搜索到1072篇“ 碲镉汞红外探测器“的相关文章
- 碲镉汞红外探测器
- 介绍了碲镉汞探测器的发展现状，焦平面列阵、新型光电导成像器件—扫积型探测器及其它方面的一些新进展。指出碲镉汞器件近年来主要在下面两方面取得了较大进展：⒈用于光纤通信的短波器件，工作波长为1．3微米和1．55微米的通信系统...
- 童斐明
- 关键词：红外探测器红外扫描系统光导探测器碲化合物镉化合物内放大探测器
- 一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法
- 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括步骤：提供衬底，其包括光电材料层；在光电材料层上依次形成钝化层和介质层；刻蚀所述介质层形成第一通孔，暴露出所述钝化层；刻蚀所述第一通孔中的钝化层形成第二通孔，暴露出所述...
- 李伟伟帅浓陈路龚汉红毛剑宏
- 碲镉汞红外探测器及其芯片制造方法
- 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器及其芯片制造方法，属于半导体技术领域，该碲镉汞红外探测器的芯片制造方法，包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底上设有金属电极；在所述第一衬底的表面形成第二钝化层，所述第二钝化层上具有开口...
- 徐志敏张国锋李伟伟谭必松毛剑宏江益坤姚佳静
- 碲镉汞红外探测器离子束刻蚀研究
- 2024年
- 电极成型技术是红外焦平面探测器的重要组成部分,离子束刻蚀技术由于具有高各向异性和高分辨率等诸多优点,适用于制备低损伤、高均匀性以及可生产性的电极体系。本文采用离子束刻蚀制备了平面型、台面型器件的电极结构,通过FIB和SEM表征了不同刻蚀条件下的电极形貌和结构,研究了不同刻蚀角度、能量以及热处理对碲镉汞红外探测器的影响。结果表明,离子束刻蚀技术具有侧边平滑、均匀性高、稳定性强以及工艺重复性好等诸多优点。另外,离子束刻蚀可以实现台面结器件的电极隔离,但台面侧壁存在一定金属电极残留,需要进一步优化台面形貌和刻蚀角度。在热处理对刻蚀的影响上,低能量刻蚀形成的晶格损伤,经过高温可以修复;高能量刻蚀将同时造成晶格损伤和电学损伤,热处理只能一定程度上改善pn结性能,电学损伤将在刻蚀后表面形成严重的漏电效应,降低了探测器的品质因子R_(0)A。
- 宁提何斌刘静徐港
- 关键词：碲镉汞离子束刻蚀电极接触
- 一种碲镉汞红外探测器及其制备方法
- 本申请涉及红外探测器芯片制备领域，公开了一种碲镉汞红外探测器及其制备方法，包括准备经过离子注入的、表面分布有复合钝化层的碲镉汞晶片；复合钝化层包括层叠的第一钝化层和第二钝化层；去除第二钝化层；在处理后碲镉汞晶片的表面制作...
- 请求不公布姓名
- 一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法
- 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括步骤：提供衬底，其包括光电材料层；在光电材料层上依次形成钝化层和介质层；刻蚀所述介质层形成第一通孔，暴露出所述钝化层；刻蚀所述第一通孔中的钝化层形成第二通孔，暴露出所述...
- 李伟伟 帅浓 陈路 龚汉红 毛剑宏
- 一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法
- 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法，包括步骤：提供一碲镉汞基底，其内具有阵列分布的电极区；对电极区进行刻蚀，形成凹槽；在碲镉汞基底表面形成金属层；对金属层刻蚀，保留电极区凹槽的金属层，形成U型电极金属；在...
- 谭必松丁俊毅宋鲁霞洪毅伟毛剑宏
- 高工作温度碲镉汞红外探测器杜瓦结构研究
- 2024年
- 随着第三代红外探测器技术的快速发展,高工作温度红外探测器成为重要的发展方向。本文报道了在高工作温度碲镉汞红外探测器杜瓦结构小型化、低功耗、高可靠性方面的研究进展。通过杜瓦结构的优化设计,搭配旋转整体式低温制冷机K562S short,制备出组件体积为80 mm×61 mm×39 mm,重量为212 g,启动时间为2.5 min,工作温度达到150 K的高工作温度中波碲镉汞红外探测器,并初步完成了组件可靠性试验验证,为高工作温度碲镉汞红外探测器的工程化应用奠定了一定的基础,对高工作温度碲镉汞红外探测器的小型化、低功耗、高可靠性研究具有一定的指导意义。
- 张利明李艳红冯志攀宋淑芳付志凯王冠张磊
- 关键词：碲镉汞红外探测器小型化
- 一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法
- 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法，包括步骤：提供一碲镉汞基底，其内具有阵列分布的电极区；对电极区进行刻蚀，形成凹槽；在碲镉汞基底表面形成金属层；对金属层刻蚀，保留电极区凹槽的金属层，形成U型电极金属；在...
- 谭必松丁俊毅宋鲁霞洪毅伟毛剑宏
- 一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法
- 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法，包括步骤：提供一碲镉汞基底，其内具有阵列分布的电极区；对碲镉汞基底退火；在碲镉汞衬底表面形成钝化层；刻蚀钝化层，形成暴露电极区的通孔；在通孔中形成金属电极。
- 丁俊毅谭必松宋鲁霞张国锋毛剑宏
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