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电子封装件及其电子结构与制法: 一种电子封装件及其电子结构与制法，包括于一电子主体的一表面上设有多个导电体，并以环氧树脂封装胶体作为保护层包覆该多个导电体，且将一线路部结合该电子主体的另一表面上，并形成多个外接凸块及焊锡材料于该线路部上，以通过该保护层...; 陈以铃庄冠纬

单层1T-VS_(2)的电子结构和量子电容性质研究: 2024年; 以石墨烯为代表的低维材料由于费米能级附近有限的态密度,导致量子电容较低,限制了其作为电极材料的超级电容器双电层电容的提升.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,以1T-VS_(2)为例,研究具有类石墨烯结构的准二维材料的量子电容的微观机理及其性能调控.研究结果表明,铁磁性的本征和含V空位缺陷的1T-VS_(2)在零偏压处的量子电容为~300μF/cm^(2),远高于石墨烯.此外,含有V空位缺陷体系在负偏压区的高量子电容区间更加扩展,可以匹配更宽工作电压窗口的电解质材料,有利于提高能量密度.; 李雯婷王维华; 关键词：电子结构本征缺陷第一性原理计算

Mon(n=2-13)和MonC(n=1-12)团簇的几何结构和电子结构: 2024年; 结合遗传算法和CALYPSO软件,采用密度泛函理论,对Mon(n=2-13)及MonC(n=1-12)团簇基态的几何结构与电子结构展开详细研究.通过计算其基态结构的平均键长、平均结合能、二阶差分能、分裂能和前线轨道能级,对基态结构的稳定性随总原子数变化的关系展开了研究.计算结果表明,Mon团簇基态结构的稳定性可通过掺杂单个C原子而提高.综合团簇的二阶差分能、分裂能可知,n=6,9时Mon团簇的稳定性较高,n=4,7,10时MonC团簇的稳定性较高.; 杨文辉相悦陈轩段海明; 关键词：基态结构电子性质

六角GaM(M=S/Se/Te)的电子结构和力学性质的第一性原理计算: 2024年; 依据密度泛函理论(DFT)对层状六角P63/mmc结构的GaM(M=S/Se/Te)进行电子结构与弹性力学特性的模拟研究。优化后的P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)的晶格,与实验结果相吻合。采用HSE06泛函得到的带隙值比PBE得到的与实验值更接近。应变能-应变(E-S)和应力-应变(S-S)两种方法得到的P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)的单晶弹性常数都符合弹性力学稳定性准则。在更接近文献值的应力-应变(S-S)法基础上,对3种材料的多晶弹性模量等力学特性进行了后续分析。泊松比和B/G值表明,P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)显现出脆性。各向异性因子、杨氏模量E、剪切模量G及线性压缩系数β的三维立体图分别展示了材料的弹性各向异性程度。在零温零压下,P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)在[100]方向上的第一横向声速最大,在[001]方向上两个横波TA1和TA2的速度最慢。; 路羽茜张鑫李世娜; 关键词：电子结构力学性质

基于第一性原理计算方法的氮化铟量子点发光二极管电子结构和发光机制分析: 2024年; 阐述通过对氮化铟量子点发光二极管的能带结构、电子态密度和能带间隙等参数分析,揭示器件中电子和空穴的分布情况,以及发光行为的原理。氮化铟量子点发光二极管具有优良的发光性能。; 罗达峰罗达峰吴洁刘蕊; 关键词：第一性原理计算电子结构发光机制

休斯勒合金Mn_(2)LiGe块体和(001)表面的电子结构和磁性质: 2024年; 基于密度泛函理论的第一性原理计算,本文研究了休斯勒合金Mn_(2)LiGe块体及其(001)表面的电子结构和磁性质。对于Mn_(2)LiGe块体,其基态结构是具有反铁磁排布且空间群为F43m的反Heusler合金,晶格常数为5.87A。自旋向下通道费米面附近具有一个宽度为1.1 eV的直接带隙。晶格常数在5.55~6.33A时,Mn_(2)LiGe块体均具有半金属性和稳定的磁性。此外,本文构建了6种不同的表面结构,表面第一层原子经历了不同的位移,增加了表面粗糙度。由于表面效应,表面原子磁性与块体中相比亦有所不同。Mn^(A)Mn^(A)和Mn^(B)Mn^(B)表面结构具有最高的磁矩值,而LiLi和GeGe表面结构的磁矩最低。电子结构计算表明,块体中存在的半金属带隙在6种表面结构中均被破坏,自旋极化率受到不同程度的削弱。只有LiLi表面结构保持高达99.9%的表面自旋极化率,因此该表面在自旋电子学器件中具有良好的应用前景。; 孙亮张钰王群; 关键词：第一性原理电子结构磁性质

Mg掺杂ZnO电子结构与压电性能的第一性原理研究: 2024年; 采用第一性原理计算方法研究了掺杂不同Mg(r(Mg),摩尔比)的ZnO材料的电子结构与压电性能。研究发现,随着r(Mg)的增加,ZnO晶格常数c与a的比值(c/a)减小,材料禁带宽度增大。当r(Mg)=0.3时,其带隙达到最大值(为1.493 eV)。态密度与差分电荷密度计算结果表明,其带隙增大的原因是导带中Zn-3d态向高能端移动。Mg的引入有助于提升ZnO材料的压电性能,其压电系数从本征的1.30272 C/m^(2)提升至1.35588 C/m^(2),压电系数的提高可能来源于四方因子c/a数值减小引起的结构畸变。; 张涛张涛顾马龙杨龙海席悦; 关键词：第一性原理压电系数电子结构晶格常数

不同掺杂浓度Lu掺杂GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究: 2024年; 采用密度泛函理论下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征GaN和不同Lu掺杂浓度(原子数分数)Ga1-xLuxN(x=0.0625、0.125、0.1875、0.25)体系的电子结构和光学性质,研究了掺杂浓度为12.5%和18.75%时相同掺杂量下不同空间有序占位体系结构的稳定性。计算结果表明:掺杂后体系晶格参数均有所增大,Lu的掺入诱导了浅能级杂质,使掺杂后体系带隙较本征带隙(3.40 eV)小;与本征GaN相比,掺杂体系的静介电常数均增加,当掺杂浓度为25%时,静介电常数增大为5.42,介电函数虚部和吸收谱往低能方向移动,发生了红移现象,吸收光谱范围增大,最终GaN的光催化性能得到提升。; 付莎莎肖清泉唐华著姚云美邹梦真叶建峰谢泉; 关键词：氮化镓电子结构光学性质

带发光指示及触控功能的膜内电子结构体及其制造方法: 本发明提供了一种带发光指示及触控功能的膜内电子结构体及其制造方法，包括第一膜片、电路层、第一注塑层以及电连接件，电路层设于第一膜片与第一注塑层之间，电路层包括触控感应区、发光指示区以及导电线路，触控感应区、发光指示区分别...; 何不同谢冠瑶

基于第一性原理GGA+U方法研究Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)电子结构和光电性质: 2024年; 采用基于密度泛函理论的GGA+U方法,计算了本征和Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)的形成能、能带结构、态密度、差分电荷密度和光电性质.结果表明,Si取代四面体Ga(1)更容易实验合成,得到的β-Ga_(2)O_(3)带隙和Ga-3d态峰值与实验结果吻合较好,且贫氧条件下更倾向于获得有效掺杂.Si掺杂后,总能带向低能端移动,费米能级进入导带,呈现n型导电性;Si-3s轨道电子占据导带底,电子公有化程度加强,电导率明显改善.随着Si掺杂浓度的增加,介电函数ε_(2)(ω)的结果表明,激发导电电子的能力先增强后减弱,与电导率的量化分析结果一致.光学带隙增大,吸收带边上升速度减慢;吸收光谱结果显示Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)具有较强的深紫外光电探测能力.计算结果将为下一步Si掺杂β-Ga_(2)O_(3)实验研究和器件设计的创新及优化提供理论参考.; 张英楠张敏张派胡文博; 关键词：电子结构

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