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变容二极管
一种变容二极管,在第一导电类型的掺杂半导体衬底上形成。二极管包括在半导体衬底中的第二导电类型的第一掺杂区域。在第一掺杂区域的部分中的第一导电类型的第二掺杂区域、和在第一掺杂区域的另一部分中的第二导电类型的第三掺杂区域形成...
F·蒙塞尤尔
变容二极管漏电电流的建模方法
本发明提供了一种变容二极管漏电电流的建模方法,包括如下步骤:提取拟合电压系数和尺寸拟合系数,建立正向漏电电流模型;提取宽长拟合系数和趋势拟合系数,建立反向漏电电流模型;拟合不同温度下的模型参数,建立温度模型;反馈验证。本...
任志鹏葛浩陈静吕迎欢谢甜甜
竖直变容二极管的结构以及相关方法
本公开涉及竖直变容二极管的结构以及相关方法。变容二极管的结构和形成这种结构的方法。该结构包括:第一半导体层,其包括位于衬底上的一部分;第二半导体层,其位于第一半导体层的该一部分上;第三半导体层,其位于第二半导体层上;以及...
S·恰亚西亚J·约翰逊V·贾因C·R·肯尼S·萨鲁普T-Y·林J·J·派卡里克
一种可重构变容二极管芯片及制备方法
本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种可重构变容二极管芯片及制备方法。该芯片包括:N型重掺杂衬底;深埋隔离层,设置于N型重掺杂衬底的部分区域的上方;N型轻掺杂外延层,设置于N型重掺杂衬底的剩余区域和深埋隔离层的上方;...
马文力李浩
一种可重构变容二极管芯片及制备方法
本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种可重构变容二极管芯片及制备方法。该芯片包括:N型重掺杂衬底;深埋隔离层,设置于N型重掺杂衬底的部分区域的上方;N型轻掺杂外延层,设置于N型重掺杂衬底的剩余区域和深埋隔离层的上方;...
马文力李浩
一种基于变容二极管的低噪放大器电路
本发明公开了一种基于变容二极管的低噪放大器电路,包括:功分器、输入变频匹配模块、泵浦变频匹配模块、变容二极管、扼流滤波电路、输出调谐网络以及输出匹配模块。本发明利用变容二极管电容可变的特性进行能量转换和放大,同时通过扼流...
赵立李傲文廖汉箫于晨林骏然廖勇李立春龚成凤刘越
一种基于变容二极管的无源无线传感器
本发明公开了一种基于变容二极管的无源无线传感器,包括:谐振电路,被配置为在输入周期性的交变信号时,产生时变且连续的谐振频率信号,所述谐振电路包括串联或并联连接的变容二极管和电感;选频电路,被配置为基于所述谐振频率信号选择...
赵立李立春刘越龚成凤廖勇
一种基于变容二极管桥的忆阻器模拟器
本发明涉及了一种基于变容二极管桥的忆阻器模拟器。其技术方案是:所述基于变容二极管桥的忆阻器模拟器由变容二极管桥电路和一阶并联RC滤波电路组成。一阶并联RC滤波电路的端子j分别与第三电阻器R<Sub>3</Sub>的一端、...
甘朝晖陆逸凌张仕琦
PIN二极管变容二极管结合型跳频滤波器
本发明提供一种PIN二极管变容二极管结合型跳频滤波器,包括依次连接的匹配网络一、谐振电感一、开关电容阵列一、变容二极管组一、耦合器、变容二极管组二、开关电容阵列二、谐振电感二和匹配网络二;所述匹配网络一与射频输入端连接...
向君龚耀
一种高电容比超突变变容二极管及制备方法
本发明属于半导体器件技术领域,提供了一种高电容比可突变变容二极管及制备方法,其中高电容比可突变变容二极管包括N+型硅衬底、N‑型外延层、N型外延层、氧化层、氮化硅层、正面金属层和背面金属层,N‑型外延层设置于N+型硅衬底...
金炜徐婷李浩田浩东李岚刚

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崔铁军
作品数:681被引量:388H指数:12
供职机构:东南大学
研究主题:超材料 表面等离激元 等离激元 天线 电磁材料
杨涛
作品数:321被引量:385H指数:7
供职机构:电子科技大学
研究主题:可重构 基片集成波导 变容二极管 基片集成 微波电路
褚庆昕
作品数:708被引量:305H指数:9
供职机构:华南理工大学
研究主题:宽带 带通滤波器 微带线 滤波器 双频
刘宏梅
作品数:209被引量:9H指数:1
供职机构:大连海事大学
研究主题:平行耦合线 定向耦合器 平衡式 群时延 功分器
房少军
作品数:411被引量:298H指数:7
供职机构:大连海事大学
研究主题:平行耦合线 定向耦合器 群时延 时延特性 微带线