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可编程只读存储器
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
可编程
只
读存储器
本公开涉及
可编程
只
读存储器
。公开了一种
存储器
单元。在一个实施例中,
可编程
只
读存储器
单元包括位于半导体本体和第二导电层或第二半导电层之间的第一绝缘层,其中所述第一绝缘层包括外围部分和中心部分,并且其中所述外围部分具有比中心...
P·卡伦佐
S·马泰
可编程
只
读存储器
一种
可编程
只
读存储器
包括
存储
单元或安排为阵列的多个这种单元。每一个
存储
单元包括诸如MOS TFT之类的晶体管。电子开关允许诸如栅极之类的控制电极在
编程
模式
器
件被充分电隔离,使得栅极在该模式期间电浮置。在
编程
模式期间,将编...
S·沙阿
O·K·阿贝-梅瑞姆
P·泽伯迪
文献传递
可编程
只
读存储器
公开了一种
存储
单元的阵列。所述
存储
单元包括熔丝和至少一个晶体管。晶体管用于控制熔丝的
编程
或
读
出。将
编程
电压应用到第一和第二导电层的堆。该堆的第一部分将
编程
电压耦合到单元中的晶体管的一端。该堆的第二部分将
编程
电压耦合到另一...
Z·陈
S·库尔卡尼
K·张
文献传递
可编程
只
读存储器
一种
可编程
只
读存储器
包括
存储
单元或安排为阵列的多个这种单元。每一个
存储
单元包括诸如MOS TFT之类的晶体管。电子开关允许诸如栅极之类的控制电极在
编程
模式
器
件被充分电隔离,使得栅极在该模式期间电浮置。在
编程
模式期间,将编...
S·沙阿
O·K·阿贝-梅瑞姆
P·泽伯迪
文献传递
带电可擦除
可编程
只
读存储器
的操作方法
一种带电可擦除
可编程
只
读存储器
的操作方法,此带电可擦除
可编程
只
读存储器
在半导体基板上设置有晶体管结构,且晶体管结构具有第一导电闸极,同时,于第一导电闸极与源极和汲极交界处的半导体基板内或源极和汲极的离子掺杂区内更植入有同...
吴政颖
钟承谕
黄文谦
闪存模拟电可擦除
可编程
只
读存储器
的方法及相关装置
本发明实施例提供了一种闪存模拟电可擦除
可编程
只
读存储器
的方法及相关装置,用于利用闪存FLASH来模拟电可擦除
可编程
只
读存储器
EEPROM,从而来提升闪存FLASH的擦写寿命。本发明实施例方法包括:将闪存FLASH分割为至...
曹刚
电可擦
可编程
只
读存储器
及其制造方法
本发明提供一种电可擦
可编程
只
读存储器
及其制造方法,电可擦
可编程
只
读存储器
包括半导体衬底、位于半导体衬底中的至少两个有源区、位于半导体衬底上的至少两个控制栅结构以及位于控制栅结构两侧的有源区上的至少两个接触结构;控制栅结构...
沈安星
张有志
吴少衔
带电可擦
可编程
只
读存储器
的数据
读
取方法及装置
本说明书实施例提供一种带电可擦
可编程
只
读存储器
的数据
读
取方法,包括:在接收到数据获取请求时,确定待
读
取
存储器
的型号、第一起始地址、
读
取数量和第二起始地址;根据所述待
读
取
存储器
的型号进行写操作,所述写操作用于将包含所述第一...
操四胜
刘启武
赵寰
王映娟
李珣
张明勇
张东
周广飞
赵勇
电可擦除
可编程
只
读存储器
在嵌入式系统的应用研究
被引量:1
2022年
在嵌入式系统应用中,为了避免控制系统在配置初始化数据、设置运行参数等在突发掉电情况下重要信息丢失,常采用电可擦除
可编程
只
读存储器
(EEPROM)[1]。嵌入式EEPROM
存储器
已成为当今片E系统设计解决方案的一个至关重要的部分。为了解决
存储器
读
写控制难的问题,本文以FPGA作为主控制芯片,采用自顶向下的设计理念,研究设计了一款基于
可编程
逻辑的
读
/写EEPROM控制
器
[2],经过对控制系统的功能需求分解、设计实现及仿真验证,证明该控制
器
具有
读
写数据稳定、使用方便、成本低廉、适用性广等特点。
姚丹
关键词:
嵌入式系统
可编程逻辑
具有独立电可擦除
可编程
只
读存储器
的装置及其通信方法
本发明涉及一种具有独立电可擦除
可编程
只
读存储器
的装置及其通信方法,包括:电可擦除
可编程
只
读
存储
模块、控制模块,电可擦除
可编程
只
读
存储
模块与控制模块通过探针直接连接;还包括:显示模块、
器
械座安装识别模块、从站总线协议模块、...
吕文尔
朱常春
王少白
宋涛
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张宇鸿
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