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双异质结双极性晶体管
本申请提供了一种双异质结双极性晶体管。双异质结双极性晶体管包括依次叠层设置的N型GaAs子集电极层、N型GaAs集电极层、P型基极层、N型GaInP发射极层、N型InGaAs接触层，P型基极层为P型GaAs<Sub>（1...
颜建黄勇
双异质结双极性晶体管
本申请提供了一种双异质结双极性晶体管。双异质结双极性晶体管包括依次叠层设置的N型GaAs子集电极层、N型GaAs集电极层、P型基极层、N型GaInP发射极层、N型InGaAs接触层，P型基极层为P型GaAs<Sub>（1...
颜建 黄勇
一种双异质结钙钛矿及其制备方法和应用
本发明提供了一种双异质结钙钛矿及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的制备方法通过在旋涂钙钛矿量子点分散液时其溶剂采用正己烷、正辛烷、甲苯和氯苯中的一种或多种，能够降低对上一层钙钛矿薄膜Ⅰ或钙钛矿薄膜Ⅱ的...
储子昊李阳李艳平冉广照
一种双异质结钙钛矿及其制备方法和应用
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储子昊李阳李艳平冉广照
基于双异质结的光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于WSe<Sub>2</Sub>/MoS<Sub>2</Sub>和MoS<Sub>2</Sub>/β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>双异质结的光电探测器及其制备方法，主要解决现有...
苏杰王博文常晶晶林珍华张进成郝跃
一种可用于高效丙烷脱氢制丙烯的双异质结催化材料
本发明涉及一种在氮掺杂碳材料上负载相互独立的钴金属和贵金属纳米粒子的双异质结催化材料。这种相互独立的双异质结结构能够通过整流接触和溢流效应实现异质结间电子和反应中间体(氢原子)的转移，从而形成氢原子富集的贫电金属钴纳米颗...
李新昊许冬
基于双异质结和异质集成衬底的HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种基于双异质结和异质集成衬底的HEMT器件及其制备方法，包括：提供第一衬底，并在第一衬底的上表面进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底的上表面形成键合中间层，并将β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>...
李鑫
基于双异质结和复合钝化层的HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种基于双异质结和复合钝化层的HEMT器件及其制备方法，包括：在第一衬底的上表面进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底的上表面形成键合中间层，并将β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>转印...
李鑫
基于复合介质层/钝化层的双异质结HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种基于复合介质层/钝化层的双异质结HEMT器件及其制备方法，包括：提供第一衬底，并在第一衬底的上表面进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底的上表面形成键合中间层，并将β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Su...
李鑫
倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池及其制备方法，包括采用倒装方式在GaAs衬底上依次生长的AlGaInP双异质结子电池、GaAs子电池、Ga<Sub>m</Sub>In<Sub>1‑m</Sub>P渐变...
黄辉廉黄珊珊文宏叶旺刘建庆
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郝跃
作品数：2,568被引量：1,235H指数：13
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
王晓亮
作品数：286被引量：149H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
王翠梅
作品数：102被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
孙涛
作品数：73被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学
研究主题：LIGBT 阳极 续流二极管 导通压降 导通
魏杰
作品数：169被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学
研究主题：关断损耗 导通压降 漂移区 LIGBT 导通