈玉飞廖华周志能赵永刚王书荣
- 关键词：磁控溅射法
- 磁控溅射法制备电致变色器件的研究进展被引量：1
- 2024年
- 电致变色材料在外部施加电压的作用下可实现光学特性的可逆性转换,基于此原理设计的电致变色器件因其优异的低功耗特性得到了广泛应用。在电致变色器件的制备工艺中磁控溅射技术因其工艺成熟,操作简单,镀膜质量好等优势成为研究者们制备电致变色器件的首选。文章简述了磁控溅射技术的原理与分类、电致变色器件的结构与原理,总结了近年来磁控溅射技术在电致变色器件制备过程中的应用。
- 谢意含杨小天胡小军张祺黄林茂
- 关键词：磁控溅射技术电致变色器件
- 同位靶磁控溅射法制备Al掺杂CdSe薄膜
- 2024年
- 为增加掺杂薄膜的元素均匀性,基于磁控溅射技术,设计了靶材同位共溅射制备掺杂薄膜的方法,并用于制备Al掺杂CdSe薄膜,获得了Al均匀掺杂的CdSe薄膜。结果表明:制备的薄膜为富Se状态,呈现明显的(111)择优取向。Al掺杂后的CdSe薄膜方块电阻由5.2 kΩ/□升高至544.5 kΩ/□。随着Al掺杂量的增加,薄膜的方块电阻下降。当共溅射Al片为6片时,薄膜方块电阻为7.7 kΩ/□,薄膜半导体类型由p型转变为n型。掺杂薄膜体电导率分别为192.4(未掺杂)、2.01×10^(4)(Al片数1)、506.9(Al片数2)、384.8(Al片数4)、284.9 mΩ·cm(Al片数6)。掺杂薄膜样品的禁带宽度Eg分别为1.82(未掺杂)、1.97(Al片数1)、1.75(Al片数2)、1.78(Al片数4)、1.82 eV(Al片数6)。
- 何惠江宣乐毛高翔刘辉王春海
- 一种磁控溅射法制备氮内嵌富勒烯的系统和方法
- 提供了一种磁控溅射法制备氮内嵌富勒烯的系统，包括真空反应腔体(101)、真空生成装置、富勒烯升华与沉积装置、气体回收装置、气体源、磁控溅射装置(401)和冷却装置；富勒烯升华与沉积装置设置于真空反应腔体内(101)，用于...
- 高松凌坤周珅蒋尚达伍智荣刘正
- 磁控溅射法制备高Ge组分GexSi1-x薄膜的工艺研究
- GexSi1-x合金材料作为Ge的二元合金材料,具有带隙宽度可调、与硅工艺技术兼容、成本低、易于集成等优点,被称为“第二代硅微电子技术”。GexSi1-x薄膜在微电子器件、光电集成器件、太阳能电池等领域均有着重要的应用前...
- 史家豪
- 关键词：磁控溅射退火工艺
- 磁控溅射法制备铜锌锡硫薄膜及其光伏器件性能的研究
- 铜锌锡硫（CuZn Sn S,CZTS）薄膜太阳能电池是一种新兴的半导体光伏器件。吸收层CZTS薄膜具有组成元素储量丰富,无毒环保,光吸收系数大(>10～4cm),稳定性好等诸多优点,从而具有大规模应用的潜力。分层磁控溅...
- 童汉宇
- 关键词：薄膜太阳能电池晶粒生长
- 磁控溅射法制备MoS2薄膜负极及其电化学性能研究
- 石墨(372 mAh g-1)等常见的负极材料受理论比容量的限制无法为锂离子电池提供更高的能量密度,因此需要迫切发展高倍率、高比容量的新型负极材料。二硫化钼（MoS2）是一种极具潜力的高理论比容量(670 m Ah g-...
- 佟培毅
- 关键词：MOS2电化学性能复合薄膜材料磁控溅射
- 一种用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法
- 本发明提供调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法，包括：S1、准备基底；S2、在基底表面溅射镀薄膜；S3、测试薄膜电阻均匀性；S4、根据电阻分布图改变靶基距；S5、更换新基底，重复S2，测试薄膜电阻均匀性；S6、根据S3和...
- 李兆营朱景春李萌萌
相关作者
- 李朋
- 作品数：80被引量：38H指数：4
- 供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所
- 研究主题：柱状晶 高硬度 非晶 非晶结构 磁控溅射法
- 黄峰
- 作品数：145被引量：50H指数：4
- 供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所
- 研究主题：磁控溅射 柱状晶 高硬度 陶瓷涂层 磨损率
- 齐宏进
- 作品数：71被引量：184H指数：9
- 供职机构：五邑大学
- 研究主题：孔径分布 溅射法制备 织物 磁控溅射法 磁控
- 胡益丰
- 作品数：144被引量：41H指数：4
- 供职机构：江苏理工学院
- 研究主题：相变存储器 超晶格 SUB 晶态 SB
- 马洪磊
- 作品数：116被引量：507H指数：15
- 供职机构：山东大学物理学院
- 研究主题：透明导电膜 清洗剂 磁控溅射 射频磁控溅射 SNO
