搜索到6087篇“ 栅氧化层“的相关文章
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一种碳化硅芯片栅氧化层制备方法
本发明涉及半导体制造技术领域，且公开了一种碳化硅芯片栅氧化层制备方法，包括以下步骤：步骤1：前处理与表面准备；利用化学机械抛光技术，对碳化硅芯片表面进行平整化处理，去除表面杂质和微观不均匀性；生成平整化的碳化硅表面；步骤...
谢速
锗硅沟道栅氧化层的形成方法
本发明提供一种锗硅沟道栅氧化层的形成方法，提供衬底，在衬底上形成有锗硅外延层，去除锗硅外延层上的氧化层；利用热氧化的方法在锗硅外延层上形成目标厚度的第一栅氧化层，第一氧化层作为锗富集的界面层；利用淀积的方法在第一氧化层上...
姜兰
锗硅沟道中栅氧化层的形成方法
本发明提供一种锗硅沟道中栅氧化层的形成方法，提供衬底，在衬底上形成有锗硅外延层，去除锗硅外延层上的氧化层；在锗硅外延层上形成目标厚度的硅层；利用等离子氧化法将硅层形成为栅氧化层；利用退火对栅氧化层进行氧空位修复以及致密化...
姜兰归琰
基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路
本申请实施例提供了一种基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路，高压开关电路包括薄栅氧化层高压NMOS管和薄栅氧化层高压PMOS管，所述控制电路包括第一控制电路和第二控制电路；所述第一控制电路通过控制所述薄栅氧化层高压NM...
王赛马学龙
基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路
本申请实施例提供了一种基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路，高压开关电路包括薄栅氧化层高压NMOS管和薄栅氧化层高压PMOS管，所述控制电路包括第一控制电路和第二控制电路；所述第一控制电路通过控制所述薄栅氧化层高压NM...
王赛马学龙
碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法
本发明涉及一种碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域，该方法包括：对一晶圆片进行前道工序处理获取SiC衬底；对所述SiC衬底的表面进行预处理；对经过预处理的SiC衬底表面进行钝化掺杂处理；根据需...
薄洪生单双徐永斌冯东明王哲
改善栅氧化层质量的方法
本发明提供一种改善栅氧化层质量的方法，所述方法包括：提供表面形成有垫氧化层的半导体衬底；通过离子注入工艺于所述半导体衬底内形成N型阱与P型阱；于所述N型阱及所述P型阱内注入硅离子；去除所述垫氧化层；于所述半导体衬底的表面...
张强强
一种基于MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法
本发明涉及一种MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法，包括：步骤1：对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；步骤2：获取待测MOSFETs器件的弱反型区的漏极电流的范围；步骤...
陈华李金龙张彦军王佳硕李仲阳马琪辉何亮
改善栅氧化层去除导致侧掏的方法
本发明提供一种改善栅氧化层去除导致侧掏的方法，提供衬底，衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出至少第一、二器件区中的有源区；在第一、二器件的有源区上形成用于第一器件区的第一栅氧化层；形成覆盖第一栅氧化层的保护层，在保护层上形成光...
张家成李志国时雪如王飞飞柳邦杰李雪健徐杰
双栅氧化层及其形成方法
本申请公开了双栅氧化层及其形成方法，所述形成方法包括：在衬底上形成第一氧化层，衬底包括第一区和第二区，第一区和第二区的衬底表面具有高度差且所形成的第一氧化层厚度相同；将第二区的衬底上的第一氧化层通过湿法刻蚀去除；在第二区...
唐沪怀高志杰姚怡雯
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孙伟锋
作品数：1,108被引量：566H指数：11
供职机构：东南大学
研究主题：多晶硅栅 栅氧化层 氧化层 金属 电路
时龙兴
作品数：1,193被引量：345H指数：9
供职机构：东南大学
研究主题：多晶硅栅 氧化层 栅氧化层 金属 绝缘体上硅
陆生礼
作品数：865被引量：319H指数：10
供职机构：东南大学
研究主题：多晶硅栅 栅氧化层 氧化层 金属 绝缘体上硅
马万里
作品数：197被引量：0H指数：0
供职机构：北大方正集团有限公司
研究主题：栅氧化层 氧化层 外延层 刻蚀 多晶
张波
作品数：4,938被引量：6,950H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型