搜索到 篇“ 时变击穿 “的相关文章

相关作者

许铭真
作品数：101被引量：63H指数：4
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 英文 场效应晶体管 超薄栅氧化层 MOSFET
韩德栋
作品数：102被引量：54H指数：4
供职机构：北京大学
研究主题：薄膜晶体管 晶体管 沟道 氧化锌薄膜 平板显示
薛静
作品数：6被引量：2H指数：1
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 MOSFET TDDB SIO 薄栅
孙凌
作品数：6被引量：5H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：英文 栅介质 超薄栅 迁移率 氧
王小娜
作品数：1被引量：1H指数：1
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：磁控溅射 HFO GD 高K栅介质 击穿