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反常霍尔效应传感器、装置及线性磁场传感器系统: 本发明公开一种反常霍尔效应传感器、装置及线性磁场传感器系统，涉及霍尔传感器领域，其中，反常霍尔效应传感器包括电极层及反常霍尔效应传感部件；电极层用于为反常霍尔效应传感部件供电；反常霍尔效应传感部件包括依次设置的基底、第一...; 王译刘鑫娜孟凡毓李鹏振

反常霍尔效应传感器、装置及线性磁场传感器系统: 本发明公开一种反常霍尔效应传感器、装置及线性磁场传感器系统，涉及霍尔传感器领域，其中，反常霍尔效应传感器包括电极层及反常霍尔效应传感部件；电极层用于为反常霍尔效应传感部件供电；反常霍尔效应传感部件包括依次设置的基底、第一...; 王译刘鑫娜孟凡毓李鹏振

利用反常霍尔效应的磁传感器和霍尔传感器以及霍尔传感器的制造方法: 提供一种利用反常霍尔效应的磁传感器。非磁性金属层设置在铁磁材料之上和之下，以形成与施加的磁场的变化相对应的霍尔电压。所述磁传感器的线性度和饱和磁化取决于所述非磁性金属层的厚度和所述铁磁材料的厚度。另外，提供了一种利用反常...; 金泰完

Fe掺杂的单晶Ni薄膜的反常霍尔效应: 2024年; 解明并调控磁性材料中反常霍尔效应的不同来源是实现自旋电子器件高集成度的关键.首次利用离子束溅射法在单晶MgO(100)基底上外延生长了Fe掺杂的单晶Ni(100)(Fe-Ni)薄膜,通过研究不同厚度的Fe-Ni薄膜在外加磁场下的电输运性质,分离和解明了斜散射、侧跳和本征3种机制对反常霍尔效应的贡献.结果表明,Fe的掺杂调控了反常霍尔效应中3种机制的贡献比例,相比于纯的单晶Ni薄膜,Fe的掺杂增大了斜散射机制的贡献,降低了本征机制的贡献且几乎不会影响侧跳机制的贡献.以上结果为实现磁性材料中反常霍尔效应的定向调控提供了参考.; 李岩程雅慧刘晖; 关键词：反常霍尔效应自旋轨道耦合

基于三角-六角格子的结构设计与量子反常霍尔效应研究: 徐晓康

Pt/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_(3)异质结中的反常霍尔效应: 2023年; 非磁/铁磁异质结构中存在很多有趣的演生现象,特别是,铂/铁磁异质结构中的反常霍尔效应是一个研究热点.采用脉冲激光沉积技术和射频磁控溅射技术制备出具有原子级接触界面的铂/锰酸锶镧异质结,并对异质结的电输运性能进行了系统的研究.实验发现,铂/锰酸锶镧异质结中存在由铂贡献的反常霍尔效应,这是由磁近邻效应诱导铂表现出铁磁性造成的.反常霍尔电阻随着温度的降低而急剧增加,并且在低于40 K时改变符号.反常霍尔电阻随铂厚度的增加而急剧降低,证实了铂的铁磁性起源于异质结界面.此外,异质结在低外加磁场下可能产生了拓扑霍尔效应,这是由异质结界面处的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用诱导产生手性磁畴壁结构引起的.上述研究结果为进一步理解非磁/铁磁异质结构中的电子自旋和电荷输运之间的相互作用提供了实验基础.; 扈仕林刘均华邓志雄肖文杨瞻陈凯廖昭亮; 关键词：反常霍尔效应

GMR位移传感器的制备与Co/Ni多层膜的反常霍尔效应: 巨磁电阻（Giant magnetoresistance,GMR）传感器以其饱和场低、稳定性强、灵敏度高等优点,不仅应用于磁记录领域,还广泛用于位移、转速、位置、速度的测量,具有广泛的应用价值。随着微纳米加工技术的发展,...; 宋南; 关键词：巨磁电阻效应反常霍尔效应

基于反常霍尔效应的MRAM器件与电路设计: 随着集成电路制造工艺的发展和微电子技术的进步，传统的存储技术逐渐无法满足现代工业的需求，许多新型存储技术随之浮现并受到广泛关注。磁随机存储器（MRAM）作为一种新型存储技术，具有着高速、高集成度、低功耗、高可靠性以及非易...; 吴雪蕊; 关键词：磁随机存储器反常霍尔效应芯片电路

磁性体系中量子反常霍尔效应和高阶拓扑态的理论研究: 材料拓扑性质的发现是人们认识和理解物质世界过程中的一个重要进展。拓扑材料具有受拓扑保护的边界态,表现出许多新奇的量子特性,在凝聚态物理学研究领域受到广泛的关注。在物质世界中寻找具有新奇拓扑物性的材料,并对其性质进行研究,...; 刘正; 关键词：第一性原理计算

基于反常霍尔效应的片上可集成温度传感器: 2023年; 基于铁磁材料的异质结构已应用在存储、逻辑、磁传感、信息安全等多种重要领域中,极大丰富了自旋电子学的内容,进一步推动了全自旋架构的发展。鉴于温度是影响芯片性能与工作状态的关键因素,开发基于铁磁材料的温度感知技术对现代低功耗芯片的设计与优化具有显著意义。为此,本文提出了一种新型的自旋温度传感器,该传感器基于钨/钴铁硼/氧化镁/钽的铁磁异质结构,通过微纳加工技术制备霍尔条形(Hall bar)器件,研究不同温度下反常霍尔电阻(R_(H))随垂直磁场的变化关系,拟合出相应反常霍尔电阻差值(ΔR_(H))与温度的函数关系,建立了从100 K到490 K的宽温度范围内的ΔR_(H)与温度的定量关系,从而实现对环境温度的感知。最后,本文对器件性能指标进行了表征与评估,并分析了器件测温的微观机制。研究表明该传感器在特定温度条件下经过多次循环读写测试以及长达10000秒的连续读取后,R_(H)值保持高度稳定,证明了其良好的可重复性和稳定性。本文所提出的温度传感器可以在一定精度内满足温度监测与感知的需求,并且具备与其他自旋电子功能器件相集成的能力,为实现芯片工作温度的感知提供了一种有效的技术方案。; 林捷李若凡张帅张建邹雪城游龙; 关键词：反常霍尔效应可集成温度传感器

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